MM54HC640 MM74HC640反相八路三态收发器MM54HC643 MM74HC643
真反相八路三态收发器
1988年1月
MM54HC640 MM74HC640
反相八路三态收发器
MM54HC643 MM74HC643
真反相八路三态收发器
概述
这些三态双向缓冲器利用先进的sili-
骗子栅CMOS技术的,并且旨在为双向
数据总线之间的异步通信,他们
具有高驱动电流输出它使高速
即使在驱动大电容公交车,这些操作
电路具有低功耗和高噪声
通常与CMOS电路相关联的免疫力尚未有
速度媲美的低功率肖特基TTL电路
每个器件都有一个低电平有效使G和方向
控制输入DIR当DIR为高数据从A流向
输入到B输出时, DIR是从较低的数据流
在B输入到A输出的MM54HC640
MM74HC640反向传输数据从一个总线等
和MM54HC643 MM74HC643传输数据反转
从A路公交车到B总线和真实的数据从B总线
A总线
这些器件可驱动多达15个LS- TTL负载和所有
输入免受损害,由于静电放电所
二极管V
CC
和地面
特点
Y
Y
Y
Y
Y
典型传播延迟13纳秒
宽电源电压范围2 - 6V
低静态电流80
mA
最大( 74 HC )
用于连接到总线的三态输出导向
系统
高输出驱动6毫安(分钟)
连接图
双列直插式封装
双列直插式封装
TL F 5344 - 1
TL F 5344 - 2
顶视图
订单号MM54HC640或MM74HC640
顶视图
订单号MM54HC643或MM74HC643
真值表
控制
输入
G
L
L
H
DIR
L
H
X
640
B数据到总线
数据到B总线
隔离
手术
643
B数据到总线
数据到B总线
隔离
H
e
High级L级
e
低等级X
e
不相干
TRI- STATE是美国国家半导体公司的注册商标。
C
1995年全国半导体公司
TL F 5344
RRD - B30M105印制在U S A
绝对最大额定值
(注1
2)
工作条件
电源电压(V
CC
)
DC输入或输出电压
(V
IN
V
OUT
)
工作温度范围(T
A
)
MM74HC
MM54HC
输入上升下降时间
V
CC
e
2 0V
(t
r
t
f
)
V
CC
e
4 5V
V
CC
e
6 0V
民
2
0
b
40
b
55
如果是用于军事航空领域的专用设备是必需的
请向美国国家半导体销售
办公经销商咨询具体可用性和规格
电源电压(V
CC
)
直流输入电压DIR和G引脚(V
IN
)
直流输出电压(V
IN
V
OUT
)
钳位二极管电流(I
CD
)
每个引脚的直流输出电流(I
OUT
)
DC V
CC
或者每个引脚GND电流(I
CC
)
存储温度范围(T
英镑
)
功耗(P
D
)
(注3)
仅s O包
引线温度(T
L
)
(焊接10秒)
b
0至5
a
7 0V
b
1 5 V
CC
a
1 5V
b
0 5 V
CC
a
0 5V
g
20毫安
g
35毫安
g
70毫安
最大
6
V
CC
a
85
a
125
单位
V
V
C
C
ns
ns
ns
b
65℃,以
a
150 C
1000
500
400
600毫瓦
500毫瓦
260 C
DC电气特性
(注4 )
符号
参数
条件
V
CC
2 0V
4 5V
6 0V
2 0V
4 5V
6 0V
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
20
mA
2 0V
4 5V
6 0V
4 5V
6 0V
2 0V
4 5V
6 0V
4 5V
6 0V
6 0V
20
45
60
42
57
0
0
0
02
02
T
A
e
25 C
典型值
V
IH
最低高电平输入
电压
最大低电平输入
电压
最小高电平输出
电压
15
3 15
42
05
1 35
18
19
44
59
3 98
5 48
01
01
01
0 26
0 26
g
0 1
74HC
54HC
T
A
eb
40 85 (C T)
A
eb
55 125℃机组
保证限制
15
3 15
42
05
1 35
18
19
44
59
3 84
5 34
01
01
01
0 33
0 33
g
1 0
15
3 15
42
05
1 35
18
19
44
59
37
52
01
01
01
04
04
g
1 0
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
V
IL
V
OH
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
6 0毫安
l
I
OUT
l
s
7 8毫安
V
OL
最大低电平输出
电压
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
20
mA
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
6 0毫安
l
I
OUT
l
s
7 8毫安
I
IN
I
OZ
I
CC
输入漏
电流( G和DIR )
V
IN
e
V
CC
或GND
最大三态输出V
OUT
e
V
CC
或GND 6 0V
漏电流
启用摹
e
V
IH
最大静态电源
当前
V
IN
e
V
CC
或GND
I
OUT
e
0
mA
6 0V
g
0 5
g
5 0
g
10
80
80
160
注1
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值
注2
除非另有说明,所有电压参考地
注3
功耗温度降额
塑料'' N' '包
b
12毫瓦C来自65 ℃至85℃的陶瓷'' J' '包
b
12毫瓦C来自100℃至125℃
注4
对于5V的电源
g
10%的最坏情况下的输出电压(V
OH
和V
OL
)在设计时会发生HC 4 5V因此, 4 5V值应使用
与此供应最坏情况V
IH
和V
IL
发生在V
CC
e
分别为5 5V和4 5V (在V
IH
5 5V值为3 85V )最坏情况下的漏电流(I
IN
I
CC
和
I
OZ
)发生在CMOS在较高的电压,因此在6 0V的值,应使用
V
IL
限制在V的20 %目前正在测试
CC
上述V个
IL
V的规格( 30 %
CC
)将在不迟于Q1 CY'89实施
2
