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MM54HC620 MM74HC620反相八路三态收发器
MM54HC623 MM74HC623真八路三态收发器
1988年3月
MM54HC620 MM74HC620反相
八路三态收发器
MM54HC623 MM74HC623真
八路三态收发器
概述
这些三态双向缓冲器利用先进的sili-
骗子栅CMOS技术的,并且旨在为双向
数据总线之间的异步通信,他们
具有高驱动电流输出它使高速
即使在驱动大电容公交车,这些操作
电路具有低功耗和高噪声
通常与CMOS电路相关联的免疫力尚未有
速度媲美的低功率肖特基TTL电路
这些设备允许数据传输从A总线
B总线或从B总线到A总线视
逻辑电平的使能输入这两条总线都被隔离
彼此以适当的逻辑电平在启用IN-
把GAB时采取高GBA采取这些低
存储设备的当前状态出现在数据IN-
把出现在这两组总线的8位代码
将张玉峰为623选项或免费的
620选件
这些器件可驱动多达15个LS- TTL负载所有输入
免受损害,由于静电放电二用
颂V
CC
和地面
特点
Y
Y
Y
Y
Y
典型传播延迟13纳秒
宽电源电压范围为2V - 6V
低静态电流80
mA
最大( 74HC系列)
三态输出,用于连接到系统总线
高输出驱动6毫安(最低)
连接图
双列直插式封装
双列直插式封装
TL F 9393 - 1
TL F 9393 - 2
顶视图
订单号MM54HC623或MM74HC623
顶视图
订单号MM54HC620或MM74HC620
真值表
使能输入
GBA
L
H
H
L
GAB
L
H
L
L
B数据到总线
数据到B总线
隔离
B数据到总线
数据到B总线
B数据到总线
数据到B总线
隔离
B数据到总线
数据到B总线
手术
TRI- STATE是美国国家半导体公司的注册商标。
C
1995年全国半导体公司
TL F 9393
RRD - B30M105印制在U S A
绝对最大额定值
(注1
2)
工作条件
电源电压(V
CC
)
DC输入或输出电压
(V
IN
V
OUT
)
工作温度范围(T
A
)
MM74HC
MM54HC
输入上升下降时间
(t
r
t
f
) V
CC
e
2 0V
V
CC
e
4 5V
V
CC
e
6 0V
2
0
b
40
b
55
如果是用于军事航空领域的专用设备是必需的
请向美国国家半导体销售
办公经销商咨询具体可用性和规格
电源电压(V
CC
)
b
0至5V
a
7 0V
直流输入电压DIR和G引脚(V
IN
)
b
1 5V至V
CC
a
1 5V
b
0 5 V
CC
a
0 5V
g
20毫安
g
35毫安
g
70毫安
最大
6
V
CC
a
85
a
125
单位
V
V
C
C
ns
ns
ns
直流输出电压(V
IN
V
OUT
)
钳位二极管电流(I
CD
)
每个引脚的直流输出电流(I
OUT
)
DC V
CC
或者每个引脚GND电流(I
CC
)
存储温度范围(T
英镑
)
功耗(P
D
)
(注3)
仅s O包
引线温度(T
L
)
(焊接10秒)
b
65℃,以
a
150 C
1000
500
400
600毫瓦
500毫瓦
260 C
DC电气特性
(注4 )
符号
参数
条件
V
CC
T
A
e
25 C
典型值
V
IH
最低高层
输入电压
最大低电平
输入电压
最低高层
输出电压
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
20
mA
2 0V
4 5V
6 0V
2 0V
4 5V
6 0V
2 0V
4 5V
6 0V
4 5V
6 0V
2 0V
4 5V
6 0V
4 5V
6 0V
6 0V
20
45
60
42
57
0
0
0
02
02
15
3 15
42
05
1 35
18
19
44
59
3 98
5 48
01
01
01
0 26
0 26
g
0 1
74HC
54HC
T
A
E B
40℃
a
85 (C T)
A
E B
55 ℃
a
125 C单位
保证限制
15
3 15
42
05
1 35
18
19
44
59
3 84
5 34
01
01
01
0 33
0 33
g
1 0
15
3 15
42
05
1 35
18
19
44
59
37
52
01
01
01
04
04
g
1 0
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
mA
mA
V
IL
V
OH
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
6 0毫安
l
I
OUT
l
s
7 8毫安
V
OL
最大低电平
输出电压
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
20
mA
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
6 0毫安
l
I
OUT
l
s
7 8毫安
I
IN
I
OZ
输入漏
电流( G和DIR )
V
IN
e
V
CC
或GND
最大TRI -STATE V
OUT
e
V
CC
或GND
6 0V
输出漏
启用摹
e
V
IH
当前
最大静态
电源电流
V
IN
e
V
CC
或GND
I
OUT
e
0
mA
6 0V
g
0 5
g
5 0
g
10
I
CC
80
80
160
mA
注1
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值
注2
除非另有说明,所有电压参考地
注3
功耗温度降额
塑料'' N' '包
b
12毫瓦C来自65 ℃至85℃的陶瓷'' J' '包
b
12毫瓦C来自100℃至125℃
注4
对于5V的电源
g
10%的最坏情况下的输出电压(V
OH
和V
OL
