MM54HC75 MM74HC75 4位双稳态锁存器与Q和Q输出
1988年1月
MM54HC75 MM74HC75
4位双稳态锁存器与Q和Q输出
概述
这4位锁存器采用先进的硅栅CMOS技
术来实现高抗噪声和低功耗
消费通常与标准CMOS相关英特
磨碎的电路，这些器件可驱动10 LS- TTL负载
此闩锁是非常适合于用作临时存储
二进制信息处理输入输出和显示器
单位信息存在于数据（D）输入端被转移
到Q输出，当使能（G）是高的Q输出
将按照输入的数据，只要能够保持高
当使能变低，这是目前信息
在数据输入处出现的过渡时间是重新
tained在Q输出，直至使能允许去
再次HIGH
该54HC逻辑74HC系列在功能和引脚
用标准54LS 74LS逻辑系列兼容
所有的输入免受损害，由于静态显示
负责内部二极管钳位到V
CC
和地面
特点
Y
Y
Y
Y
Y
Y
典型工作频率为50MHz
典型传播延迟为12ns
宽工作电源电压范围2 - 6V
低输入电流1
mA
最大
低静态电流80
mA
最大
（ 74HC系列）
10 LS- TTL负载扇出
连接和逻辑图
双列直插式封装
真值表
输入
D
L
H
X
G
H
H
L
输出
Q
L
H
Q
0
Q
H
L
Q
0
H
e
High级L级
e
低层
X
e
不在乎
Q
0
e
Q G的过渡前的水平
TL F 5303 - 1
订单号MM54HC75或MM74HC75
（1 4的锁存器）
TL F 5303 - 2
C
1995年全国半导体公司
TL F 5303
RRD - B30M105印制在U S A
绝对最大额定值
（注1
2)
工作条件
民
电源电压V
CC
DC输入或输出电压
V
IN
V
OUT
工作温度范围（T
A
)
MM慧聪
MM慧聪
输入信号上升和下降时间
V
CC
e
V
t
r
t
f
V
CC
e
V
V
CC
e
V
b
b
如果是用于军事航空领域的专用设备是必需的
请向美国国家半导体销售
办公经销商咨询具体可用性和规格
电源电压（V
CC
)
直流输入电压（V
IN
)
直流输出电压（V
OUT
)
钳位二极管电流（I
IK
I
OK
)
b
0至5
a
7 0V
b
1 5 V
CC
a
1 5V
b
0 5 V
CC
a
0 5V
g
20毫安
最大
V
CC
单位
V
V
a
a
C
C
ns
ns
ns
g
25毫安
每个引脚的直流输出电流（I
OUT
)
g
50毫安
DC V
CC
或者每个引脚GND电流（I
CC
)
b
65℃，以
a
150 C
存储温度范围（T
英镑
)
功耗（P
D
)
（注3）
600毫瓦
仅s O包
500毫瓦
铅温度（T
L
） （焊接10秒）
260 C
DC电气特性
（注4 ）
符号
参数
条件
V
CC
V
V
V
V
V
V
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
mA
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
g
g
g
T
A
e
25 C
典型值
74HC
T
A
eb
40到85℃
54HC
T
A
eb
55 125℃
单位
保证限制
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
mA
mA
V
IH
最低高层
输入电压
最大低电平
输入电压
最低高层
输出电压
V
IL
V
OH
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
mA
l
I
OUT
l
s
mA
V
OL
最大低电平
输出电压
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
mA
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
mA
l
I
OUT
l
s
mA
I
IN
I
CC
最大输入
当前
最大静态
电源电流
V
IN
e
V
CC
或GND
V
IN
e
V
CC
或GND
I
OUT
e
mA
注1
绝对最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值
注2
除非另有说明，所有电压参考地
注3
功耗温度降额
塑料'' N' '包
b
12毫瓦C来自65 ℃至85℃的陶瓷'' J' '包
b
12毫瓦C来自100℃至125℃
注4
对于5V的电源
g
10％的最坏情况下的输出电压（V
OH
和V
OL
）在设计时会发生HC 4 5V因此， 4 5V值应使用
与此供应最坏情况V
IH
和V
IL
发生在V
