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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第385页 > MM5Z2V2
MM5Z2V0~MM5Z75
硅平面齐纳二极管
特点
标准齐纳击穿电压范围
2.0 V至75 V
稳态额定功率为200毫瓦
钉扎
1
2
1
描述
阴极
阳极
2
顶视图
简体外形SOD- 523和符号
绝对最大额定值(T
a
= 25
O
C)
参数
设备总Dissipaton
结温和存储温度范围
符号
P
合计
T
j
, T
英镑
价值
200
- 65至+ 150
单位
mW
O
C
特点在T
a
= 25
O
C
参数
正向电压
在我
F
= 10毫安
符号
V
F
马克斯。
0.9
单位
V
1 
金隅
半导体
www.htsemi.com
D½½½:2011/05
MM5Z2V0~MM5Z75
齐纳电压
TYPE
记号
CODE
分钟。
MM5Z2V0
MM5Z2V2
MM5Z2V4
MM5Z2V7
MM5Z3V0
MM5Z3V3
MM5Z3V6
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MM5Z4V3
MM5Z4V7
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MM5Z68
MM5Z75
1)
1)
齐纳阻抗
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100
100
100
100
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55
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Z
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-
-
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1000
1000
1000
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500
500
500
500
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ZK
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-
-
1
1
1
1
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1
1
1
1
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1
1
1
1
1
1
1
1
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1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
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120
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0.2
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V
ZT
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2.2
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47
51
56
62
68
75
马克斯。
2.15
2.33
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5
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1
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58
64
70
测试了脉冲TP = 20毫秒。
1 
金隅
半导体
www.htsemi.com
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MM5Z2V0~MM5Z75
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0
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O
150
降额曲线
1 
金隅
半导体
www.htsemi.com
D½½½:2011/05
MM5Z2V0~MM5Z75
包装外形
塑料表面贴装封装; 2引线
SOD-523
全面
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H
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1.5
V
0.1
5
O
1 
金隅
半导体
www.htsemi.com
D½½½:2011/05
MM5Z2V0~MM5Z75
硅平面齐纳二极管
特点
标准齐纳击穿电压范围
2.0 V至75 V
稳态额定功率为200毫瓦
钉扎
1
2
1
描述
阴极
阳极
2
顶视图
简体外形SOD- 523和符号
绝对最大额定值(T
a
= 25
O
C)
参数
设备总Dissipaton
结温和存储温度范围
符号
P
合计
T
j
, T
英镑
价值
200
- 65至+ 150
单位
mW
O
C
特点在T
a
= 25
O
C
参数
正向电压
在我
F
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符号
V
F
马克斯。
0.9
单位
V
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
(子公司
泰丰国际集团有限公司,公司
在香港联交所上市,股票代码: 724 )
日期: 19/04/2007
MM5Z2V0~MM5Z75
齐纳电压
TYPE
记号
CODE
分钟。
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-
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-
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RD
RE
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18.8
20.8
22.8
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40
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48
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58
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测试了脉冲TP = 20毫秒。
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
(子公司
泰丰国际集团有限公司,公司
在香港联交所上市,股票代码: 724 )
日期: 19/04/2007
MM5Z2V0~MM5Z75
300
功耗: P合计(MW )
200
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0
0
25
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O
150
降额曲线
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
(子公司
泰丰国际集团有限公司,公司
在香港联交所上市,股票代码: 724 )
日期: 19/04/2007
MM5Z2V0~MM5Z75
包装外形
塑料表面贴装封装; 2引线
SOD-523
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A
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A
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单位
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D
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1.15
E
0.85
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H
E
1.7
1.5
V
0.1
5
O
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
(子公司
泰丰国际集团有限公司,公司
在香港联交所上市,股票代码: 724 )
日期: 19/04/2007
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    MM5Z2V2
    -
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    -
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电话:0755-83259954/0755-82701784
联系人:李小姐/李先生/罗小姐/汪先生
地址:福田区振华路华乐楼615室
MM5Z2V2
ST
1148+
50000
SOD-523
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