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MM74HC138 3至8线译码器
1983年9月
修订后的1999年2月
MM74HC138
3至8行译码器
概述
该MM74HC138解码器采用先进的硅栅
CMOS技术，非常适合于存储地址
解码或数据路由应用。该电路的特点
高抗噪性和通常低功耗
与CMOS电路有关，但有速度compara-
竹叶提取低功耗肖特基TTL逻辑。
该MM74HC138有3个二进制选择输入（A ，B和C） 。
如果设备被使能时，这些输入确定哪一个
八，通常高输出将变低。两个活动
低一高电平有效使能（ G1 ， G2A和G2B ）
被提供，以减轻解码器的级联。
该解码器的输出可驱动10个低功率肖特基
TTL等效负载，并且在功能和引脚等价
借给74LS138 。所有的输入免受伤害
由于静电放电通过二极管V
CC
和地面。
特点
s
典型传播延迟： 20纳秒
s
宽电源电压范围： 2V ， 6V
s
低静态电流： 80
A
最大（ 74HC系列）
s
低输入电流： 1
A
最大
s
10 LS- TTL负载扇出
订购代码：
订单号
MM74HC138M
MM74HC138SJ
MM74HC138MTC
MM74HC138N
包装数
M16A
M16D
MTC16
N16E
包装说明
16引脚小外形集成电路（ SOIC ） ， JEDEC MS- 012 ， 0.150 “窄
16引脚小外形封装（ SOP ） ， EIAJ TYPE II ， 5.3毫米宽
16引脚超薄紧缩小型封装（ TSSOP ） ， JEDEC MO- 153 ， 4.4毫米宽
16引脚塑料双列直插式封装（ PDIP ） ， JEDEC MS- 001 ， 0.300 “宽
在磁带和卷轴可用的设备也。通过附加后缀字母“X”的订货代码指定。
接线图
引脚分配为DIP ， SOIC ， SOP和TSSOP
1999仙童半导体公司
DS005120.prf
www.fairchildsemi.com
MM74HC138
真值表
输入
启用
G1
X
L
H
H
H
H
H
H
H
H
G2 （注1 ）
H
X
L
L
L
L
L
L
L
L
C
X
X
L
L
L
L
H
H
H
H
SELECT
B
X
X
L
L
H
H
L
L
H
H
A
X
X
L
H
L
H
L
H
L
H
Y0
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
Y1
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
Y2
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
Y3
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
Y4
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
Y5
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
Y6
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
Y7
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
输出
H
=
高层次，L
=
水平低， X
=
不在乎
注1 ：
G2
=
G2A+G2B
逻辑图
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2
MM74HC138
绝对最大额定值
（注2 ）
（注3）
电源电压（V
CC
)
直流输入电压（V
IN
)
直流输出电压（V
OUT
)
钳位二极管电流（I
IK
, I
OK
)
直流输出电流，每个引脚（I
OUT
)
DC V
CC
或接地电流，每个引脚
功耗（P
D
)
（注4 ）
S.O.这只包
引线温度（T
L
)
（焊接10秒）
260°C
600毫瓦
500毫瓦
(I
CC
)
存储温度范围（T
英镑
)
0.5
+
7.0V
1.5 V
CC
+
1.5V
0.5 V
CC
+
0.5V
±
20毫安
±
25毫安
±
50毫安
65 ℃下，以
+
150°C
推荐工作
条件
民
电源电压（V
CC
)
DC输入或输出电压
(V
IN
, V
OUT
)
工作温度范围（T
A
)
输入信号上升和下降时间
(t
r
, t
f
) V
CC
=
2.0V
V
CC
=
4.5V
V
CC
=
6.0V
1000
500
400
ns
ns
ns
40
+85
°C
2
0
最大
6
V
CC
单位
V
V
注2 ：
绝对最大额定值是那些价值超过该损坏
可能发生的年龄到设备。
注3 ：
除非另有说明，所有电压以地为参考。
注4 ：
功耗温度降额 - 塑胶“ N”型：
12毫瓦/°C， 65 ° C至85°C 。
DC电气特性
符号
V
IH
参数
最低高层
输入电压
V
IL
最大低电平
输入电压
V
OH
最低高层
输出电压
（注5 ）
条件
V
CC
2.0V
4.5V
6.0V
2.0V
4.5V
6.0V
T
A
=
25°C
典型值
1.5
3.15
4.2
0.5
1.35
1.8
