MM58274C微处理器兼容实时时钟
1991年4月
MM58274C
微处理器兼容实时时钟
概述
该MM58274C使用门槛低金属栅极制造
CMOS技术和设计在总线orient-操作
ED微处理器系统中实时时钟和校准 -
endar功能是必需的片上32 768千赫兹晶体
压控振荡器将保持报时下降到2 2V
允许低功耗待机电池操作本设备
引脚与MM58174A但兼容的继续timekeep-
荷兰国际集团长达数十年的MM58274C是直接替换 -
换货的MM58274提供改进的总线访问周期
时
特点
Y
Y
Y
Y
Y
Y
应用
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
销售终端点
出纳终端
文字处理器
数据记录
工业过程控制
相同的引脚输出为MM58174A
MM58274B
和
MM58274
从十分之一秒的计时，以几十年中
独立访问的寄存器
闰年登记
时间计数器可编程的12或24小时
手术
在测试模式下缓冲的晶振频率输出，方便
振荡器的设定
数据改变标志允许简单的测试时间
侧翻
独立的中断时间与开漏输出
完全兼容TTL
低功耗待机操作（ 10
mA
2 2V ）
低成本的16引脚DIP和20引脚PCC
框图
TL F 11219 - 1
图1
TRI- STATE是美国国家半导体公司的注册商标。
面包车
TM
是美国国家半导体公司的商标。
C
1995年全国半导体公司
TL F 11219
RRD - B30M105印制在U S A
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事航空领域的专用设备是必需的
请向美国国家半导体销售
办公经销商咨询具体可用性和规格
DC输入或输出电压
DC输入或输出二极管的电流
贮藏温度T
英镑
电源电压V
DD
功耗P
D
焊接温度
（焊接10秒）
b
0 3V至V
DD
a
0 3V
g
5 0毫安
工作条件
工作电源电压
待机模式下电源电压
DC输入或输出电压
工作温度范围
民
45
22
0
b
40
最大
55
55
V
DD
85
单位
V
V
V
C
b
65℃，以
a
150 C
6 5V
500毫瓦
260
电气特性
V
DD
e
5V
g
10%
符号
V
IH
参数
输入高电平
电压（除
XTAL IN）
低电平输入
电压（除
XTAL IN）
高电平输出
电压（ DB0 - DB3 ）
高电平输出
电压（ INT）的
低电平输出
电压（ DB0 - DB3
INT ）
低电平输入电流
（ AD0 - AD3 DB0 - DB3 ）
低电平输入电流
（ WR RD ）
低电平输入电流
（ CS ）
输出中高层
泄漏电流（ INT）的
平均电源电流
I
OH
E B
20
mA
I
OH
E B
1 6毫安
I
OH
E B
20
mA
（在测试模式下）
I
OL
e
20
mA
i
OL
e
1 6毫安
T
E B
40℃
a
85 C除非另有说明
民
20
典型值
最大
单位
V
条件
V
IL
08
V
V
OH
V
OH
V
OL
V
DD
b
0 1
37
V
DD
b
0 1
01
04
b
5
b
5
b
5
b
80
b
190
b
550
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
I
IL
I
IL
I
IL
I
OZH
I
DD
V
IN
e
V
SS
（注2 ）
V
IN
e
V
SS
（注2 ）
V
IN
e
V
SS
（注2 ）
V
OUT
e
V
DD
所有V
IN
e
V
CC
或开路
V
DD
e
2 2V （待机模式）
V
DD
e
5 0V （主动模式）
20
4
5
10
1
10
mA
mA
pF
pF
C
IN
C
OUT
输入电容
输出电容
（输出禁用）
10
注1
绝对最大额定值超出其损害可能发生对地参考电压的所有设备，除非另有说明，否则这些值
注2
该DB0 - DB3和AD0 - AD3线都有积极的P沟道上拉晶体管将输出电流的CS RD和WR具有内部上拉
电阻到V
DD
2
AC开关特性
读时序数据从外周微处理器
V
DD
e
5V
g
0 5V
L
e
100 pF的
广告
规范
T
A
E B
40℃
a
85 C
民
t
AD
t
惩教署
t
RD
t
RW
t
RA
t
CSH
t
RH
t
HZ
地址总线有效到数据有效
芯片选择上，以数据有效
读选通论到数据有效
读选通脉冲宽度（注3注7 ）
地址总线保持时间从后缘
读选通的
从后缘片选保持时间
读选通的
数据保持时间从后缘
读选通的
从读选通的后沿时间
直到O·P驱动器为三态
0
0
70
160
250
典型值
390
140
140
