MM54HCT640 MM74HCT640反相八路三态收发器
MM54HCT643 MM74HCT643真反相八路三态收发器
1988年2月
MM54HCT640 MM74HCT640
反相八路三态收发器
MM54HCT643 MM74HCT643
真反相八路三态收发器
概述
这些三态双向收发器采用了先进的
硅栅CMOS技术的，并且旨在为双向
数据总线之间的异步通信，他们
具有高驱动电流输出它使高速
即使在驱动大电容公交车，这些操作
电路具有CMOS电路的低功耗税务局局长
cuitry尚未有速度相媲美的低功率肖特基
TTL电路
所有器件均TTL输入兼容，可驱动多达15个
LS- TTL负载和所有输入免受因损坏
静电放电通过二极管V
CC
和地面
无论是MM54HCT640 MM74HCT640和
MM54HCT643 MM74HCT643有一个低电平有效使能
输入（G）和一个方向控制（DIR ）当DIR输入
从A输入高数据流向B输出时
DIR是从B低数据流向的MM54HCT640
MM74HCT640反向传输数据从一个公交车到
其他的MM54HCT643 MM74HCT643转移倒
从A路公交车到B总线和非反相数据数据
B总线到A总线
MM54HCT MM74HCT设备拟接口BE-
吐温TTL和NMOS组件和标准CMOS
设备这些部件也是插件替代LS-
TTL器件，可用于降低功耗
在现有的设计
特点
Y
Y
Y
Y
TTL输入兼容
为八路三态输出
mP
总线应用
6毫安典型
高速16 ns的典型传播延迟
低功耗80
mA
最大（ 74HCT ）
接线图
双列直插式封装
TL F 5370 - 1
TL F 5370 - 2
顶视图
订单号MM54HCT640或MM74HCT640
顶视图
订单号MM54HCT643或MM74HCT643
真值表
控制
输入
G
L
L
H
DIR
L
H
X
640
B数据到总线
数据到B总线
隔离
手术
643
B数据到总线
数据到B总线
隔离
H
e
High级L级
e
低等级X
e
不相干
TRI- STATE是美国国家半导体公司的注册商标。
C
1995年全国半导体公司
TL F 5370
RRD - B30M105印制在U S A
绝对最大额定值
（注1
2)
工作条件
电源电压（V
CC
)
DC输入或输出电压
(V
IN
V
OUT
)
工作温度范围（T
A
)
MM74HCT
MM54HCT
输入信号上升和下降时间
(t
r
t
f
)
民
45
0
最大
55
V
CC
单位
V
V
如果是用于军事航空领域的专用设备是必需的
请向美国国家半导体销售
办公经销商咨询具体可用性和规格
电源电压（V
CC
)
直流输入电压（V
IN
)
直流输出电压（V
OUT
)
钳位二极管电流（I
IK
I
OK
)
每个引脚的直流输出电流（I
OUT
)
DC V
CC
或者每个引脚GND电流（I
CC
)
存储温度范围（T
英镑
)
功耗（P
D
)
（注3）
仅s O包
引线温度（T
L
)
（焊接10秒）
b
0至5
a
7 0V
b
1 5 V
CC
a
1 5V
b
0 5 V
CC
a
0 5V
g
20毫安
g
35毫安
g
70毫安
b
40
b
55
a
85
a
125
C
C
ns
500
b
65℃，以
a
150 C
600毫瓦
500毫瓦
260 C
DC电气特性
V
CC
e
5V
g
10％ （除非另有规定）
符号
参数
条件
T
A
e
25 C
典型值
V
IH
V
IL
V
OH
最低高层
输入电压
最大低电平
输入电压
最低高层
输出电压
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
e
20
mA
l
I
OUT
l
e
6 0毫安V
CC
e
4 5V
l
I
OUT
l
e
7 2毫安V
CC
e
5 5V
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
e
20
mA
l
I
OUT
l
e
6 0毫安V
CC
e
4 5V
l
I
OUT
l
e
7 2毫安V
CC
e
5 5V
V
IN
e
V
CC
或GND
