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MM74C373 MM74C374三态八路D型锁存器 3态八路D类触发器
1987年10月
修订后的2004年1月
MM74C373 MM74C374
三态八路D型锁存器
三态八路D型触发器
概述
该MM74C373和MM74C374是综合的,完井
提询的MOS (CMOS) , 8位的存储元件与3-
态输出。这些输出还特别
设计用于驱动高电容负载,诸如一个威力
发现驾驶巴士的时候,能有一个风扇出1时
驾驶标准TTL 。当一个高逻辑电平被施加到
输出禁用输入,所有的输出为高
阻抗状态,而不管是什么信号出现在
其它输入端和所述存储元件的状态。
该MM74C373是一个8位锁存器。当锁存使能是
高, Q输出将跟随D输入。当LATCH
ENABLE变低,数据在D输入,满足
建立和保持时间的要求,将在被保留
输出锁存,直到再次启用回报高。
该MM74C374是一个8位,D型,正边沿触发的
触发器。在D输入数据,满足的建立和保持
时间的需求,被转移到上位置的Q输出
时钟输入略去持续转变。
无论是MM74C373和MM74C374正在assem-
放血20脚双列直插式封装0.300 “针岑
字符。
特点
s
宽电源电压范围:
s
低功耗
s
TTL兼容:
扇出1driving标准TTL
s
总线驱动能力
s
三态输出
s
在一个封装八个存储元件
s
单时钟/锁存使能和输出DISPLAY(显示)
ABLE控制输入
s
20脚双列直插式封装与0.300 “中心需要
一个24引脚封装一半的电路板空间
3V至15V
s
高抗干扰性: 0.45 V
CC
(典型值)。
订购代码:
订单号
MM74C373M
(注1 )
MM74C373N
MM74C374N
包装数
M20B
N20A
N20A
包装说明
20引脚小外形集成电路( SOIC ) , JEDEC MS- 013 , 0.300"宽
20引脚塑料双列直插式封装( PDIP ) , JEDEC MS- 001 , 0.300"宽
20引脚塑料双列直插式封装( PDIP ) , JEDEC MS- 001 , 0.300"宽
注1 :
在磁带和卷轴可用的设备也。通过附加的后缀字母“X”的订货代码指定。
2004仙童半导体公司
DS005906
www.fairchildsemi.com
MM74C373 MM74C374
连接图
MM74C373
MM74C374
顶视图
顶视图
真值表
MM74C373
产量
关闭
L
L
L
H
L
=
低逻辑电平
H
=
高逻辑电平
X
=
不相干
MM74C374
D
Q
产量
关闭
H
L
X
X
H
L
Q
高阻
L
L
L
L
时钟
D
Q
LATCH
启用
H
H
L
X


L
H
X
H
L
X
X
X
H
L
Q
Q
高阻

H
=
低到高逻辑电平转变
Q
=
预先存在的输出电平
高阻
=
高阻抗输出状态
www.fairchildsemi.com
2
MM74C373 MM74C374
方框图
(共8个锁存器1 ) MM74C373
MM74C374 ( 1 8触发器)
3
www.fairchildsemi.com
MM74C373 MM74C374
绝对最大额定值
(注2 )
电压的任何引脚
工作温度范围(T
A
)
MM74C373
存储温度范围(T
S
)
功耗
双列直插式
小尺寸
工作V
CC
范围
绝对最大V
CC
引线温度(T
L
)
(焊接, 10秒)
260
°
C
700毫瓦
500毫瓦
3V至15V
18V
注2 :
“绝对最大额定值”是那些价值超过该
该装置的安全性不能得到保证。除了“工作温度
TURE范围“他们并不意味着该设备应能操作
ated这些限制。的“电气特性”表中提供
条件器件的实际工作。
0.3V至V
CC
+
0.3V
55
°
C到
+
125
°
C
65
°
C到
+
150
°
C
DC电气特性
最小/最大限制适用于整个温度范围内,除非另有说明
符号
参数
条件
CMOS到CMOS
V
IN(1)
V
IN(0)
V
OUT(1)
V
OUT(0)
I
IN(1)
I
IN(0)
I
OZ
I
CC
V
IN(1)
V
IN(0)
V
OUT(1)
V
OUT(0)
I
来源
I
来源
I
SINK
I
SINK
逻辑“1”输入电压
逻辑“0”输入电压
逻辑“1”输出电压
逻辑“0”输出电压
逻辑“1”的输入电流
逻辑“0”输入电流
三态泄漏电流
电源电流
逻辑“1”输入电压
