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MM74C908 MM74C918双CMOS 30V继电器驱动器
1990年11月
MM74C908 MM74C918双CMOS 30V继电器驱动器
概述
该MM74C908和MM74C918是通用的双
高电压驱动器的每个可输出最小的
250毫安在V
OUT
e
V
CC
b
3V和T
J
e
65 C
该MM74C908和MM74C918由两个CMOS
NAND门驱动射极跟随器达林顿输出到
实现高电流驱动和高电压能力在
的'断'状态的输出可承受最大的
b
30V跨越这些设备驱动程序的CMOS是有用的
接口正常的CMOS电平来驱动继电器
监管层灯等
特点
Y
Y
Y
Y
Y
宽电源电压范围
高噪声抗扰度
低输出' ON '性
高压
HIGH CURRENT
3V至18V
0 45 V
CC
(典型值)
8X (典型值)
b
30V
250毫安
连接图
双列直插式封装
MM74C908
订单号MM74C908
TL F 5912 - 1
顶视图
双列直插式封装
MM74C918
订单号MM74C918
TL F 5912 - 2
顶视图
TRI- STATE是美国国家半导体公司的注册商标。
C
1995年全国半导体公司
TL F 5912
RRD - B30M105印制在U S A
绝对最大额定值
(注1 )
如果是用于军事航空领域的专用设备是必需的
请向美国国家半导体销售
办公经销商咨询具体可用性和规格
电压在任何输入引脚
电压在任何输出引脚
工作温度范围
MM74C908 MM74C918
b
0 3V至V
CC
a
0 3V
工作V
CC
范围
绝对最大V
CC
I
来源
存储温度范围(T
S
)
引线温度(T
L
)
(焊接10秒)
功耗(P
D
)
4V至18V
19V
500毫安
b
65℃,以
a
150 C
32V
b
40℃
a
85 C
260 C
是指最大功率
耗散VS环境
温度曲线图
DC电气特性
符号
CMOS到CMOS
V
IN(1)
V
IN(0)
I
IN(1)
I
IN(0)
I
CC
逻辑' 1', '输入电压
逻辑'' 0 ''输入电压
逻辑' 1', '输入电流
逻辑'' 0 ''输入电流
电源电流
输出' OFF ''压
CMOS LPTTL接口
V
IN(1)
V
IN(0)
逻辑' 1', '输入电压
MM74C908 MM74C918
逻辑'' 0 ''输入电压
MM74C908 MM74C918
输出电压
V
CC
e
4 75V
V
CC
e
4 75V
V
CC
e
5V
V
CC
e
10V
V
CC
e
5V
V
CC
e
10V
参数
最高限额适用于整个温度范围内,除非另有说明
条件
35
80
15
20
0 005
b
1 0
b
0 005
典型值
最大
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
V
V
CC
e
15V V
IN
e
15V
V
CC
e
15V V
IN
e
0V
V
CC
e
15V输出开路
V
IN
e
V
CC
I
OUT
E B
200
mA
10
15
0 05
b
30
V
CC
b
1 5
08
V
CC
b
2 7
V
CC
b
3 0
V
CC
b
3 15
V
CC
b
1 8
V
CC
b
1 9
V
CC
b
2 0
60
75
10
0 55
90
12
18
0 80
110
55
V
V
V
V
V
X
X
X
% C
C宽
C宽
输出驱动器
V
OUT
I
OUT
E B
300毫安V
CC
t
5V牛逼
J
e
25 C
I
OUT
E B
250毫安V
CC
t
5V牛逼
J
e
65 C
I
OUT
E B
175毫安V
CC
t
5V牛逼
J
e
150 C
I
OUT
E B
300毫安V
CC
t
5V牛逼
J
e
25 C
I
OUT
E B
250毫安V
CC
t
5V牛逼
J
e
65 C
I
OUT
E B
175毫安V
CC
t
5V牛逼
J
e
150 C
R
ON
输出电阻
输出电阻
系数
i
JA
热阻
MM74C908 MM74C918
(注3)
(注3)
100
45
AC电气特性
符号
t
pd1
参数
传播延迟
到逻辑' 1 ''
条件
V
CC
e
5V
L
e
50X
C
L
e
50 pF的吨
A
e
25 C
V
CC
e
10V
L
e
50X
C
L