CC
e
分别为5 5V和4 5V （在V
IH
5 5V值为3 85V ）最坏情况下的漏电流（I
IN
I
CC
和
I
OZ
）发生在CMOS在较高的电压，因此在6 0V的值，应使用
V
IL
限制在V的20 ％目前正在测试
CC
上述V个
IL
V的规格（ 30 ％
CC
）将在不迟于Q1 CY'89实施
2
MM54HC75 MM74HC75 4位双稳态锁存器与Q和Q输出
物理尺寸
英寸（毫米）
订单号MM54HC75J或MM74HC75J
NS封装J16A
订单号MM54HC75N
NS封装N16E
生命支持政策
美国国家半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统未经明确的书面许可，国家总统
半导体公司如本文所用
1生命支持设备或系统设备或
其中（ a）打算通过外科手术移植系统
进入体内或（b ）支持或维持生命，其
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明即可
可合理预期会导致在一个显著的伤害
向用户
美国国家半导体公司
公司
1111西巴丁路
阿灵顿德克萨斯州76017
联系电话：1（800 ） 272-9959
传真：1（800 ） 737-7018
2关键部件是一个生命的任何组件
支持设备或系统，其故障执行能
可以合理预期造成的生命的失败
支持设备或系统，或影响其安全性或
效用
美国国家半导体公司
欧洲
传真（
a
49) 0-180-530 85 86
电子邮件cnjwge tevm2 NSC COM
德语电话（
a
49) 0-180-530 85 85
电话英语（
a
49) 0-180-532 78 32
弗兰AIS电话（
a
49) 0-180-532 93 58
意大利语电话（
a
49) 0-180-534 16 80
美国国家半导体公司
（香港）有限公司
13楼直座
海洋中心5广东省
九龙尖沙咀
香港
电话：（ 852 ） 1637至00年
传真：（ 852 ） 2736-9960
美国国家半导体公司
日本公司
电话81-043-299-2309
传真81-043-299-2408
国家不承担任何使用电路的任何责任描述没有电路专利许可以及国家有权在任何时间，恕不另行通知更改上述电路和规格
MM54HC75 MM74HC75 4位双稳态锁存器与Q和Q输出
1988年1月
MM54HC75 MM74HC75
4位双稳态锁存器与Q和Q输出
概述
这4位锁存器采用先进的硅栅CMOS技
术来实现高抗噪声和低功耗
消费通常与标准CMOS相关英特
磨碎的电路，这些器件可驱动10 LS- TTL负载
此闩锁是非常适合于用作临时存储
二进制信息处理输入输出和显示器
单位信息存在于数据（D）输入端被转移
到Q输出，当使能（G）是高的Q输出
将按照输入的数据，只要能够保持高
当使能变低，这是目前信息
在数据输入处出现的过渡时间是重新
tained在Q输出，直至使能允许去
再次HIGH
该54HC逻辑74HC系列在功能和引脚
用标准54LS 74LS逻辑系列兼容
所有的输入免受损害，由于静态显示
负责内部二极管钳位到V
CC
和地面
特点
Y
Y
Y
Y
Y
Y
典型工作频率为50MHz
典型传播延迟为12ns
宽工作电源电压范围2 - 6V
低输入电流1
mA
最大
低静态电流80
mA
最大
（ 74HC系列）
10 LS- TTL负载扇出
连接和逻辑图
双列直插式封装
真值表
输入
D
L
H
X
G
H
H
L
输出
Q
L
H
Q
0
Q
H
L
Q
0
H
e
High级L级
e
低层
X
e
不在乎
Q
0
e
Q G的过渡前的水平
TL F 5303 - 1
订单号MM54HC75或MM74HC75
（1 4的锁存器）
TL F 5303 - 2
C
1995年全国半导体公司
TL F 5303
RRD - B30M105印制在U S A
绝对最大额定值
（注1
2)
工作条件
民
电源电压V
CC
DC输入或输出电压
V
IN
V
OUT
工作温度范围（T
A
)
MM慧聪
MM慧聪
输入信号上升和下降时间
V
CC
e
V
t
r
t
f
V
CC
e
V
V
CC
e
V
b
b
如果是用于军事航空领域的专用设备是必需的
请向美国国家半导体销售
办公经销商咨询具体可用性和规格
电源电压（V
CC
)
直流输入电压（V
IN
)
直流输出电压（V
OUT
)
钳位二极管电流（I
IK
I
OK
)
b
0至5
a
7 0V
b
1 5 V
CC
a
1 5V
b
0 5 V
CC
a
0 5V
g
20毫安
最大
V
CC
单位
V
V
a
a
C
C
ns
ns
ns
g
