MM54HC595 MM74HC595 8位移位寄存器与输出锁存器
1988年1月
MM54HC595 MM74HC595
8位移位寄存器与输出锁存器
概述
这种高速移位寄存器采用先进的硅栅
CMOS技术该器件具有高噪声
免疫和标准CMOS的低功耗
集成电路以及用于驱动15个LS -TTL的能力
负载
该器件包含一个8位串入并出移位寄
存器馈送一个8位D型存储寄存器的存储
寄存器有8个三态输出单独的时钟
同时提供了移位寄存器和存储寄存器
移位寄存器有直接压倒一切的清晰串行输入
和串行输出（标准）引脚用于级联的两个
移位寄存器和存储寄存器使用正沿触发
复位此输出时钟如果两个时钟连在一起的
移位寄存器的状态永远是一个时钟脉冲超前
存储寄存器
该54HC逻辑74HC系列是速度的功能和引脚
与标准54LS 74LS逻辑系列兼容所有
输入免受损害，由于静电放电所
内部的二极管钳位到V
CC
和地面
特点
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
低静态电流80
mA
最大（ 74HC系列）
低输入电流1
mA
最大
8位串行输入并行输出移位寄存器
与存储
宽工作电压范围为2V - 6V
级联
移位寄存器可以直接清除
保证移频DC至30兆赫
接线图
双列直插式封装
真值表
RCK
X
X
X
SCK
X
X
SCLR
X
L
H
H
G
H
L
L
L
功能
Q
A
直通Q
H
e
三州
移位寄存器清零
Q
H
e
移位寄存器时钟控制
Q
N
e
Q
n
Q
e
SER
Shift键的内容
转让注册
到输出锁存器
u
X
u
TL F 5342 - 1
顶视图
订单号MM54HC595或MM74HC595
TRI- STATE是美国国家半导体公司的注册商标。
C
1995年全国半导体公司
TL F 5342
RRD - B30M105印制在U S A
绝对最大额定值
（注1
2)
工作条件
民
电源电压V
CC
DC输入或输出电压
V
IN
V
OUT
工作温度范围（T
A
)
MM慧聪
MM慧聪
输入信号上升和下降时间
V
CC
e
V
t
r
t
f
V
CC
e
V
V
CC
e
V
b
b
如果是用于军事航空领域的专用设备是必需的
请向美国国家半导体销售
办公经销商咨询具体可用性和规格
电源电压（V
CC
)
直流输入电压（V
IN
)
直流输出电压（V
OUT
)
钳位二极管电流（I
IK
I
OK
)
b
0至5
a
7 0V
b
1 5 V
CC
a
1 5V
b
0 5 V
CC
a
0 5V
g
20毫安
最大
V
CC
单位
V
V
a
a
C
C
ns
ns
ns
g
35毫安
每个引脚的直流输出电流（I
OUT
)
g
70毫安
DC V
CC
或者每个引脚GND电流（I
CC
)
b
65℃，以
a
150 C
存储温度范围（T
英镑
)
功耗（P
D
)
（注3）
600毫瓦
仅s O包
500毫瓦
铅温度（T
L
） （焊接10秒）
260 C
DC电气特性
（注4 ）
符号
V
IH
参数
最低高层
输入电压
最大低电平
输入电压
最低高层
输出电压
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
mA
条件
V
CC
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
g
g
g
T
A
e
25 C
典型值
74HC
T
A
eb
40到85℃
54HC
T
A
eb
55 125℃
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
保证限制
V
IL
V
OH
Q
H
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
mA
l
I
OUT
l
s
mA
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
mA
l
I
OUT
l
s
mA
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
mA
Q
A
直通Q
H
V
OL
最大低电平
输出电压
Q
H
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
mA
l
I
OUT
l
s
mA
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
mA
l
I
OUT
l
s
mA
V
IN
e
V
CC
或GND
V
OUT
e
V
CC
或GND
G
e
V
IH
V
IN
e
V
CC
或GND
I
OUT
e
mA
Q
A
直通Q
H
I
IN
I
OZ
I
CC
最大输入
当前
最大的三州
输出漏
最大静态
电源电流
g
g
g
注1
绝对最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值
注2
除非另有说明，所有电压参考地
注3
功耗温度降额
塑料'' N' '包
b
12毫瓦C来自65 ℃至85℃的陶瓷'' J' '包
b
12毫瓦C来自100℃至125℃
注4
对于5V的电源
g
10％的最坏情况下的输出电压（V
OH
和V
OL
）发生对HC 4 5V因此， 4 5V的值时，应使用
与此供应最坏情况V设计
IH
和V
IL
发生在V
CC
e
分别为5 5V和4 5V （在V
IH
5 5V值为3 85V ）最坏情况下的漏电流（I
IN
I
CC
我
OZ
）发生在CMOS在较高的电压，因此在6 0V的值，应使用
V
IL
限制在V的20 ％目前正在测试
CC
上述V个
IL
V的规格（ 30 ％
CC
）将在不迟于Q1 CY'89实施
2
AC电气特性
V
CC
e
5V
符号
f
最大
t
PHL
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PZH
t
PZL
t
PHZ
t
PLZ
t
S
t
S
t
S
参数
最大工作
SCK频率
最大传播
延迟SCK为Q
H
T
A
e
25℃吨
r
e
t
f
e
6纳秒
条件
典型值
保证
极限
单位
兆赫
C
L
e
C
L
e
pF
pF
ns
ns
最大传播
延迟RCK到Q
A
直通Q
H
最大输出使能
时间从G以Q
A
直通Q
H
最大输出禁止
时间从G以Q
A
直通Q
H
最小建立时间
从SER到SCK
最小建立时间
从SCLR到SCK
最小建立时间
从SCK到RCK
见注
最小保持时间
从SER到SCK
最小脉冲宽度
SCK和RCK的
R
L
e
kX
C
L
e
pF
R
L
e
kX
C
L
e
pF
ns
ns
ns
ns
ns
t
H
t
W
ns
ns
注5
这个设置时间可确保寄存器将看到从移位寄存器稳定的数据输出的时钟可以是
连接在一起，在这种情况下，存储寄存器状态将是移位寄存器后面的一个时钟脉冲
AC电气特性
V
CC
e
2 0– 6 0V
符号
f
最大
参数
最大工作
频率
最大传播
延迟从SCK到Q
H
条件
C
L
e
pF
V
CC
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
C
L
e
50 pF的吨
r
e
t
f
e
6纳秒（除非另有规定）
T
A
e
25 C
典型值
74HC
T
A
eb
40到85℃
54HC
T
A
eb
55 125℃
单位
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
保证限制
t
PHL
t
PLH
C
L
e
C
L
e
C
L
e
C
L
e
C
L
e
C
L
e
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
t
PHL
t
PLH
最大传播
延迟从RCK到Q
A
直通Q
H
C
L
e
C
L
e
C
L
e
C
L
e
C
L
e
C
L
e
3
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