)在设计时会发生HC 4 5V因此, 4 5V值应使用
与此供应最坏情况V
IH
和V
IL
发生在V
CC
e
分别为5 5V和4 5V (在V
IH
5 5V值为3 85V )最坏情况下的漏电流(I
IN
I
CC
I
OZ
)发生在CMOS在较高的电压,因此在6 0V的值,应使用
V
IL
限制在V的20 %目前正在测试
CC
上述V个
IL
V的规格( 30 %
CC
)将在不迟于Q1 CY'89实施
2
AC电气特性
V
CC
e
5V
符号
t
PHL
t
PLH
t
PZH
t
PZL
t
PHZ
t
PLZ
参数
最大传播延迟
最大输出使能时间
最大输出禁止时间
T
A
e
25℃吨
r
e
t
f
e
6纳秒
条件
C
L
e
45 pF的
R
L
e
1的kX
C
L
e
45 pF的
R
L
e
1的kX
C
L
e
5 pF的
典型值
保证
极限
15
31
18
单位
ns
ns
ns
AC电气特性
V
CC
e
2 0V至6 0V
符号
参数
条件
V
CC
C
L
e
50 pF的吨
r
e
t
f
e
6纳秒,除非另有说明
74HC
54HC
T
A
E B
40℃
a
85 (C T)
A
E B
55 ℃
a
125 C单位
保证限制
T
A
e
25 C
典型值
t
PHL
t
PLH
最大传播
L
e
50 pF的
延迟
C
L
e
150 pF的
C
L
e
50 pF的
C
L
e
150 pF的
C
L
e
50 pF的
C
L
e
150 pF的
2 0V
2 0V
4 5V
4 5V
6 0V
6 0V
85
105
17
21
14
18
105
130
21
26
18
22
130
160
26
32
22
27
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
PZH
t
PZL
最大输出
启用
R
L
e
1的kX
C
L
e
50 pF的
C
L
e
150 pF的
C
L
e
50 pF的
C
L
e
150 pF的
C
L
e
50 pF的
C
L
e
150 pF的
2 0V
2 0V
4 5V
4 5V
6 0V
6 0V
2 0V
4 5V
6 0V
2 0V
4 5V
6 0V
120
12
5
10
10
10
170
195
34
39
29
33
130
26
22
60
12
10
215
245
43
49
37
42
165
33
28
75
15
13
255
295
51
59
43
50
195
39
33
90
18
15
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
t
PHZ
t
PLZ
t
THL
t
TLH
C
PD
C
IN
最大输出
禁止时间
输出上升和
下降时间
功耗
电容(注5 )
最大输入
电容
R
L
e
1的kX
C
L
e
50 pF的
C
L
e
50 pF的
GBA GAB
e
V
IL
GBA
e
V
IH
GAB
e
V
IL
C
IN OUT
最大输入输出
电容A或B
15
20
20
20
pF
注5
C
PD
确定无负载的动态功耗P
D
e
C
PD
V
CC2
f
a
I
CC
V
CC
和空载动态电流消耗我
S
e
C
PD
V
CC
f
a
I
CC
3
MM54HC620 MM74HC620反相八路三态收发器
MM54HC623 MM74HC623真八路三态收发器
物理尺寸
英寸(毫米)
陶瓷双列直插式封装(J )
订单号MM54HC620 MM54HC623 MM74HC620或MM74HC623
NS包装数J20A
模压双列直插式封装( N)
订单号MM54HC620 MM54HC623 MM74HC620或MM74HC623
NS包装数N20A
生命支持政策
美国国家半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统未经明确的书面许可,国家总统
半导体公司如本文所用
1生命支持设备或系统设备或
其中( a)打算通过外科手术移植系统
进入体内或(b )支持或维持生命,其
不履行时,按照正确使用
与标示中的使用说明即可
可合理预期会导致在一个显著的伤害
向用户
美国国家半导体公司
公司
1111西巴丁路
阿灵顿德克萨斯州76017
联系电话:1(800 ) 272-9959
传真:1(800 ) 737-7018
2关键部件是一个生命的任何组件
支持设备或系统,其故障执行能
可以合理预期造成的生命的失败
支持设备或系统,或影响其安全性或
效用
美国国家半导体公司
欧洲
传真(
a
49) 0-180-530 85 86
电子邮件cnjwge tevm2 NSC COM
德语电话(
a
49) 0-180-530 85 85
电话英语(
a
49) 0-180-532 78 32
弗兰AIS电话(
a
49) 0-180-532 93 58
意大利语电话(
a
49) 0-180-534 16 80
美国国家半导体公司
(香港)有限公司
13楼直座
海洋中心5广东省
九龙尖沙咀
香港
电话:( 852 ) 1637至00年
传真:( 852 ) 2736-9960
美国国家半导体公司
日本公司
电话81-043-299-2309
传真81-043-299-2408
国家不承担任何使用电路的任何责任描述没有电路专利许可以及国家有权在任何时间,恕不另行通知更改上述电路和规格
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    MM54HC620
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    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
MM54HC620
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