e
50 pF的吨
A
e
25 C
V
CC
e
5V
L
e
50X
C
L
e
50 pF的吨
A
e
25 C
V
CC
e
10V
L
e
50X
C
L
e
50 pF的吨
A
e
25 C
(注2 )
典型值
150
65
20
40
50
最大
300
120
10
20
单位
ns
ns
ms
ms
pF
t
pd0
传播延迟
为逻辑'0 ''
C
IN
输入电容
AC参数都保证了DC相关测试
注1
''绝对最大额定值''是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证除'工作温度范围''
它们不意味着暗示该设备应在这些限制下操作的''电气特性“”该表提供了条件,实际的设备
手术
注2
电容是由周期性检测保证
注3
i
JA
在自由空气中测量装置焊接到印刷电路板
2
典型性能特性
最大功率耗散
VS环境温度
最大V
CC
b
V
OUT
VS我
OUT
典型的我
OUT
vs
典型的V
OUT
典型的我
OUT
VS典型的V
OUT
典型的我
OUT
VS典型的V
OUT
TL F 5912 - 3
AC测试电路
开关时间波形
TL F 5912 - 5
t
r
e
t
f
e
20纳秒
TL F 5912 - 4
3
电源注意事项
计算输出' 'ON '电阻(R
L
l
18X)
'ON '电阻R的输出“
ON
是junc-的函数
化温度T
J
和由下式给出
R
ON
e
9 (T
J
b
25) (0 008)
a
9
和T
J
由下式给出
T
J
e
T
A
a
P
DAV
i
JA
(1)
(2)
其中T
A
e
环境温度
i
JA
e
热RESIST-
ANCE和P
DAV
内的平均功耗
设备P
DAV
由普通CMOS电源方面(由于
漏电流内部电容开关等)
相比于功率耗散这是无关紧要
pated在输出这样的输出功率术语定义
操作的允许范围,并包括两个输出
A和B P
D
由下式给出
(3)
P
D
e
I
OA2
R
ON
a
I
OB2
R
ON
在那里我
O
时,输出电流由下式给出
V
CC
b
V
L
(4)
I
O
e
R
ON
a
R
L
V
L
为负载电压
平均功耗P
DAV
是的函数
占空比
P
DAV
e
I
OA2
R
ON
(占空比
A
)
a
(5)
I
OB2
R
ON
(占空比
B
)
其中占空比的电流源中的%时间
状态代入方程(1)和(5)代入式( 2)的产量
T
J
e
T
A
a
i
JA
9 (T
J
b
25) (0 008)
a
9
(6a)
I
OA2
(占空比
A
)
a
I
OB2
(占空比
B
)
简化
T
J
e
T
A
a
7 2
i
JA
1
b
0 072
i
JA
I
OA2
(占空比
A
)
a
I
OB2
(占空比
B
)
I
OA2
(占空比
A
)
a
I
OB2
(占空比
B
)
TL F 5912 - 6
例如,让V
CC
e
15V
LA
e
100X
LB
e
100X
V
L
e
0V牛逼
A
e
25 C
i
JA
e
110 C宽占空比
A
e
占空比为50%
B
e
75%
假设
ON
e
11X然后
V
CC
b
V
L
15
e
e
135 1毫安
I
OA
e
a
R
LA
a
100
R
ON
11
V
CC
b
V
L
e
135 1毫安
I
OB
e
R
ON
a
R
LB
T
J
e
T
A
a
7 2
i
JA
I
OA2
(占空比
A
)
a
I
OB2
(占空比
B
)
1
b
0 072
i
JA
I
OA2
(占空比
A
)
a
I
OB2
(占空比
B
)
25
a
(7 2) (110) (0 1351)
2
(0 5)
a
(0 1351)
2
(0 75)
1
b
(0 072) (110) (0 1351)
2
(0 5)
a
(0 1351)
2
(0 75)
T
J
e
方程(1)( 4)和( 6b)中所用的迭代甲使用
外径来确定输出电流输出电阻和
结温
T
J
e
52 6 C
和R
ON
e
9 (T
J
b
25) (0 008)
a
9
e
9(52 6
b
25) (0 008)
a
9
e
11X
应用
(见AN- 177申请)
4
物理尺寸
英寸(毫米)
陶瓷双列直插式封装(J )
订单号MM74C918J
NS包装数J14A
模压双列直插式封装( N)
订单号MM74C908N
NS包装数N08E
5
MM74C908 MM74C918双CMOS 30V继电器驱动器