MM54HC640 MM74HC640反相八路三态收发器MM54HC643 MM74HC643
真反相八路三态收发器
1988年1月
MM54HC640 MM74HC640
反相八路三态收发器
MM54HC643 MM74HC643
真反相八路三态收发器
概述
这些三态双向缓冲器利用先进的sili-
骗子栅CMOS技术的,并且旨在为双向
数据总线之间的异步通信,他们
具有高驱动电流输出它使高速
即使在驱动大电容公交车,这些操作
电路具有低功耗和高噪声
通常与CMOS电路相关联的免疫力尚未有
速度媲美的低功率肖特基TTL电路
每个器件都有一个低电平有效使G和方向
控制输入DIR当DIR为高数据从A流向
输入到B输出时, DIR是从较低的数据流
在B输入到A输出的MM54HC640
MM74HC640反向传输数据从一个总线等
和MM54HC643 MM74HC643传输数据反转
从A路公交车到B总线和真实的数据从B总线
A总线
这些器件可驱动多达15个LS- TTL负载和所有
输入免受损害,由于静电放电所
二极管V
CC
和地面
特点
Y
Y
Y
Y
Y
典型传播延迟13纳秒
宽电源电压范围2 - 6V
低静态电流80
mA
最大( 74 HC )
用于连接到总线的三态输出导向
系统
高输出驱动6毫安(分钟)
连接图
双列直插式封装
双列直插式封装
TL F 5344 - 1
TL F 5344 - 2
顶视图
订单号MM54HC640或MM74HC640
顶视图
订单号MM54HC643或MM74HC643
真值表
控制
输入
G
L
L
H
DIR
L
H
X
640
B数据到总线
数据到B总线
隔离
手术
643
B数据到总线
数据到B总线
隔离
H
e
High级L级
e
低等级X
e
不相干
TRI- STATE是美国国家半导体公司的注册商标。
C
1995年全国半导体公司
TL F 5344
RRD - B30M105印制在U S A
绝对最大额定值
(注1
2)
工作条件
电源电压(V
CC
)
DC输入或输出电压
(V
IN
V
OUT
)
工作温度范围(T
A
)
MM74HC
MM54HC
输入上升下降时间
V
CC
e
2 0V
(t
r
t
f
)
V
CC
e
4 5V
V
CC
e
6 0V
民
2
0
b
40
b
55
如果是用于军事航空领域的专用设备是必需的
请向美国国家半导体销售
办公经销商咨询具体可用性和规格
电源电压(V
CC
)
直流输入电压DIR和G引脚(V
IN
)
直流输出电压(V
IN
V
OUT
)
钳位二极管电流(I
CD
)
每个引脚的直流输出电流(I
OUT
)
DC V
CC
或者每个引脚GND电流(I
CC
)
存储温度范围(T
英镑
)
功耗(P
D
)
(注3)
仅s O包
引线温度(T
L
)
(焊接10秒)
b
0至5
a
7 0V
b
1 5 V
CC
a
1 5V
b
0 5 V
CC
a
0 5V
g
20毫安
g
35毫安
g
70毫安
最大
6
V
CC
a
85
a
125
单位
V
V
C
C
ns
ns
ns
b
65℃,以
a
150 C
1000
500
400
600毫瓦
500毫瓦
260 C
DC电气特性
(注4 )
符号
参数
条件
V
CC
2 0V
4 5V
6 0V
2 0V
4 5V
6 0V
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
20
mA
2 0V
4 5V
6 0V
4 5V
6 0V
2 0V
4 5V
6 0V
4 5V
6 0V
6 0V
20
45
60
42
57
0
0
0
02
02
T
A
e
25 C
典型值
V
IH
最低高电平输入
电压
最大低电平输入
电压
最小高电平输出
电压
15
3 15
42
05
1 35
18
19
44
59
3 98
5 48
01
01
01
0 26
0 26
g
0 1
74HC
54HC
T
A
eb
40 85 (C T)
A
eb
55 125℃机组
保证限制
15
3 15
42
05
1 35
18
19
44
59
3 84
5 34
01
01
01
0 33
0 33
g
1 0
15
3 15
42
05
1 35
18
19
44
59
37
52
01
01
01
04
04
g
1 0
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
V
IL
V
OH
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
6 0毫安
l
I
OUT
l
s
7 8毫安
V
OL
最大低电平输出
电压
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
20
mA
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
6 0毫安
l
I
OUT
l
s
7 8毫安
I
IN
I
OZ
I
CC
输入漏
电流( G和DIR )
V
IN
e
V
CC
或GND
最大三态输出V
OUT
e
V
CC
或GND 6 0V
漏电流
启用摹
e
V
IH
最大静态电源
当前
V
IN
e
V
CC
或GND
I
OUT
e
0
mA
6 0V
g
0 5
g
5 0
g
10
80
80
160
注1
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值
注2
除非另有说明,所有电压参考地
注3
功耗温度降额
塑料'' N' '包
b
12毫瓦C来自65 ℃至85℃的陶瓷'' J' '包
b
12毫瓦C来自100℃至125℃
注4
对于5V的电源
g
10%的最坏情况下的输出电压(V
OH
和V
OL
)在设计时会发生HC 4 5V因此, 4 5V值应使用
与此供应最坏情况V
IH
和V
IL
发生在V
CC
e
分别为5 5V和4 5V (在V
IH
5 5V值为3 85V )最坏情况下的漏电流(I
IN
I
CC
和
I
OZ
)发生在CMOS在较高的电压,因此在6 0V的值,应使用
V
IL
限制在V的20 %目前正在测试
CC
上述V个
IL
V的规格( 30 %
CC
)将在不迟于Q1 CY'89实施
2