MM54C200,MM74C200
MM54C200 MM74C200 256位三态随机存取存储器读/写
文献编号： SNOS329A
MM54C200 MM74C200 256位三态随机读写存储器
1988年2月
MM54C200 MM74C200 256位三态
随机读写存储器
概述
该MM54C200 MM74C200是一个256位的随机接入
读写存储器的输入包括8条地址线
三芯片使八个二进制地址输入
内部解码，选择每个256位置
内部地址寄存器锁存器和地址信息
都在积极为CE的下降沿
3
该三
状态数据输出线与CE协同工作
1
or
CE
2
输入提供了方便的内存扩展
地址操作
地址输入必须保持稳定吨
SA
革命制度党
或到正与CE的负跳变
3
因此，它是
无需持有的地址信息稳定更多
于T
HA
启用内存后（正到负
过渡）
记
的定时是从DM74200不同在于，一个正到负
行政长官过渡
3
必须发生的存储器将被选择
无论是持有CE
1
CE
2
或CE
3
在一个较高的水平迫使
在总线组织系输出入TRI- STATE使用时
TEMS CE
1
或CE
2
三态控制提供了快速
通过不完全禁用芯片的存取时间
写操作
数据被写入到与CE中的存储器
3
CE低和WE低的状态
1
或CE
2
有没有影响
在写周期的输出呈三态与WE
低
Y
Y
Y
Y
宽电源电压范围
保证噪声容限
高噪声抗扰度
TTL兼容
低功耗
内部地址寄存器
读操作
的数据被读出，通过选择
正确的地址，并把CE
3
低， WE高
逻辑连接图
O
TL F 5903 - 1
TRI- STATE是美国国家半导体公司的注册商标。
C
1995年全国半导体公司
TL F 5903
bs
ol
et
Y
Y
e
3V至15V
1V
0 45 V
CC
（典型值）
扇出1
驾驶标准TTL
500净重（典型值）
双列直插式封装
TL F 5903 - 2
特点
顶视图
订单号MM54C200或
MM74C200
RRD - B30M105印制在U S A
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事航空领域的专用设备是必需的
请向美国国家半导体销售
办公经销商咨询具体可用性和规格
电压的任何引脚
工作温度范围（T
A
)
MM54C200
MM74C200
存储温度范围（T
S
)
b
0 3V至V
CC
a
0 3V
b
55 ℃
a
125 C
b
40℃
a
85 C
b
65℃，以
a
150 C
功耗（P
D
)
双列直插式
小尺寸
工作V
CC
范围
绝对最大V
CC
引线温度（T
L
)
（焊接10秒）
700毫瓦
500毫瓦
3V至15V
18V
260 C
DC电气特性
民
符号
CMOS到CMOS
V
IN(1)
V
IN(0)
V
OUT(1)
V
OUT(0)
I
IN(1)
I
IN(0)
I
CC
逻辑' 1'， '输入电压
逻辑'' 0 ''输入电压
逻辑' 1 '输出电压
逻辑' 0 '输出电压
逻辑' 1'， '输入电流
逻辑'' 0 ''输入电流
电源电流
参数
最高限额适用于整个温度范围内，除非另有说明
条件
民
典型值
最大
单位
V
CC
e
5V
V
CC
e
10V
V
CC
e
5V
V
CC
e
10V
V
CC
e
5V I
O
eb
10
mA
V
CC
e
10V我
O
eb
10
mA
V
CC
e
5V I
O
E A
10
mA
V
CC
e
10V我
O
E A
10
mA
V
CC
e
15V V
IN
e
15V
V
CC
e
15V V
IN
e
0V
V
CC
e
15V
35
8
15
2
45
9
V
V
V
V
V
V
CMOS TTL接口
V
IN(1)
V
IN(0)
V
OUT(1)
V
OUT(0)
逻辑' 1'， '输入电压
逻辑'' 0 ''输入电压
bs
ol
54C V
CC
e
4 5V
74C V
CC
e
4 75V
54C V
CC
e
4 5V I
O
eb
1 6毫安
74C V
CC
e
4 75V我
O
eb
1 6毫安
54C V
CC
e
4 5V I
O
e
1 6毫安
74C V
CC
e
4 75V我
O
e
1 6毫安
24
24
V
CC
e
5V V
OUT
e
0V
T
A
e
25 C
b
4
b
1 8
b
16
b
1 5
54C V
CC
e