25毫安
每个引脚的直流输出电流（I
OUT
)
g
50毫安
DC V
CC
或者每个引脚GND电流（I
CC
)
b
65℃，以
a
150 C
存储温度范围（T
英镑
)
功耗（P
D
)
（注3）
600毫瓦
仅s O包
500毫瓦
铅温度（T
L
） （焊接10秒）
260 C
DC电气特性
（注4 ）
符号
参数
条件
V
CC
V
V
V
V
V
V
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
mA
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
g
g
g
T
A
e
25 C
典型值
74HC
T
A
eb
40到85℃
54HC
T
A
eb
55 125℃
单位
保证限制
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
mA
mA
V
IH
最低高层
输入电压
最大低电平
输入电压
最低高层
输出电压
V
IL
V
OH
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
mA
l
I
OUT
l
s
mA
V
OL
最大低电平
输出电压
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
mA
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
mA
l
I
OUT
l
s
mA
I
IN
I
CC
最大输入
当前
最大静态
电源电流
V
IN
e
V
CC
或GND
V
IN
e
V
CC
或GND
I
OUT
e
mA
注1
绝对最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值
注2
除非另有说明，所有电压参考地
注3
功耗温度降额
塑料'' N' '包
b
12毫瓦C来自65 ℃至85℃的陶瓷'' J' '包
b
12毫瓦C来自100℃至125℃
注4
对于5V的电源
g
10％的最坏情况下的输出电压（V
OH
和V
OL
）在设计时会发生HC 4 5V因此， 4 5V值应使用
与此供应最坏情况V
IH
和V
IL
发生在V
CC
e
分别为5 5V和4 5V （在V
IH
5 5V值为3 85V ）最坏情况下的漏电流（I
IN
I
CC
和
I
OZ
）发生在CMOS在较高的电压，因此在6 0V的值，应使用
V
IL
限制在V的20 ％目前正在测试
CC
上述V个
IL
V的规格（ 30 ％
CC
）将在不迟于Q1 CY'89实施
2
MM54HC75 MM74HC75 4位双稳态锁存器与Q和Q输出
物理尺寸
英寸（毫米）
订单号MM54HC75J或MM74HC75J
NS封装J16A
订单号MM54HC75N
NS封装N16E
生命支持政策
美国国家半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统未经明确的书面许可，国家总统
半导体公司如本文所用
1生命支持设备或系统设备或
其中（ a）打算通过外科手术移植系统
进入体内或（b ）支持或维持生命，其
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明即可
可合理预期会导致在一个显著的伤害
向用户
美国国家半导体公司
公司
1111西巴丁路
阿灵顿德克萨斯州76017
联系电话：1（800 ） 272-9959
传真：1（800 ） 737-7018
2关键部件是一个生命的任何组件
支持设备或系统，其故障执行能
可以合理预期造成的生命的失败
支持设备或系统，或影响其安全性或
效用
美国国家半导体公司
欧洲
传真（
a
49) 0-180-530 85 86
电子邮件cnjwge tevm2 NSC COM
德语电话（
a
49) 0-180-530 85 85
电话英语（
a
49) 0-180-532 78 32
弗兰AIS电话（
a
49) 0-180-532 93 58
意大利语电话（
a
49) 0-180-534 16 80
美国国家半导体公司
（香港）有限公司
13楼直座
海洋中心5广东省
九龙尖沙咀
香港
电话：（ 852 ） 1637至00年
传真：（ 852 ） 2736-9960
美国国家半导体公司
日本公司
电话81-043-299-2309
传真81-043-299-2408
国家不承担任何使用电路的任何责任描述没有电路专利许可以及国家有权在任何时间，恕不另行通知更改上述电路和规格
QQ：2880707522 复制