2.0
4.5
6.0
4.2
5.7
0
0
0
0.2
0.2
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±0.1
8.0
T
A
= 40
至85℃
保证限制
1.5
3.15
4.2
0.5
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±1.0
80
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
V
IN
=
V
IH
或V
IL
| I
OUT
|
≤
20
A
2.0V
4.5V
6.0V
V
IN
=
V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
≤
4.0毫安
| I
OUT
|
≤
5.2毫安
4.5V
6.0V
2.0V
4.5V
6.0V
V
IN
=
V
IH
或V
IL
| I
OUT
|
≤
4.0毫安
| I
OUT
|
≤
5.2毫安
4.5V
6.0V
6.0V
6.0V
V
OL
最大低电平
输出电压
V
IN
=
V
IH
或V
IL
| I
OUT
|
≤
20
A
I
IN
I
CC
最大输入
当前
最大静态
电源电流
V
IN
=
V
CC
或GND
V
IN
=
V
CC
或GND
I
OUT
=
0
A
注5 ：
对于5V的电源
±
10％的最坏情况下的输出电压（V
OH
和V
OL
）发生的HC在4.5V 。因此，在4.5V的值时，应使用
与此供应设计。最坏的情况下V
IH
和V
IL
发生在V
CC
=
分别为5.5V和4.5V 。 （在V
IH
在5.5V值为3.85V ）。在最坏的情况下泄漏电流
租金（我
IN
, I
CC
和我
OZ
）发生在CMOS在较高的电压，因此在6.0V的值应该被使用。
3
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MM74HC138
AC电气特性
V
CC
=
5V ，T
A
=
25
°
C, C
L
=
15 pF的，T
r
=
t
f
=
6纳秒
符号
t
PLH
t
PHL
t
PHL
, t
PLH
t
PHL
参数
最大传播
延迟，二元选择任何输出
最大传播
延迟，二元选择任何输出
最大传播
延迟， G1到任何输出
最大传播
延迟G2A或G2B到
产量
t
PLH
最大传播
延迟G2A或G2B到输出
18
25
ns
23
30
ns
18
25
ns
28
35
ns
条件
典型值
18
保证
极限
25
单位
ns
AC电气特性
C
L
=
50 pF的，T
r
=
t
f
=
6纳秒（除非另有规定）
符号
t
PLH
参数
最大传播
延迟二元选择
任何输出低到高
t
PHL
最大传播
延迟二元选择任何
输出高到低
t
PHL
, t
PLH
最大传播
延迟G1任何
产量
t
PHL
最大传播
延迟G2A或G2B到
产量
t
PLH
最大传播
延迟G2A或G2B到
产量
t
TLH
, t
THL
输出上升和
下降时间
C
IN
C
PD
最大输入
电容
功耗
电容
注6 ：
C
PD
确定无负载的动态功耗，磷
D
=
C
PD
V
CC2
f
+
I
CC
V
CC
和无负荷的动态电流消耗，
I
S
=
C
PD
V
CC
f
+
I
CC
.
条件
V
CC
2.0V
4.5V
6.0V
2.0V
4.5V
6.0V
2.0V
4.5V
6.0V
2.0V
4.5V
6.0V
2.0V
4.5V
6.0V
2.0V
4.5V
6.0V
T
A
=
25°C
典型值
75
15
13
100
20
17
75
15
13
82
28
22
75
15
13
30
8
7
3
30
26
200
40
34
150
30
26
175
35
30
150
30
26
75
15
13
10
150
T
A
= 40
至85℃
保证限制
189
38
32
252
50
43
189
38
32
221
44
37
189
38
32
95
19
16
10
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
（注6 ）
75
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4
MM74HC138
物理尺寸
英寸（毫米），除非另有说明
16引脚小外形集成电路（ SOIC ） ， JEDEC MS- 012 ， 0.150 “窄
包装数M16A
16引脚小外形封装（ SOP ） ， EIAJ TYPE II ， 5.3毫米宽
包装数量M16D
5
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推荐型号
MOC208
MX584JESA
MAX6384XS24D5-T
MAX4995CAVB+T
M27C256B-90C7TR
MI-P7PJ-MYA
MI-QC2VM-IVX
MC68HC711E20FS3
MZ137
MIC94072
M27C4002-60XF6TR
M30853MW-XXXFP
MR041E561DAT
MMA2301DR2
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