逻辑“0”输入电压
逻辑“1”输出电压
逻辑“0”输出电压
输出源电流
输出源电流
输出灌电流
( N沟道)
输出灌电流
( N沟道)
V
CC
=
5V
V
CC
=
10V
V
CC
=
5V
V
CC
=
10V
V
CC
=
5V ,我
O
= 10 A
V
CC
=
10V ,我
O
= 10 A
V
CC
=
5V ,我
O
=
10
A
V
CC
=
10V ,我
O
=
10
A
V
CC
=
15V, V
IN
=
15V
V
CC
=
15V, V
IN
=
0V
V
CC
=
15V, V
O
=
15V
V
CC
=
15V, V
O
=
0V
V
CC
=
15V
V
CC
=
4.75V
V
CC
=
4.75V
V
CC
=
4.75V ,我
O
= 360 A
V
CC
=
4.75V ,我
O
= 1.6
mA
V
CC
=
4.75V ,我
O
=
1.6毫安
V
CC
=
5V, V
OUT
=
0V
T
A
=
25 ° C(注3 )
V
CC
=
10V, V
OUT
=
0V
T
A
=
25 ° C(注3 )
V
CC
=
5V, V
OUT
=
V
CC
T
A
=
25 ° C(注3 )
V
CC
=
10V, V
OUT
=
V
CC
T
A
=
25 ° C(注3 )
24
48
mA
6
12
mA
24
48
mA
12
24
输出驱动器(短路电流)
mA
V
CC
0.4
2.4
0.4
V
CC
1.5
0.8
CMOS / LPTTL接口
V
V
V
V
1.0
1.0
0.005
0.005
0.005
0.005
0.05
300
1.0
4.5
9.0
0.5
1.0
1.0
3.5
8.0
1.5
2.0
V
V
V
V
A
A
A
A
典型值
最大
单位
注3 :
这些都是峰值输出电流能力。连续输出电流,额定功率为最多12毫安。
www.fairchildsemi.com
4
MM74C373 MM74C374
AC电气特性
符号
t
pd0
, t
pd1
参数
传播延迟,
锁存使能到输出
(注4 )
条件
典型值
165
70
195
85
最大
330
140
390
170
ns
单位
MM74C373 ,T
A
=
25
°
C, C
L
=
50 pF的,T
r
=
t
f
=
20毫微秒,除非另有说明
V
CC
=
5V ,C
L
=
50 pF的
V
CC
=
10V ,C
L
=
50 pF的
V
CC
=
5V ,C
L
=
150 pF的
V
CC
=
10V ,C
L
=
150 pF的
t
pd0
, t
pd1
传播延迟数据
在到输出
LATCH ENABLE
=
V
CC
V
CC
=
5V ,C
L
=
50 pF的
V
CC
=
10V ,C
L
=
50 pF的
V
CC
=
5V ,C
L
=
150 pF的
V
CC
=
10V ,C
L
=
150 pF的
t
建立
最小建立时间数据在
到时钟/ LATCH ENABLE
t
HOLD
=
NS 0
V
CC
=
5V
V
CC
=
10V
f
最大
最大LATCH ENABLE
频率
t
威尔斯亲王医院
最低锁存使能
脉冲宽度
t
r
, t
f
t
1H
, t
0H
最大LATCH ENABLE
上升和下降时间
传播延迟输出
禁用于高阻抗
国家(从逻辑电平)
t
H1
, t
H0
传播延迟输出
禁用逻辑电平
(从高阻抗状态)
t
THL
, t
TLH
转换时间
V
CC
=
5V
V
CC
=
10V
V
CC
5V
V
CC
=
10V
V
CC
=
5V
V
CC
=
10V
R
L
=
10K ,C
L
=
5 pF的
V
CC
=
5V
V
CC
=
10V
R
L
=
10K ,C
L
=
50 pF的
V
CC
=
5V
V
CC
=
10V
V
CC
=
5V ,C
L
=
50 pF的
V
CC
=
10V ,C
L
=
50 pF的
V
CC
=
5V ,C
L
=
150 pF的
V
CC
=
10V ,C
L
=
150 pF的
C
LE
C
OD
C
IN
C
OUT
C
PD
输入电容
输入电容
输入电容
输出电容
功率耗散电容
LE输入(注5 )
输出禁用
输入(注5 )
其它输入(注5 )
高阻抗
状态(注5)
每包(注6 )
200
pF
注4 :
AC参数都保证了DC相关测试。
注5 :
电容是由周期性检测保证。
注6 :
C
PD
决定任何CMOS器件的空载交流电耗。有关完整的说明,请参见家族特征应用笔记
AN-90.
