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与三态输出MM54C941 MM74C941八路缓冲器线路接收器线路驱动器
1988年2月
MM54C941 MM74C941八路缓冲器线路接收器
与三态输出线路驱动器
概述
这些八路缓冲器和线路驱动器是单片完井
甘南MOS ( CMOS )与TRI -STATE集成电路
输出,这些输出都经过特殊设计,
驱动高容性负载,如公交导向系统
这些器件具有一个扇出6个低功率肖特基
负载当V
CC
e
5V输入能接受真正的TTL高
和低逻辑电平
特点
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
宽电源电压范围( 3V至15V )
低功耗
TTL兼容(改进的输入)
高容性负载
三态输出
输入保护
20脚双列直插式封装
高输出驱动
连接和逻辑图
双列直插式封装
TL F 5923 - 1
顶视图
订单号MM54C941或MM74C941
TL F 5923 - 2
TRI- STATE是美国国家半导体公司的注册商标。
C
1995年全国半导体公司
TL F 5923
RRD - B30M105印制在U S A
绝对最大额定值
(注1 )
如果是用于军事航空领域的专用设备是必需的
请向美国国家半导体销售
办公经销商咨询具体可用性和规格
电压的任何引脚
工作温度范围(T
A
)
MM54C941
MM74C941
0 3V至V
CC
a
0 3V
b
55 ℃
a
125 C
b
40℃
a
85 C
存储温度范围(T
S
)
功耗(P
D
)
双列直插式
小尺寸
工作V
CC
范围
V
CC
引线温度(T
L
)
(焊接10秒)
b
65℃,以
a
150 C
700毫瓦
500毫瓦
3V至15V
18V
260 C
DC电气特性
符号
CMOS到CMOS
V
IN(1)
V
IN(0)
V
OUT(1)
V
OUT(0)
I
IN(1)
I
IN(0)
I
CC
I
OZ
逻辑' 1', '输入电压
逻辑'' 0 ''输入电压
逻辑' 1 '输出电压
逻辑' 0 '输出电压
逻辑' 1', '输入电流
逻辑'' 0 ''输入电流
电源电流
三态泄漏
参数
最高限额适用于整个温度范围内,除非另有说明
条件
典型值
最大
单位
V
CC
e
5 0V
V
CC
e
10V
V
CC
e
5 0V
V
CC
e
10V
V
CC
e
5 0V我
O
E B
10mA
V
CC
e
10V我
O
E B
10mA
V
CC
e
5 0V我
O
e
10
mA
V
CC
e
10V我
O
e
10
mA
V
CC
e
15V V
IN
e
15V
V
CC
e
15V V
IN
e
0V
V
CC
e
15V
V
CC
e
15V V
OUT
e
0V或15V
25
80
08
20
45
90
05
10
0 005
b
1 0
b
0 005
V
V
V
V
V
V
V
V
mA
mA
300
g
10
10
0 05
mA
mA
CMOS TTL接口
V
IN(1)
V
IN(0)
V
OUT(1)
逻辑' 1', '输入电压
逻辑'' 0 ''输入电压
逻辑' 1 '输出电压
54C V
CC
e
4 5V
74C V
CC
e
4 75V
54C V
CC
e
4 5V
74C V
CC
e
4 75V
54C
74C
54C
74C
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
e
e
e
e
V
CC
b
2 5
V
CC
b
2 5
08
08
V
CC
b
0 4
V
CC
b
0 4
24
24
04
04
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
4 5V I
O
E B
450
mA
4 75V我
O
E B
450
mA
4 5V I
O
E B
2 2毫安
4 75V我
O
E B
2 2毫安
V
OUT(0)
逻辑' 0 '输出电压
54C V
CC
e
4 5V I
O
e
2 2毫安
74C V
CC
e
4 75V我
O
e
2 2毫安
输出驱动器(见54C 74C家族特征数据表)
I
来源
I
来源
I
SINK
I
SINK
输出源电流
( P沟道)
输出源电流
( P沟道)
输出灌电流
( N沟道)
输出灌电流
( N沟道)
V
CC
e
5 0V V
OUT
e