最大
650
300
300
DC
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
参数
单位
写时序数据来自微处理器外围
V
DD
e
5V
g
0 5V
广告
规范
T
A
E B
40℃
a
85 C
民
t
AW
t
CSW
t
DW
t
WW
t
WCS
t
WA
t
WD
t
AWS
地址总线有效到写选通
O
（注4注6 ）
片选就写选通
O
数据总线有效到写选通
O
写选通脉冲宽度（注6 ）
芯片选择保持时间之后
写选通
O
地址总线保持时间之后
写选通
O
数据总线保持时间之后
写选通
O
地址总线才有效
开始写选的
400
250
400
250
0
0
100
70
35
20
典型值
125
100
220
95
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
参数
单位
注3
除特殊情况限制在中断程序的最大读取控制寄存器的选通脉冲宽度（ ADDR 0 ）为30ms见的中断
程序设计
注4
测到写选通脉冲的后沿所有的定时（锁存由WR的后沿数据）
注5
输入测试波形的峰值电压2 4V和0 4V的输出信号被测量到其2 4V和0 4V级别
注6
写选通脉冲作为写入时序表中使用的定义为周期当两个片选和写输入是低的，即WS
e
CS
a
WR因此写
选通开始时两个信号变低并终止时的第一信号返回高
注7：
读选通信号中的读时序表中使用的定义为周期当两个芯片选择和读输入是低的，即RS
e
CS
a
RD
注8
典型值是在V
CC
e
5 0V和T
A
e
25 C
3
开关时间波形
读周期时序（注5,7 ）
TL F 11219 - 2
写周期时序（注5,6 ）
TL F 11219 - 3
连接图
PCC包
双列直插式封装
顶视图
TL F 11219 -4
TL F 11219 - 5
顶视图
图2
订单号MM58274CJ MM58274CN或MM58274CV
见NS包装J16A N16A或V20A
4
功能说明
该MM58274C是一个面向总线的微处理器实时
时钟它具有相同的引脚输出为MM58174A而优惠 -
ING扩展报时长达单位多年，几十到
提升装置还一些其它特征已
增加了包括12或24小时计可测试
数据改变标志给人轻松无差错的时间阅读和
简化的中断控制
出现在中断输出端的缓冲振荡器信号
当器件处于测试模式时，此允许容易振荡
当设备被初始加电时在一个系器设置
统
计数器被设置为4位字，并且可以是随机
domly访问的时间读取和设置的计数器
在BCD输出（二进制编码的十进制） 4位数字的任何
寄存器，具有不少于4位的周用途（例如天
只有3位）将返回一个逻辑0的任何未使用的位当
写入未使用的输入将被忽略
写逻辑1到时钟启动停止控制位复位
内部振荡器分频链和秒的十分之一
计数器写入逻辑0将开始从时钟时间
然后精确到秒的时间来更新每100毫秒
所有的柜台更改时间同步过程中改变
读取通过检测的数据改变的比特检测
控制寄存器完成时钟寄存器的字符串后，
读和写
0 0 1秒1秒5秒5秒10秒30秒或60秒的中断延迟时间
可以单次或重复中断输出选择
开漏输出被拉至低电平时中断
定时器超时，并通过读取控制寄存器清零
TER
电路描述
在该框图
图1
示的内部结构
该芯片采用16引脚的封装外形示于
图2
晶体振荡器
这由一个CMOS反相放大器的同一个片
偏置电阻器外部有20 pF的电容6 PF- 36 pF的
微调电容器和晶体被提出来完成
32 768 kHz的计时振荡电路
6 PF - 36 pF的微调微调晶体负载阻抗
ANCE优化振荡器的稳定性。当AD-正确
justed （即晶振频率为32千赫768 ）的税务局局长
扣器将显示具有较小的电压的频率变化
低于3 ppm V当外部振荡器是用来连接
为振荡器输入和浮动（不连接）振荡器
产量
当芯片使能为测试模式时，振荡器是
门上的中断输出引脚提供一个缓冲的振荡
器的输出可以被用来设置晶振频率
当装置被安装在一个系统有关的进一步信息
重刑看到测试模式一节
分频器链
晶体振荡器分三个阶段来亲向下分
达斯10赫兹频率设定脉冲的第一阶段是一
非整数除法器而降低了32 768千赫输入到
30 720千赫这是由一个9级二进制纹波进一步划分
柜台给60赫兹3级的输出频率
约翰逊计数器由六个产生10赫兹把这个输出
把10赫兹的时钟门控与32 768 kHz晶振
频率提供时钟设置为15 26脉冲
ms
持续时间
和灰设定脉冲驱动器上的所有的时间寄存器
使用电阻只有镍镉电池
TL F 11219 - 6
图3典型的系统连接图
5
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