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MM5Z2V0~MM5Z75
硅平面齐纳二极管
特点
标准齐纳击穿电压范围
2.0 V至75 V
稳态额定功率为200毫瓦
钉扎
针
1
2
1
描述
阴极
阳极
2
顶视图
简体外形SOD- 523和符号
绝对最大额定值（T
a
= 25
O
C)
参数
设备总Dissipaton
结温和存储温度范围
符号
P
合计
T
j
, T
英镑
价值
200
- 65至+ 150
单位
mW
O
C
特点在T
a
= 25
O
C
参数
正向电压
在我
F
= 10毫安
符号
V
F
马克斯。
0.9
单位
V
１　
金隅
半导体
www.htsemi.com
Ｄ½½½：２０１１／０５
MM5Z2V0~MM5Z75
齐纳电压
TYPE
记号
CODE
分钟。
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MM5Z2V2
MM5Z2V4
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MM5Z3V6
MM5Z3V9
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MM5Z4V7
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MM5Z68
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1)
1)
齐纳阻抗
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-
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500
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2.2
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马克斯。
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44
48
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64
70
测试了脉冲TP = 20毫秒。
１　
金隅
半导体
www.htsemi.com
Ｄ½½½：２０１１／０５
MM5Z2V0~MM5Z75
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功耗： P合计（MW ）
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O
150
降额曲线
１　
金隅
半导体
www.htsemi.com
Ｄ½½½：２０１１／０５
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包装外形
塑料表面贴装封装; 2引线
SOD-523
全面
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5
O
１　
金隅
半导体
www.htsemi.com
Ｄ½½½：２０１１／０５
MM5Z2V0~MM5Z75
硅平面齐纳二极管
特点
标准齐纳击穿电压范围
2.0 V至75 V
稳态额定功率为200毫瓦
钉扎
针
1
2
1
描述
阴极
阳极
2
顶视图
简体外形SOD- 523和符号
绝对最大额定值（T
a
= 25
O
C)
参数
设备总Dissipaton
结温和存储温度范围
符号
P
合计
T
j
, T
英镑
价值
200
- 65至+ 150
单位
mW
O
C
特点在T
a
= 25
O
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参数
正向电压
在我
F
= 10毫安
符号
V
F
马克斯。
0.9
单位
V
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 19/04/2007
MM5Z2V0~MM5Z75
齐纳电压
TYPE
记号
CODE
分钟。
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E9
F9
G9
H9
I9
J9
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2.08
2.2
2.5
2.8
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3.4
3.7
4
4.4
4.8
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5.8
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7.7
8.5
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20.8
22.8
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34
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测试了脉冲TP = 20毫秒。
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 19/04/2007
MM5Z2V0~MM5Z75
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功耗： P合计（MW ）
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0
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环境温度： TA（ C）
O
150
降额曲线
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 19/04/2007
MM5Z2V0~MM5Z75
包装外形
塑料表面贴装封装; 2引线
SOD-523
∠
全面
A
C
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E
1.7
1.5
V
0.1
∠
5
O
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 19/04/2007
MM5Z2V0~MM5Z75
硅平面齐纳二极管
特点
标准齐纳击穿电压范围
2.0 V至75 V
稳态额定功率为200毫瓦
钉扎
针
1
2
1
描述
阴极
阳极
2
顶视图
简体外形SOD- 523和符号
绝对最大额定值（T
a
= 25
O
C)
参数
设备总Dissipaton
结温和存储温度范围
符号
P
合计
T
j
, T
英镑
价值
200
- 65至+ 150
单位
mW
O
C
特点在T
a
= 25
O
C
参数
正向电压
在我
F
= 10毫安
符号
V
F
马克斯。
0.9
单位
V
１　
金隅
半导体
www.htsemi.com
Ｄ½½½：２０１１／０５
MM5Z2V0~MM5Z75
齐纳电压
TYPE
记号
CODE
分钟。
MM5Z2V0
MM5Z2V2
MM5Z2V4
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MM5Z43
MM5Z47
MM5Z51
MM5Z56
MM5Z62
MM5Z68
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1)
1)
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在升
ZT
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-
-
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I
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喃。
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马克斯。
2.15
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mA
5
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70
测试了脉冲TP = 20毫秒。
１　
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300
功耗： P合计（MW ）
200
100
0
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25
100
环境温度： TA（ C）
O
150
降额曲线
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包装外形
塑料表面贴装封装; 2引线
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全面
A
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单位
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１　
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