0V
T
A
e
25 C
V
CC
e
10V V
OUT
e
0V
T
A
e
25 C
V
CC
e
5 0V V
OUT
e
V
CC
T
A
e
25 C
V
CC
e
10V V
OUT
e
V
CC
T
A
e
25 C
b
14 0
b
36 0
b
30 0
b
70 0
mA
mA
mA
mA
12 0
48 0
20 0
70
注1
''绝对最大额定值''是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证除'工作温度范围''
它们不意味着暗示该设备应在这些限制下操作的''电气特性“”该表提供了条件,实际的设备
手术
2
AC电气特性
符号
t
pd1
t
pd0
参数
传播延迟
(数据输入到输出)
T
A
e
25 C C
L
e
为50 pF ,除非另有说明
条件
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
e
e
e
e
典型值
70
35
90
45
100
55
最大
140
70
160
90
200
110
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
5 0V
L
e
50 pF的
10V
L
e
50 pF的
5 0V
L
e
150 pF的
10V
L
e
150 pF的
t
IH
t
OH
传播延迟输出
禁止以逻辑电平(从
高阻抗状态)(从
逻辑电平)
传播延迟输出
禁止以逻辑电平(从
高阻态)
转换时间
R
L
e
1的kX
L
e
50 pF的
V
CC
e
5 0V
V
CC
e
210V
R
L
e
1的kX
L
e
50 pF的
V
CC
e
5 0V
V
CC
e
10V
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
e
e
e
e
t
H1
t
H0
100
55
50
30
80
50
100
10
200
110
100
60
160
100
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
t
THL
t
TLH
5 0V
L
e
50 pF的
10V
L
e
50 pF的
5 0V
L
e
150 pF的
10V
L
e
150 pF的
C
PD
功率耗散电容
(每个缓冲器输出使能)
(每个缓冲器输出禁用)
输入电容
(任何输入)
(输出电容)
(禁止输出)
(注3)
C
IN
(注2 )
V
IN
e
0V F
e
1兆赫
T
A
e
25 C
V
IN
e
0V F
e
1兆赫
T
A
e
25 C
10
C
O
10
pF
AC参数都保证了DC相关测试
注1
''绝对最大额定值''是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证除'工作温度范围''
它们不意味着暗示该设备应在这些限制下操作的''电气特性“”该表提供了条件,实际的设备
手术
注2
电容是由周期性检测保证
注3
C
PD
决定任何CMOS器件有关完整说明,请参见54C 74C系列的特点应用笔记的空载交流电耗
AN-90
真值表
OD1
0
0
0
1
1
1
e
0
e
X
e
不在乎
Z
e
三州
OD2
0
0
1
0
1
输入
0
1
X
X
X
产量
0
1
Z
Z
Z
3
典型性能特性
正声道输出
开车25℃
P沟道输出
开车25℃
TL F 5923 - 3
TL F 5923 - 4
传播延迟VS
负载电容
Dt
PD
负载每pF的
电容
TL F 5923 - 5
TL F 5923 - 6
典型用途
TL F 5923 -7
4
AC测试电路和开关时间波形
t
pd0
t
pd1
CMOS到CMOS
TL F 5923-8
TL F 5923 - 9
t
1H
和T
H1
t
1H
t
H1
TL F 5923 -10
TL F 5923 - 11
V
OH
被定义为所述直流输出高电压时,该设备装有
一个1的kX电阻连接到地
t
0H
和T
H0
t
0H
t
H0
TL F 5923 -12
TL F 5923 - 13
延迟测量输入端吨
r
t
f
s
20纳秒
V
OL
被定义为所述直流输出低电压时,该设备装有
1的kX电阻V
CC
5
与三态输出MM54C941 MM74C941八路缓冲器线路接收器线路驱动器
1988年2月
MM54C941 MM74C941八路缓冲器线路接收器