V
IH
或V
IL
V
OUT
e
V
CC
或GND
启用摹
e
V
IH
V
IN
e
V
CC
或GND
I
OUT
e
0mA
V
IN
e
2 4V或5V 0
（注4 ）
注1
注2
注3
注4
74HCT
T
A
eb
40到85℃
20
08
54HCT
T
A
eb
55 125℃
20
08
单位
保证限制
20
08
V
V
V
CC
42
52
0
02
02
V
CC
-0 1
3 98
4 98
01
0 26
0 26
g
0 1
g
0 5
V
CC
-0 1
3 84
4 84
01
0 33
0 33
g
1 0
g
5 0
V
CC
-0 1
37
47
01
04
04
g
1 0
g
10
V
V
V
V
V
V
mA
mA
V
OL
最大低电平
电压
I
IN
I
OZ
最大输入
当前
最大TRI -STATE
输出漏
当前
最大静态
电源电流
I
CC
8
06
10
80
13
160
15
mA
mA
绝对最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值
除非另有说明，所有电压参考地
功耗温度降额
塑料'' N' '包
b
12毫瓦C来自65 ℃至85℃的陶瓷'' J' '包
b
12毫瓦C来自100℃至125℃
测量每路输入在V举行的所有其他投入
CC
或接地
AC电气特性
MM54HCT640 MM74HCT640
V
CC
e
5 0V牛逼
r
e
t
f
e
6纳秒吨
A
e
25 ℃（除非另有规定）
符号
t
PHL
t
PLH
t
PZL
t
PZH
t
PLZ
t
PHZ
参数
最大输出
传播延迟
最大输出
启用时间
最大输出
禁止时间
条件
C
L
e
45 pF的
C
L
e
45 pF的
R
L
e
1的kX
C
L
e
5 pF的
R
L
e
1的kX
典型值
16
29
20
保证
范围
20
40
25
单位
ns
ns
ns
2
MM54HCT640 MM74HCT640反相八路三态收发器
MM54HCT643 MM74HCT643真反相八路三态收发器
物理尺寸
英寸（毫米）
腔双列直插式封装（J ）
订单号MM54HCT640J MM54HCT643J MM74HCT640J或MM74HCT643J
见NS包装J20A
生命支持政策
模压双列直插式封装（ N）
订单号MM74HCT640N或MM74HCT643N
见NS包装N20A
美国国家半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统未经明确的书面许可，国家总统
半导体公司如本文所用
1生命支持设备或系统设备或
其中（ a）打算通过外科手术移植系统
进入体内或（b ）支持或维持生命，其
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明即可
可合理预期会导致在一个显著的伤害
向用户
美国国家半导体公司
公司
1111西巴丁路
阿灵顿德克萨斯州76017
联系电话：1（800 ） 272-9959
传真：1（800 ） 737-7018
2关键部件是一个生命的任何组件
支持设备或系统，其故障执行能
可以合理预期造成的生命的失败
支持设备或系统，或影响其安全性或
效用
美国国家半导体公司
欧洲
传真（
a
49) 0-180-530 85 86
电子邮件cnjwge tevm2 NSC COM
德语电话（
a
49) 0-180-530 85 85
电话英语（
a
49) 0-180-532 78 32
弗兰AIS电话（
a
49) 0-180-532 93 58
意大利语电话（
a
49) 0-180-534 16 80
美国国家半导体公司
（香港）有限公司
13楼直座
海洋中心5广东省
九龙尖沙咀
香港
电话：（ 852 ） 1637至00年
传真：（ 852 ） 2736-9960
美国国家半导体公司
日本公司
电话81-043-299-2309
传真81-043-299-2408
国家不承担任何使用电路的任何责任描述没有电路专利许可以及国家有权在任何时间，恕不另行通知更改上述电路和规格