1990年11月
MM74C908 MM74C918双CMOS 30V继电器驱动器
概述
该MM74C908和MM74C918是通用的双
高电压驱动器的每个可输出最小的
250毫安在V
OUT
e
V
CC
b
3V和T
J
e
65 C
该MM74C908和MM74C918由两个CMOS
NAND门驱动射极跟随器达林顿输出到
实现高电流驱动和高电压能力在
的'断'状态的输出可承受最大的
b
30V跨越这些设备驱动程序的CMOS是有用的
接口正常的CMOS电平来驱动继电器
监管层灯等
特点
Y
Y
Y
Y
Y
宽电源电压范围
高噪声抗扰度
低输出' ON '性
高压
HIGH CURRENT
3V至18V
0 45 V
CC
(典型值)
8X (典型值)
b
30V
250毫安
连接图
双列直插式封装
MM74C908
订单号MM74C908
TL F 5912 - 1
顶视图
双列直插式封装
MM74C918
订单号MM74C918
TL F 5912 - 2
顶视图
TRI- STATE是美国国家半导体公司的注册商标。
C
1995年全国半导体公司
TL F 5912
RRD - B30M105印制在U S A
绝对最大额定值
(注1 )
如果是用于军事航空领域的专用设备是必需的
请向美国国家半导体销售
办公经销商咨询具体可用性和规格
电压在任何输入引脚
电压在任何输出引脚
工作温度范围
MM74C908 MM74C918
b
0 3V至V
CC
a
0 3V
工作V
CC
范围
绝对最大V
CC
I
来源
存储温度范围(T
S
)
引线温度(T
L
)
(焊接10秒)
功耗(P
D
)
4V至18V
19V
500毫安
b
65℃,以
a
150 C
32V
b
40℃
a
85 C
260 C
是指最大功率
耗散VS环境
温度曲线图
DC电气特性
符号
CMOS到CMOS
V
IN(1)
V
IN(0)
I
IN(1)
I
IN(0)
I
CC
逻辑' 1', '输入电压
逻辑'' 0 ''输入电压
逻辑' 1', '输入电流
逻辑'' 0 ''输入电流
电源电流
输出' OFF ''压
CMOS LPTTL接口
V
IN(1)
V
IN(0)
逻辑' 1', '输入电压
MM74C908 MM74C918
逻辑'' 0 ''输入电压
MM74C908 MM74C918
输出电压
V
CC
e
4 75V
V
CC
e
4 75V
V
CC
e
5V
V
CC
e
10V
V
CC
e
5V
V
CC
e
10V
参数
最高限额适用于整个温度范围内,除非另有说明
条件
35
80
15
20
0 005
b
1 0
b
0 005
典型值
最大
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
V
V
CC
e
15V V
IN
e
15V
V
CC
e
15V V
IN
e
0V
V
CC
e
15V输出开路
V
IN
e
V
CC
I
OUT
E B
200
mA
10
15
0 05
b
30
V
CC
b
1 5
08
V
CC
b
2 7
V
CC
b
3 0
V
CC
b
3 15
V
CC
b
1 8
V
CC
b
1 9
V
CC
b
2 0
60
75
10
0 55
90
12
18
0 80
110
55
V
V
V
V
V
X
X
X
% C
C宽
C宽
输出驱动器
V
OUT
I
OUT
E B
300毫安V
CC
t
5V牛逼
J
e
25 C
I
OUT
E B
250毫安V
CC
t
5V牛逼
J
e
65 C
I
OUT
E B
175毫安V
CC
t
5V牛逼
J
e
150 C
I
OUT
E B
300毫安V
CC
t
5V牛逼
J
e
25 C
I
OUT
E B
250毫安V
CC
t
5V牛逼
J
e
65 C
I
OUT
E B
175毫安V
CC
t
5V牛逼
J
e
150 C
R
ON
输出电阻
输出电阻
系数
i
JA
热阻
MM74C908 MM74C918
(注3)
(注3)
100
45
AC电气特性
符号
t
pd1
参数
传播延迟
到逻辑' 1 ''
条件
V
CC
e
5V
L
e
50X
C
L
e
50 pF的吨
A
e
25 C
V
CC
e
10V
L
e
50X
C
L
e
50 pF的吨
A
e
25 C
V
CC
e
5V
L
e
50X
C
L
e
50 pF的吨
A
e
25 C
V
CC
e
10V
L
e
50X
C
L