与三态输出线路驱动器
概述
这些八路缓冲器和线路驱动器是单片完井
甘南MOS ( CMOS )与TRI -STATE集成电路
输出,这些输出都经过特殊设计,
驱动高容性负载,如公交导向系统
这些器件具有一个扇出6个低功率肖特基
负载当V
CC
e
5V输入能接受真正的TTL高
和低逻辑电平
特点
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
宽电源电压范围( 3V至15V )
低功耗
TTL兼容(改进的输入)
高容性负载
三态输出
输入保护
20脚双列直插式封装
高输出驱动
连接和逻辑图
双列直插式封装
TL F 5923 - 1
顶视图
订单号MM54C941或MM74C941
TL F 5923 - 2
TRI- STATE是美国国家半导体公司的注册商标。
C
1995年全国半导体公司
TL F 5923
RRD - B30M105印制在U S A
绝对最大额定值
(注1 )
如果是用于军事航空领域的专用设备是必需的
请向美国国家半导体销售
办公经销商咨询具体可用性和规格
电压的任何引脚
工作温度范围(T
A
)
MM54C941
MM74C941
0 3V至V
CC
a
0 3V
b
55 ℃
a
125 C
b
40℃
a
85 C
存储温度范围(T
S
)
功耗(P
D
)
双列直插式
小尺寸
工作V
CC
范围
V
CC
引线温度(T
L
)
(焊接10秒)
b
65℃,以
a
150 C
700毫瓦
500毫瓦
3V至15V
18V
260 C
DC电气特性
符号
CMOS到CMOS
V
IN(1)
V
IN(0)
V
OUT(1)
V
OUT(0)
I
IN(1)
I
IN(0)
I
CC
I
OZ
逻辑' 1', '输入电压
逻辑'' 0 ''输入电压
逻辑' 1 '输出电压
逻辑' 0 '输出电压
逻辑' 1', '输入电流
逻辑'' 0 ''输入电流
电源电流
三态泄漏
参数
最高限额适用于整个温度范围内,除非另有说明
条件
典型值
最大
单位
V
CC
e
5 0V
V
CC
e
10V
V
CC
e
5 0V
V
CC
e
10V
V
CC
e
5 0V我
O
E B
10mA
V
CC
e
10V我
O
E B
10mA
V
CC
e
5 0V我
O
e
10
mA
V
CC
e
10V我
O
e
10
mA
V
CC
e
15V V
IN
e
15V
V
CC
e
15V V
IN
e
0V
V
CC
e
15V
V
CC
e
15V V
OUT
e
0V或15V
25
80
08
20
45
90
05
10
0 005
b
1 0
b
0 005
V
V
V
V
V
V
V
V
mA
mA
300
g
10
10
0 05
mA
mA
CMOS TTL接口
V
IN(1)
V
IN(0)
V
OUT(1)
逻辑' 1', '输入电压
逻辑'' 0 ''输入电压
逻辑' 1 '输出电压
54C V
CC
e
4 5V
74C V
CC
e
4 75V
54C V
CC
e
4 5V
74C V
CC
e
4 75V
54C
74C
54C
74C
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
e
e
e
e
V
CC
b
2 5
V
CC
b
2 5
08
08
V
CC
b
0 4
V
CC
b
0 4
24
24
04
04
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
4 5V I
O
E B
450
mA
4 75V我
O
E B
450
mA
4 5V I
O
E B
2 2毫安
4 75V我
O
E B
2 2毫安
V
OUT(0)
逻辑' 0 '输出电压
54C V
CC
e
4 5V I
O
e
2 2毫安
74C V
CC
e
4 75V我
O
e
2 2毫安
输出驱动器(见54C 74C家族特征数据表)
I
来源
I
来源
I
SINK
I
SINK
输出源电流
( P沟道)
输出源电流
( P沟道)
输出灌电流
( N沟道)
输出灌电流
( N沟道)
V
CC
e
5 0V V
OUT
e
0V
T
A
e
25 C
V
CC
e
10V V
OUT
e
0V
T
A
e
25 C
V
CC
e
5 0V V
OUT
e
V
CC
T
A
e
25 C
V
CC
e
10V V
OUT
e
V
CC
T
A
e
