MM54C221 MM74C221双单稳多谐振荡器
1988年2月
MM54C221 MM74C221双单稳多谐振荡器
概述
该MM54C221 MM74C221双单稳多谐振荡器
是一个单片互补MOS集成电路的每
多谐振荡器有负过渡触发输入
而正过渡触发输入其中任何一个可以的
作为一个禁止输入端和一个清除输入
一次烧制的输出脉冲是独立的进一步
的A和B输入端的转换，并且是在一个功能
外部定时C成分
EXT
和R
EXT
脉冲
宽度是稳定在宽范围的温度和Ⅴ的
CC
脉冲稳定性将通过外部的准确性是有限的
定时元件的脉冲宽度是约DE-
通过关系T被罚
W（出）
C
EXT
R
EXT
进一步
信息和应用程序请参见AN- 138
特点
Y
Y
Y
Y
宽电源电压范围
保证噪声容限
高噪声抗扰度
低功耗TTL兼容
4 5V至15V
1 0V
0 45 V
CC
（典型值）
扇出的2
驾驶74L
连接图
定时元件
双列直插式封装
TL F 5904 - 1
TL F 5904 - 2
顶视图
订单号MM54C221或MM74C221
真值表
输入
明确
L
X
X
H
H
A
X
H
X
L
B
X
X
L
Q
L
L
L
输出
Q
H
H
H
H
L
e
e
e
e
e
e
e
u
v
X
u
H
高层
低层
过渡从低到高
由高向低的转变
一个高电平脉冲
一个低电平脉冲
不相干
v
C
1995年全国半导体公司
TL F 5904
RRD - B30M105印制在U S A
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事航空领域的专用设备是必需的
请向美国国家半导体销售
办公经销商咨询具体可用性和规格
电压的任何引脚
工作温度范围
MM54C221
MM74C221
存储温度范围
b
0 3V至V
CC
a
0 3V
b
55 ℃
a
125 C
b
40℃
a
85 C
b
65℃，以
a
150 C
功耗
双列直插式
小尺寸
工作V
CC
范围
绝对最大V
CC
R
EXT
t
80 V
CC
(X)
引线温度（焊接10秒）
700毫瓦
500毫瓦
4 5V至15V
18V
260 C
DC电气特性
最大
符号
CMOS到CMOS
V
IN(1)
V
IN(0)
V
OUT(1)
V
OUT(0)
I
IN(1)
I
IN(0)
I
CC
I
CC
逻辑' 1'， '输入电压
逻辑'' 0 ''输入电压
逻辑' 1 '输出电压
逻辑' 0 '输出电压
逻辑' 1'， '输入电流
逻辑'' 0 ''输入电流
电源电流（待机）
电源电流
（在输出脉冲）
参数
分限制适用整个温度范围内，除非另有说明
条件
民
典型值
最大
单位
V
CC
e
5V
V
CC
e
10V
V
CC
e
5V
V
CC
e
10V
V
CC
e
5V I
O
E B
10
mA
V
CC
e
10V我
O
E B
10
mA
V
CC
e
5V I
O
E A
10
mA
V
CC
e
10V我
O
E A
10
mA
V
CC
e
15V V
IN
e
15V
V
CC
e
15V V
IN
e
0V
V
CC
e
15V
EXT
e
%
Q1 Q2
e
逻辑'' 0 '' （注3 ）
V
CC
e
15V Q1
e
逻辑' 1'， '
Q2
e
逻辑'' 0 ''
（图4）
V
CC
e
5V Q1
e
逻辑' 1'， '
Q2
e
逻辑'' 0 ''
（图4）
35
80
15
20
45
90
05
1
0 005
b
1 0
b
0 005
V
V
V
V
V
V
V
V
mA
mA
300
mA
mA
mA
30
mA
10
0 05
15
2
0 01
漏电流在R C
EXT
针
CMOS LPTTL接口
V
IN(1)
V
IN(0)
V
OUT(1)
V
OUT(0)
逻辑' 1'， '输入电压
逻辑'' 0 ''输入电压
逻辑' 1 '输出电压
逻辑' 0 '输出电压
V
CC
e
15V V
CEXT
e
5V
54C V
CC
e
4 5V
74C V
CC
e
4 75V
54C V
CC
e
4 5V
74C V
CC
e
4 75V
54C V
CC
e
4 5V I
O
E B
360
mA
74C V
CC
e
4 75V我
O
E B
360
mA
54C V
CC
e
4 5V I
O
e
360
mA
74C V
CC
e
4 75V我
O
e
360
mA
V
CC
b
1 5
V
CC
b
1 5
08
08
24
24
04
04
V
V
V
V
V
V
V
V
输出驱动器（见54C 74C家族特征数据表） （短路电流）
I
来源
I
来源
I
SINK
I
SINK
输出源电流
（ P沟道）
输出源电流
（ P沟道）
输出灌电流
（ N沟道）
输出灌电流
（ N沟道）
V
CC
e
5V
T
A
e
25℃ V
OUT
e
0V
V
CC
e
10V
T
A
e
25℃ V
OUT
e
0V
V
CC
e
5V
T
A
e
25℃ V
OUT