155
70
185
85
70
35
3.5
4.5
6.7
9.0
75
55
NA
NA
105
60
105
45
65
35
110
70
7.5
7.5
5
10
310
140
370
170
140
70
ns
ns
兆赫
150
110
ns
s
210
120
210
90
130
70
220
140
10
10
7.5
15
ns
ns
ns
pF
pF
pF
pF
5
www.fairchildsemi.com
MM74C373 MM74C374三态八路D型锁存器 3态八路D类触发器
1987年10月
修订后的1999年1月
MM74C373 MM74C374
三态八路D型锁存器
三态八路D型触发器
概述
该MM74C373和MM74C374是综合的,完井
提询的MOS (CMOS) , 8位的存储元件与3-
态输出。这些输出还特别
设计用于驱动高电容负载,诸如一个威力
发现驾驶巴士的时候,能有一个风扇出1时
驾驶标准TTL 。当一个高逻辑电平被施加到
输出禁用输入,所有的输出为高
阻抗状态,而不管是什么信号出现在
其它输入端和所述存储元件的状态。
该MM74C373是一个8位锁存器。当锁存使能是
高, Q输出将跟随D输入。当LATCH
ENABLE变低,数据在D输入,满足
建立和保持时间的要求,将在被保留
输出锁存,直到再次启用回报高。
该MM74C374是一个8位,D型,正边沿触发的
触发器。在D输入数据,满足的建立和保持
时间的需求,被转移到上位置的Q输出
时钟输入略去持续转变。
无论是MM74C373和MM74C374正在assem-
放血20脚双列直插式封装0.300 “针岑
字符。
特点
s
宽电源电压范围:
s
高抗干扰性:
s
TTL兼容:
扇出1driving标准TTL
s
总线驱动能力
s
三态输出
s
在一个封装八个存储元件
s
单时钟/锁存使能和输出DISPLAY(显示)
ABLE控制输入
s
20脚双列直插式封装与0.300 “中心需要
一个24引脚封装一半的电路板空间
s
低功耗
3V至15V
0.45 V
CC
(典型值)。
订购代码:
订单号
MM74C373M
MM74C373N
MM74C374M
MM74C374N
包装数
M20B
N20A
M20B
N20A
包装说明
20引脚小外形集成电路( SOIC ) , JEDEC MS- 013 , 0.300 “宽
20引脚塑料双列直插式封装( PDIP ) , JEDEC MS- 001 , 0.300 “宽
20引脚小外形集成电路( SOIC ) , JEDEC MS- 013 , 0.300 “宽
20引脚塑料双列直插式封装( PDIP ) , JEDEC MS- 001 , 0.300 “宽
在磁带和卷轴可用的设备也。通过附加的后缀字母“X”的订货代码指定。
1999仙童半导体公司
DS005906.prf
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MM74C373 MM74C374
连接图
引脚分配为DIP和SOIC
MM74C373
MM74C374
顶视图
顶视图
真值表
MM74C373
产量
关闭
L
L
L
H
LATCH
启用
H
H
L
X
H
L
X
X
H
L
Q
高阻
D
Q
产量
关闭
L
L
L
L
H
L
=
低逻辑电平
H
=
高逻辑电平
X
=
不相干
=
低到高逻辑电平转变
Q
=
预先存在的输出电平
高阻
=
高阻抗输出状态
MM74C374
时钟
D
Q


L
H
X
H
L
X
X
X
H
L
Q
Q
高阻

www.fairchildsemi.com
2
MM74C373 MM74C374
方框图
(共8个锁存器1 ) MM74C373
MM74C374 ( 1 8触发器)
3
www.fairchildsemi.com
MM74C373 MM74C374
绝对最大额定值
(注1 )
电压的任何引脚
工作温度范围(T
A
)
MM74C373
存储温度范围(T
S
)
功耗
双列直插式
小尺寸
700毫瓦
500毫瓦
40°C
to
+85°C
65°C
to
+150°C
0.3V
到V
CC
+
0.3V
工作V
CC
范围
绝对最大V
CC
引线温度(T
L
)
(焊接, 10秒)
3V至15V
18V
260°C
注1 :
“绝对最大额定值”是那些价值超过该
该装置的安全性不能得到保证。除了“工作温度
TURE范围“他们并不意味着该设备应能操作
ated这些限制。的“电气特性”表中提供
条件器件的实际工作。
DC电气特性
最小/最大限制适用于整个温度范围内,除非另有说明
符号
CMOS到CMOS
V
IN(1)
V
IN(0)
V
OUT(1)
V
OUT(0)
I
IN(1)
I
IN(0)
I
OZ
I
CC
V
IN(1)
V
IN(0)
V
OUT(1)
V
OUT(0)
I
来源
I
来源
I
SINK
I
SINK
逻辑“1”输入电压
逻辑“0”输入电压
逻辑“1”输出电压
逻辑“0”输出电压
逻辑“1”的输入电流
逻辑“0”输入电流
三态泄漏电流
电源电流
逻辑“1”输入电压
逻辑“0”输入电压
逻辑“1”输出电压
逻辑“0”输出电压
输出源电流
输出源电流
输出灌电流
( N沟道)
输出灌电流
( N沟道)
V
CC