25 C
b
14 0
b
36 0
b
30 0
b
70 0
mA
mA
mA
mA
12 0
48 0
20 0
70
注1
''绝对最大额定值''是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证除'工作温度范围''
它们不意味着暗示该设备应在这些限制下操作的''电气特性“”该表提供了条件,实际的设备
手术
2
AC电气特性
符号
t
pd1
t
pd0
参数
传播延迟
(数据输入到输出)
T
A
e
25 C C
L
e
为50 pF ,除非另有说明
条件
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
e
e
e
e
典型值
70
35
90
45
100
55
最大
140
70
160
90
200
110
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
5 0V
L
e
50 pF的
10V
L
e
50 pF的
5 0V
L
e
150 pF的
10V
L
e
150 pF的
t
IH
t
OH
传播延迟输出
禁止以逻辑电平(从
高阻抗状态)(从
逻辑电平)
传播延迟输出
禁止以逻辑电平(从
高阻态)
转换时间
R
L
e
1的kX
L
e
50 pF的
V
CC
e
5 0V
V
CC
e
210V
R
L
e
1的kX
L
e
50 pF的
V
CC
e
5 0V
V
CC
e
10V
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
e
e
e
e
t
H1
t
H0
100
55
50
30
80
50
100
10
200
110
100
60
160
100
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
t
THL
t
TLH
5 0V
L
e
50 pF的
10V
L
e
50 pF的
5 0V
L
e
150 pF的
10V
L
e
150 pF的
C
PD
功率耗散电容
(每个缓冲器输出使能)
(每个缓冲器输出禁用)
输入电容
(任何输入)
(输出电容)
(禁止输出)
(注3)
C
IN
(注2 )
V
IN
e
0V F
e
1兆赫
T
A
e
25 C
V
IN
e
0V F
e
1兆赫
T
A
e
25 C
10
C
O
10
pF
AC参数都保证了DC相关测试
注1
''绝对最大额定值''是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证除'工作温度范围''
它们不意味着暗示该设备应在这些限制下操作的''电气特性“”该表提供了条件,实际的设备
手术
注2
电容是由周期性检测保证
注3
C
PD
决定任何CMOS器件有关完整说明,请参见54C 74C系列的特点应用笔记的空载交流电耗
AN-90
真值表
OD1
0
0
0
1
1
1
e
0
e
X
e
不在乎
Z
e
三州
OD2
0
0
1
0
1
输入
0
1
X
X
X
产量
0
1
Z
Z
Z
3
典型性能特性
正声道输出
开车25℃
P沟道输出
开车25℃
TL F 5923 - 3
TL F 5923 - 4
传播延迟VS
负载电容
Dt
PD
负载每pF的
电容
TL F 5923 - 5
TL F 5923 - 6
典型用途
TL F 5923 -7
4
AC测试电路和开关时间波形
t
pd0
t
pd1
CMOS到CMOS
TL F 5923-8
TL F 5923 - 9
t
1H
和T
H1
t
1H
t
H1
TL F 5923 -10
TL F 5923 - 11
V
OH
被定义为所述直流输出高电压时,该设备装有
一个1的kX电阻连接到地
t
0H
和T
H0
t
0H
t
H0
TL F 5923 -12
TL F 5923 - 13
延迟测量输入端吨
r
t
f
s
20纳秒
V
OL
被定义为所述直流输出低电压时,该设备装有
1的kX电阻V
CC
5
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    MM74C941J
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
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