e
V
CC
V
CC
e
10V
T
A
e
25℃ V
OUT
e
V
CC
b
1 75
b
8
mA
mA
mA
mA
1 75
8
2
AC电气特性
符号
t
PD A B
t
PD CL
t
S
t
W（ A，B ）
t
W（ CL）的
t
W（出）
参数
从触发传播延迟
输入（ A，B ），以输出Q
从透明传输延迟
输入（ CL ）为输出Q
时间在此之前触发输入（ A，B ）
该清除必须设置
触发输入（ A，B ）脉冲宽度
清除输入（ CL ）脉冲宽度
Q或Q输出脉冲宽度
T
A
e
25 C C
L
e
为50 pF ，除非另有说明
条件
V
CC
e
5V
V
CC
e
10V
V
CC
e
5V
V
CC
e
10V
V
CC
e
5V
V
CC
e
10V
V
CC
e
5V
V
CC
e
10V
V
CC
e
5V
V
CC
e
10V
V
CC
e
5V
EXT
e
10k
C
EXT
e
0 pF的
V
CC
e
10V
EXT
e
10k
C
EXT
e
0 pF的
V
CC
e
15V
EXT
e
10k
C
EXT
e
0 pF的
V
CC
e
5V
EXT
e
10k
C
EXT
e
1000 pF的
（图1）
V
CC
e
10V
EXT
e
10k
C
EXT
e
1000 pF的
（图1）
V
CC
e
15V
EXT
e
10k
C
EXT
e
1000 pF的
（图1）
V
CC
e
5V
EXT
e
10k
C
EXT
e
0 1
mF
（图2）
V
CC
e
10V
EXT
e
10k
C
EXT
e
0 1
mF
（图2）
V
CC
e
15V
EXT
e
10k
C
EXT
e
0 1
mF
（图2）
90
90
89
900
900
900
150
60
150
70
150
70
民
典型值
250
120
250
120
50
20
50
30
50
30
900
350
320
10 6
10
98
1020
1000
990
50
25
16 7
12 2
11
10 8
1200
1100
1100
150
65
45
90
90
15
5
25
最大
500
250
500
250
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ms
ms
ms
ms
ms
X
X
X
%
%
pF
pF
R
ON
晶体管的电阻
R C之间
EXT
到C
EXT
输出占空比
V
CC
e
5V （注4 ）
V
CC
e
10V （注4 ）
V
CC
e
15V （注4 ）
R
e
10K
e
1000 pF的
R
e
10K
e
0 1
mF
（注5 ）
R C
EXT
输入（注2 ）
其它输入（注2 ）
C
IN
输入电容
AC参数都保证了DC相关测试
注1
''绝对最大额定值''是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证除'工作温度范围''
它们不意味着暗示该设备应在这些限制下操作的''电气特性“”该表提供了条件，实际的设备
手术
注2
电容是由周期性检测保证
注3
在待机状态（Q
e
逻辑'' 0 '' ）的耗散功率等于漏电流加V
CC
R
EXT
注4
见AN- 138的详细解释
ON
注5
最大输出占空比
e
R
EXT
R
EXT
a
1000
3
MM74C221双单稳多谐振荡器
1987年11月
修订后的1999年1月
MM74C221
双单稳多谐振荡器
概述
该MM74C221双单稳态多谐振荡器是单
岩屑互补MOS集成电路。每个multivi-
brator有负过渡触发输入和
正型过渡触发输入，其中任一个可以是
作为一个禁止输入端，和一个明确的输入。
一次烧成时，输出脉冲为独立的进一步
的A和B输入端的转换，并且是在一个功能
外部定时C成分
EXT
和R
EXT
。脉冲
宽度是稳定在宽范围的温度和Ⅴ的
CC
.
脉冲稳定性将通过外部的准确性是有限的
定时元件。脉冲宽度为大约
由关系吨定义
W（出）
≈
C
EXT
R
EXT
。为进一
疗法的信息和应用程序，请参阅AN- 138 。
特点
s
宽电源电压范围：
s
保证噪声容限：
s
高抗干扰性：
4.5V至15V
1.0V
0.45 V
CC
（典型值）。
扇出2驾驶74L
s
低功耗TTL兼容：
订购代码：
订单号
74MMC221N
包装数
N16E
包装说明
16引脚塑料双列直插式封装（ PDIP ） ， JEDEC MS- 001 ， 0.300 “宽
连接图
定时元件
真值表
输入
明确
L
X
X
H
H
A
X
H
X
L
↓
B
X
X
L
↑
H
输出
Q
L
L
Q
H
H
引脚分配为DIP
H
=
高层
=
一个高电平脉冲
L
=
低层
=
一个低电平脉冲
↑ =
从过渡低到高
X =无关
↓ =
从从高至低
L
H
顶视图
1999仙童半导体公司
DS005904.prf
www.fairchildsemi.com
QQ：2880707522 复制