e
50 pF的吨
A
e
25 C
(注2 )
典型值
150
65
20
40
50
最大
300
120
10
20
单位
ns
ns
ms
ms
pF
t
pd0
传播延迟
为逻辑'0 ''
C
IN
输入电容
AC参数都保证了DC相关测试
注1
''绝对最大额定值''是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证除'工作温度范围''
它们不意味着暗示该设备应在这些限制下操作的''电气特性“”该表提供了条件,实际的设备
手术
注2
电容是由周期性检测保证
注3
i
JA
在自由空气中测量装置焊接到印刷电路板
2
典型性能特性
最大功率耗散
VS环境温度
最大V
CC
b
V
OUT
VS我
OUT
典型的我
OUT
vs
典型的V
OUT
典型的我
OUT
VS典型的V
OUT
典型的我
OUT
VS典型的V
OUT
TL F 5912 - 3
AC测试电路
开关时间波形
TL F 5912 - 5
t
r
e
t
f
e
20纳秒
TL F 5912 - 4
3
电源注意事项
计算输出' 'ON '电阻(R
L
l
18X)
'ON '电阻R的输出“
ON
是junc-的函数
化温度T
J
和由下式给出
R
ON
e
9 (T
J
b
25) (0 008)
a
9
和T
J
由下式给出
T
J
e
T
A
a
P
DAV
i
JA
(1)
(2)
其中T
A
e
环境温度
i
JA
e
热RESIST-
ANCE和P
DAV
内的平均功耗
设备P
DAV
由普通CMOS电源方面(由于
漏电流内部电容开关等)
相比于功率耗散这是无关紧要
pated在输出这样的输出功率术语定义
操作的允许范围,并包括两个输出
A和B P
D
由下式给出
(3)
P
D
e
I
OA2
R
ON
a
I
OB2
R
ON
在那里我
O
时,输出电流由下式给出
V
CC
b
V
L
(4)
I
O
e
R
ON
a
R
L
V
L
为负载电压
平均功耗P
DAV
是的函数
占空比
P
DAV
e
I
OA2
R
ON
(占空比
A
)
a
(5)
I
OB2
R
ON
(占空比
B
)
其中占空比的电流源中的%时间
状态代入方程(1)和(5)代入式( 2)的产量
T
J
e
T
A
a
i
JA
9 (T
J
b
25) (0 008)
a
9
(6a)
I
OA2
(占空比
A
)
a
I
OB2
(占空比
B
)
简化
T
J
e
T
A
a
7 2
i
JA
1
b
0 072
i
JA
I
OA2
(占空比
A
)
a
I
OB2
(占空比
B
)
I
OA2
(占空比
A
)
a
I
OB2
(占空比
B
)
TL F 5912 - 6
例如,让V
CC
e
15V
LA
e
100X
LB
e
100X
V
L
e
0V牛逼
A
e
25 C
i
JA
e
110 C宽占空比
A
e
占空比为50%
B
e
75%
假设
ON
e
11X然后
V
CC
b
V
L
15
e
e
135 1毫安
I
OA
e
a
R
LA
a
100
R
ON
11
V
CC
b
V
L
e
135 1毫安
I
OB
e
R
ON
a
R
LB
T
J
e
T
A
a
7 2
i
JA
I
OA2
(占空比
A
)
a
I
OB2
(占空比
B
)
1
b
0 072
i
JA
I
OA2
(占空比
A
)
a
I
OB2
(占空比
B
)
25
a
(7 2) (110) (0 1351)
2
(0 5)
a
(0 1351)
2
(0 75)
1
b
(0 072) (110) (0 1351)
2
(0 5)
a
(0 1351)
2
(0 75)
T
J
e
方程(1)( 4)和( 6b)中所用的迭代甲使用
外径来确定输出电流输出电阻和
结温
T
J
e
52 6 C
和R
ON
e
9 (T
J
b
25) (0 008)
a
9
e
9(52 6
b
25) (0 008)
a
9
e
11X
应用
(见AN- 177申请)
4
物理尺寸
英寸(毫米)
陶瓷双列直插式封装(J )
订单号MM74C918J
NS包装数J14A
模压双列直插式封装( N)
订单号MM74C908N
NS包装数N08E
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MM74C918N
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