MM54HC03 MM74HC03四2输入漏极开路与非门
1988年1月
MM54HC03 MM74HC03四2输入
漏极开路与非门
概述
这些非门采用先进的硅栅CMOS
技术，实现运行速度类似LS -TTL
闸门与标准CMOS的低功耗
集成电路所有的门都缓冲输出的所有从
恶习具有高抗噪性和驾驶10的能力
LS -TTL加载54HC逻辑74HC系列在功能上
以及引脚输出与标准54LS 74LS兼容
逻辑系列所有输入的保护造成的损害
静电放电通过内部二极管钳位到V
CC
和
地
与标准54HC 74HC推挽输出有
二极管与V
CC
和地面因此输出应
不超过V拉
CC
因为它会被夹到1
二极管的电压高于V
CC
这种二极管被添加到增强
静电防护
特点
Y
Y
Y
Y
Y
典型传播延迟为12ns
宽电源电压范围2 - 6V
低静态电流20
mA
最大（ 74HC系列）
低输入电流1
mA
最大
10 LS- TTL负载扇出
连接和逻辑图
双列直插式封装
TL F 5295 - 1
顶视图
订单号MM54HC03或MM74HC03
TL F 5295 - 2
C
1995年全国半导体公司
TL F 5295
RRD - B30M105印制在U S A
绝对最大额定值
（注1
2)
工作条件
民
电源电压V
CC
DC输入或输出电压
V
IN
V
OUT
工作温度范围（T
A
)
MM慧聪
MM慧聪
输入信号上升和下降时间
t
r
t
f
V
CC
e
V
V
CC
e
V
V
CC
e
V
b
b
如果是用于军事航空领域的专用设备是必需的
请向美国国家半导体销售
办公经销商咨询具体可用性和规格
b
0至5
a
7 0V
电源电压（V
CC
)
b
1 5 V
CC
a
1 5V
直流输入电压（V
IN
)
b
0 5 V
CC
a
0 5V
直流输出电压（V
OUT
)
g
20毫安
钳位二极管电流（I
IK
I
OK
)
g
25毫安
每个引脚的直流输出电流（I
OUT
)
g
50毫安
DC V
CC
或者每个引脚GND电流（I
CC
)
b
65℃，以
a
150 C
存储温度范围（T
英镑
)
功耗（P
D
)
（注3）
600毫瓦
仅s O包
500毫瓦
铅温度（T
L
） （焊接10秒）
260 C
最大
V
CC
单位
V
V
a
a
C
C
ns
ns
ns
DC电气特性
（注4 ）
符号
参数
条件
V
CC
V
V
V
V
V
V
V
IN
e
V
IH
l
I
OUT
l
s
mA
R
L
e
%
V
IN
e
V
IH
l
I
OUT
l
s
l
I
OUT
l
s
I
LKG
I
IN
I
CC
最大高水平
输出漏电流
最大输入
当前
最大静态
电源电流
V
V
V
V
V
V
V
V
T
A
e
25 C
典型值
V
IH
最低高层
输入电压
最大低电平
输入电压
最小低电平
输出电压
74HC
T
A
eb
40到85℃
54HC
T
A
eb
55 125℃
单位
保证限制
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
V
IL
V
OL
mA
mA
V
IN
e
V
IH
或V
IL
V
OUT
e
V
CC
V
IN
e
V
CC
或GND
V
IN
e
V
CC
或GND
I
OUT
e
mA
g
g
g
注1
绝对最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值
注2
除非另有说明，所有电压参考地
注3
功耗温度降额
塑料'' N' '包
b
12毫瓦C来自65 ℃至85℃的陶瓷'' J' '包
b
12毫瓦C来自100℃至125℃
注4
对于5V的电源
g
10％的最坏情况下的输出电压（V
OH
和V
OL
）在设计时会发生HC 4 5V因此， 4 5V值应使用
与此供应最坏情况V
IH
和V
IL
发生在V
CC
e
分别为5 5V和4 5V （在V
IH
5 5V值为3 85V ）最坏情况下的漏电流（I
IN
I
CC
和
I
OZ
）发生在CMOS在较高的电压，因此在6 0V的值，应使用
V
IL
限制在V的20 ％目前正在测试
CC
上述V个
IL
V的规格（ 30 ％
CC
）将在不迟于Q1 CY'89实施
2
MM54HC03 MM74HC03四2输入漏极开路与非门
物理尺寸
英寸（毫米）
陶瓷双列直插式封装（J ）
订单号MM54HC03J或MM74HC03J
NS包装数J14A
模压双列直插式封装（ N）
订单号MM74HC03N
NS包装数N14A
生命支持政策
美国国家半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统未经明确的书面许可，国家总统
半导体公司如本文所用
1生命支持设备或系统设备或
其中（ a）打算通过外科手术移植系统
进入体内或（b ）支持或维持生命，其
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明即可
可合理预期会导致在一个显著的伤害
向用户
美国国家半导体公司
公司
1111西巴丁路
阿灵顿德克萨斯州76017
联系电话：1（800 ） 272-9959
传真：1（800 ） 737-7018
2关键部件是一个生命的任何组件
支持设备或系统，其故障执行能
可以合理预期造成的生命的失败
支持设备或系统，或影响其安全性或
效用
美国国家半导体公司
欧洲
传真（
a
49) 0-180-530 85 86
电子邮件cnjwge tevm2 NSC COM
德语电话（
a
49) 0-180-530 85 85
电话英语（
a
49) 0-180-532 78 32
弗兰AIS电话（
a
49) 0-180-532 93 58
意大利语电话（
a
49) 0-180-534 16 80
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13楼直座
海洋中心5广东省
九龙尖沙咀
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电话：（ 852 ） 1637至00年
传真：（ 852 ） 2736-9960
美国国家半导体公司
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电话81-043-299-2309
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