4 5V
74C V
CC
e
4 75V
et
0 005
1
b
1
b
0 005
逻辑' 1 '输出电压
逻辑' 0 '输出电压
输出驱动器（见54C 74C家族特征数据表） （短路电流）
I
来源
I
来源
I
SINK
I
SINK
输出源电流
（ P沟道）
输出源电流
（ P沟道）
输出灌电流
（ N沟道）
输出灌电流
（ N沟道）
V
CC
e
10V V
OUT
e
0V
T
A
e
25 C
O
V
CC
e
5V V
OUT
e
V
CC
T
A
e
25 C
V
CC
e
10V V
OUT
e
V
CC
T
A
e
25 C
注1
''绝对最大额定值''是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证除'工作温度范围''
它们不意味着暗示该设备应在这些限制下操作的''电气特性“”该表提供了条件，实际的设备
手术
2
e
05
1
V
V
mA
mA
mA
01
600
V
CC
b
1 5
V
CC
b
1 5
V
V
V
V
V
V
04
V
08
08
b
6
mA
mA
mA
mA
mA
mA
b
25
5
8
20
30
AC电气特性
符号
t
加
t
pd
t
pCE1
t
SA
t
HA
t
WE
t
CE
C
IN
C
OUT
C
PD
参数
从地址访问时间
从CE传输延迟
3
T
A
e
25 C C
L
e
为50 pF ，除非另有说明
条件
V
CC
e
5V
V
CC
e
10V
V
CC
e
5V
V
CC
e
10V
V
CC
e
5V
V
CC
e
10V
V
CC
e
5V
V
CC
e
10V
V
CC
e
5V
V
CC
e
10V
V
CC
e
5V
V
CC
e
10V
V
CC
e
5V
V
CC
e
10V
200
100
50
25
300
150
400
160
民
典型值
450
200
360
120
250
85
80
30
15
50
160
70
200
80
50
90
最大
900
400
700
300
700
200
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
从CE传输延迟
1
或CE
2
地址建立时间
地址保持时间
写使能脉冲宽度
CE
3
脉冲宽度
输入容量
三态输出容量
功率耗散能力
任何输入（注2 ）
（注2 ）
（注3）
C
L
e
50 pF的
AC电气特性
符号
参数
条件
et
MM54C200
MM74C200
T
A
eb
55 ℃
a
125 C
民
最大
民
最大
1200
520
950
400
650
300
850
360
600
275
250
120
100
50
450
225
500
250
50
25
250
120
100
50
400
200
460
230
50
25
3
e
400
T
A
eb
40℃
a
85 C
1100
480
单位
t
pd
t
pdCE1
t
SA
t
HA
t
WE
t
CE
t
HD
bs
ol
从CE传输延迟
3
传输延迟
CE
1
或CE
2
地址建立时间
地址保持时间
V
CC
e
5V
V
CC
e
10V
V
CC
e
5V
V
CC
e
10V
V
CC
e
5V
V
CC
e
10V
V
CC
e
5V
V
CC
e
10V
V
CC
e
5V
V
CC
e
10V
写使能脉冲宽度
禁止脉冲宽度
数据保持时间
V
CC
e
5V
V
CC
e
10V
V
CC
e
5V
V
CC
e
10V
t
加
从地址访问时间
V
CC
e
5V
V
CC
e
10V
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
O
AC参数都保证了DC相关测试
注1
''绝对最大额定值''是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证除'工作温度范围''
它们不意味着暗示该设备应在这些限制下操作的''电气特性“”该表提供了条件，实际的设备
手术
注2
电容是由周期性检测保证
注3
C
PD
决定任何CMOS器件有关完整说明，请参见54C 74C系列的特点应用笔记的空载交流电耗
AN-90
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