=
5V
V
CC
=
10V
V
CC
=
5V
V
CC
=
10V
V
CC
=
5V ,我
O
= 10 A
V
CC
=
10V ,我
O
= 10 A
V
CC
=
5V ,我
O
=
10
A
V
CC
=
10V ,我
O
=
10
A
V
CC
=
15V, V
IN
=
15V
V
CC
=
15V, V
IN
=
0V
V
CC
=
15V, V
O
=
15V
V
CC
=
15V, V
O
=
0V
V
CC
=
15V
V
CC
=
4.75V
V
CC
=
4.75V
V
CC
=
4.75V ,我
O
= 360 A
V
CC
=
4.75V ,我
O
= 1.6
mA
V
CC
=
4.75V ,我
O
=
1.6毫安
V
CC
=
5V, V
OUT
=
0V
T
A
=
25 ° C(注2 )
V
CC
=
10V, V
OUT
=
0V
T
A
=
25 ° C(注2 )
V
CC
=
5V, V
OUT
=
V
CC
T
A
=
25 ° C(注2 )
V
CC
=
10V, V
OUT
=
V
CC
T
A
=
25 ° C(注2 )
24
48
mA
6
12
mA
24
48
mA
12
24
输出驱动器(短路电流)
mA
V
CC
0.4
2.4
0.4
V
CC
1.5
0.8
CMOS / LPTTL接口
V
V
V
V
V
1.0
1.0
0.005
0.005
0.005
0.005
0.05
300
1.0
4.5
9.0
0.5
1.0
1.0
3.5
8.0
1.5
2.0
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
A
A
参数
条件
典型值
最大
单位
注2 :
这些都是峰值输出电流能力。连续输出电流,额定功率为最多12毫安。
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4
MM74C373 MM74C374
AC电气特性
符号
t
pd0
, t
pd1
参数
传播延迟,
锁存使能到输出
(注3)
条件
典型值
165
70
195
85
最大
330
140
390
170
单位
ns
ns
ns
ns
MM74C373 ,T
A
=
25
°
C, C
L
=
50 pF的,T
r
=
t
f
=
20毫微秒,除非另有说明
V
CC
=
5V ,C
L
=
50 pF的
V
CC
=
10V ,C
L
=
50 pF的
V
CC
=
5V ,C
L
=
150 pF的
V
CC
=
10V ,C
L
=
150 pF的
t
pd0
, t
pd1
传播延迟数据
在到输出
LATCH ENABLE
=
V
CC
V
CC
=
5V ,C
L
=
50 pF的
V
CC
=
10V ,C
L
=
50 pF的
V
CC
=
5V ,C
L
=
150 pF的
V
CC
=
10V ,C
L
=
150 pF的
t
建立
最小建立时间数据在
到时钟/ LATCH ENABLE
f
最大
t
HOLD
=
NS 0
V
CC
=
5V
V
CC
=
10V
最大LATCH ENABLE
频率
t
威尔斯亲王医院
V
CC
=
5V
V
CC
=
10V
最低锁存使能
脉冲宽度
t
r
, t
f
最大LATCH ENABLE
上升和下降时间
t
1H
, t
0H
传播延迟输出
禁用于高阻抗
国家(从逻辑电平)
t
H1
, t
H0
传播延迟输出
禁用逻辑电平
(从高阻抗状态)
t
THL
, t
TLH
转换时间
V
CC
5V
V
CC
=
10V
V
CC
=
5V
V
CC
=
10V
R
L
=
10K ,C
L
=
5 pF的
V
CC
=
5V
V
CC
=
10V
R
L
=
10K ,C
L
=
50 pF的
V
CC
=
5V
V
CC
=
10V
V
CC
=
5V ,C
L
=
50 pF的
V
CC
=
10V ,C
L
=
50 pF的
V
CC
=
5V ,C
L
=
150 pF的
V
CC
=
10V ,C
L
=
150 pF的
C
LE
C
OD
C
IN
C
OUT
C
PD
输入电容
输入电容
输入电容
输出电容
功率耗散电容
LE输入(注4 )
输出禁用
输入(注4 )
其它输入(注4 )
高阻抗
国家(注4 )
每包(注5 )
200
pF
注3 :
AC参数都保证了DC相关测试。
注4 :
电容是由周期性检测保证。
注5 :
C
PD
决定任何CMOS器件的空载交流电耗。有关完整的说明,请参见家族特征应用笔记
AN-90.
155
70
185
85
70
35
310
140
370
170
140
70
ns
ns
ns
ns
ns
ns
3.5
4.5
6.7
9.0
75
55
NA
NA
105
60
105
45
65
35
110
70
7.5
7.5
5
10
210
120
210
90
130
70
220
140
10
10
7.5
15
150
110
兆赫
兆赫
ns
ns
s
s
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
pF
5
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