MM54HCT640 MM74HCT640反相八路三态收发器
MM54HCT643 MM74HCT643真反相八路三态收发器
1988年2月
MM54HCT640 MM74HCT640
反相八路三态收发器
MM54HCT643 MM74HCT643
真反相八路三态收发器
概述
这些三态双向收发器采用了先进的
硅栅CMOS技术的，并且旨在为双向
数据总线之间的异步通信，他们
具有高驱动电流输出它使高速
即使在驱动大电容公交车，这些操作
电路具有CMOS电路的低功耗税务局局长
cuitry尚未有速度相媲美的低功率肖特基
TTL电路
所有器件均TTL输入兼容，可驱动多达15个
LS- TTL负载和所有输入免受因损坏
静电放电通过二极管V
CC
和地面
无论是MM54HCT640 MM74HCT640和
MM54HCT643 MM74HCT643有一个低电平有效使能
输入（G）和一个方向控制（DIR ）当DIR输入
从A输入高数据流向B输出时
DIR是从B低数据流向的MM54HCT640
MM74HCT640反向传输数据从一个公交车到
其他的MM54HCT643 MM74HCT643转移倒
从A路公交车到B总线和非反相数据数据
B总线到A总线
MM54HCT MM74HCT设备拟接口BE-
吐温TTL和NMOS组件和标准CMOS
设备这些部件也是插件替代LS-
TTL器件，可用于降低功耗
在现有的设计
特点
Y
Y
Y
Y
TTL输入兼容
为八路三态输出
mP
总线应用
6毫安典型
高速16 ns的典型传播延迟
低功耗80
mA
最大（ 74HCT ）
接线图
双列直插式封装
TL F 5370 - 1
TL F 5370 - 2
顶视图
订单号MM54HCT640或MM74HCT640
顶视图
订单号MM54HCT643或MM74HCT643
真值表
控制
输入
G
L
L
H
DIR
L
H
X
640
B数据到总线
数据到B总线
隔离
手术
643
B数据到总线
数据到B总线
隔离
H
e
High级L级
e
低等级X
e
不相干
TRI- STATE是美国国家半导体公司的注册商标。
C
1995年全国半导体公司
TL F 5370
RRD - B30M105印制在U S A
绝对最大额定值
（注1
2)
工作条件
电源电压（V
CC
)
DC输入或输出电压
(V
IN
V
OUT
)
工作温度范围（T
A
)
MM74HCT
MM54HCT
输入信号上升和下降时间
(t
r
t
f
)
民
45
0
最大
55
V
CC
单位
V
V
如果是用于军事航空领域的专用设备是必需的
请向美国国家半导体销售
办公经销商咨询具体可用性和规格
电源电压（V
CC
)
直流输入电压（V
IN
)
直流输出电压（V
OUT
)
钳位二极管电流（I
IK
I
OK
)
每个引脚的直流输出电流（I
OUT
)
DC V
CC
或者每个引脚GND电流（I
CC
)
存储温度范围（T
英镑
)
功耗（P
D
)
（注3）
仅s O包
引线温度（T
L
)
（焊接10秒）
b
0至5
a
7 0V
b
1 5 V
CC
a
1 5V
b
0 5 V
CC
a
0 5V
g
20毫安
g
35毫安
g
70毫安
b
40
b
55
a
85
a
125
C
C
ns
500
b
65℃，以
a
150 C
600毫瓦
500毫瓦
260 C
DC电气特性
V
CC
e
5V
g
10％ （除非另有规定）
符号
参数
条件
T
A
e
25 C
典型值
V
IH
V
IL
V
OH
最低高层
输入电压
最大低电平
输入电压
最低高层
输出电压
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
e
20
mA
l
I
OUT
l
e
6 0毫安V
CC
e
4 5V
l
I
OUT
l
e
7 2毫安V
CC
e
5 5V
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
e
20
mA
l
I
OUT
l
e
6 0毫安V
CC
e
4 5V
l
I
OUT
l
e
7 2毫安V
CC
e
5 5V
V
IN
e
V
CC
或GND
V
IH
或V
IL
V
OUT
e
V
CC
或GND
启用摹
e
V
IH
V
IN
e
V
CC
或GND
I
OUT
e
0mA
V
IN
e
2 4V或5V 0
（注4 ）
注1
注2
注3
注4
74HCT
T
A
eb
40到85℃
20
08
54HCT
T
A
eb
55 125℃
20
08
单位
保证限制
20
08
V
V
V
CC
42
52
0
02
02
V
CC
-0 1
3 98
4 98
01
0 26
0 26
g
0 1
g
0 5
V
CC
-0 1
3 84
4 84
01
0 33
0 33
g
1 0
g
5 0
V
CC
-0 1
37
47
01
04
04
g
1 0
g
10
V
V
V
V
V
V
mA
mA
V
OL
最大低电平
电压
I
IN
I
OZ
最大输入
当前
最大TRI -STATE
输出漏
当前
最大静态
电源电流
I
CC
8
06
10
80
13
160
15
mA
mA
绝对最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值
除非另有说明，所有电压参考地
功耗温度降额
塑料'' N' '包
b
12毫瓦C来自65 ℃至85℃的陶瓷'' J' '包
b
12毫瓦C来自100℃至125℃
测量每路输入在V举行的所有其他投入
CC
或接地
AC电气特性
MM54HCT640 MM74HCT640
V
CC
e
5 0V牛逼
r
e
t
f
e
6纳秒吨
A
e
25 ℃（除非另有规定）
符号
t
PHL
t
PLH
t
PZL
t
PZH
t
PLZ
t
PHZ
参数
最大输出
传播延迟
最大输出
启用时间
最大输出
禁止时间
条件
C
L
e
45 pF的
C
L
e
45 pF的
R
L
e
1的kX
C
L
e
5 pF的
R
L
e
1的kX
典型值
16
29
20
保证
范围
20
40
25
单位
ns
ns
ns
2
MM54HCT640 MM74HCT640反相八路三态收发器
MM54HCT643 MM74HCT643真反相八路三态收发器
物理尺寸
英寸（毫米）
腔双列直插式封装（J ）
订单号MM54HCT640J MM54HCT643J MM74HCT640J或MM74HCT643J
见NS包装J20A
生命支持政策
模压双列直插式封装（ N）
订单号MM74HCT640N或MM74HCT643N
见NS包装N20A
美国国家半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统未经明确的书面许可，国家总统
半导体公司如本文所用
1生命支持设备或系统设备或
其中（ a）打算通过外科手术移植系统
进入体内或（b ）支持或维持生命，其
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明即可
可合理预期会导致在一个显著的伤害
向用户
美国国家半导体公司
公司
1111西巴丁路
阿灵顿德克萨斯州76017
联系电话：1（800 ） 272-9959
传真：1（800 ） 737-7018
2关键部件是一个生命的任何组件
支持设备或系统，其故障执行能
可以合理预期造成的生命的失败
支持设备或系统，或影响其安全性或
效用
美国国家半导体公司
欧洲
传真（
a
49) 0-180-530 85 86
电子邮件cnjwge tevm2 NSC COM
德语电话（
a
49) 0-180-530 85 85
电话英语（
a
49) 0-180-532 78 32
弗兰AIS电话（
a
49) 0-180-532 93 58
意大利语电话（
a
49) 0-180-534 16 80
美国国家半导体公司
（香港）有限公司
13楼直座
海洋中心5广东省
九龙尖沙咀
香港
电话：（ 852 ） 1637至00年
传真：（ 852 ） 2736-9960
美国国家半导体公司
日本公司
电话81-043-299-2309
传真81-043-299-2408
国家不承担任何使用电路的任何责任描述没有电路专利许可以及国家有权在任何时间，恕不另行通知更改上述电路和规格
QQ：2880707522 复制
