MM54HC242 MM74HC242反相四路三态收发器
MM54HC243 MM74HC243四路三态收发器
1988年1月
MM54HC242 MM74HC242
反相四路三态收发器
MM54HC243 MM74HC243四路三态收发器
概述
这些三态双向反相和非反相
缓冲区利用先进的硅栅CMOS技术和
意为双向异步通信BE-
吐温数据总线他们有较高的驱动电流输出
这使高速运转来驱动大巴士时
电容这些电路具有低功率耗散
而不能使以及与CMOS有关的高抗干扰税务局局长
cuits但是速度堪比低功耗肖特基TTL
电路也可自驾车15 LS- TTL负载
该MM54HC243 MM74HC243是一个非反相缓冲器
和MM54HC242 MM74HC242是一个反相缓冲器
每个设备具有一个活性高使能（ GBA ），以及一个
低电平有效使能（ GAB ） GBA使A输出和
GAB使B输出该设备没有
施密特触发器输入
所有的输入免受损害，由于静态显示
充电通过二极管V
CC
和地面
特点
Y
Y
Y
Y
Y
Y
典型传播延迟为12ns
三态输出
双向异步通信
高输出电流6 mA （ 74HC ）
宽电源电压范围2 - 6V
低静态电流80
mA
(74HC)
连接图
双列直插式封装
双列直插式封装
TL L 5019 -1
TL L 5019 - 2
顶视图
订单号MM54HC242或MM74HC242
顶视图
订单号MM54HC243或MM74HC243
真值表
’HC242
控制输入
GAB
H
L
H
L
GBA
H
H
L
L
数据端口状态
A
产量
隔离
隔离
输入
B
输入
隔离
隔离
产量
控制输入
GAB
H
L
H
L
GBA
H
H
L
L
’HC243
数据端口状态
A
产量
隔离
隔离
输入
B
输入
隔离
隔离
产量
TRI- STATE是美国国家半导体公司的注册商标。
C
1995年全国半导体公司
TL L 5019
RRD - B30M115印制在U S A
绝对最大额定值
（注1
2)
工作条件
电源电压（V
CC
)
DC输入或输出电压
(V
IN
V
OUT
)
工作温度范围（T
A
)
MM74HC
MM54HC
输入信号上升和下降时间
(t
r
t
f
)
V
CC
e
2 0V
V
CC
e
4 5V
V
CC
e
6 0V
民
2
0
最大
6
V
CC
单位
V
V
如果是用于军事航空领域的专用设备是必需的
请向美国国家半导体销售
办公经销商咨询具体可用性和规格
电源电压（V
CC
)
直流输入电压（V
IN
)
直流输出电压（V
OUT
)
钳位二极管电流（I
IK
I
OK
)
b
0至5
a
7 0V
b
1 5 V
CC
a
1 5V
b
0 5 V
CC
a
0 5V
g
20毫安
b
40
b
55
a
85
a
125
C
C
ns
ns
ns
g
35毫安
每个引脚的直流输出电流（I
OUT
)
g
70毫安
DC V
CC
或者每个引脚GND电流（I
CC
)
b
65℃，以
a
150 C
存储温度范围（T
英镑
)
功耗（P
D
)
（注3）
600毫瓦
仅s O包
500毫瓦
铅温度（T
L
） （焊接10秒）
260 C
1000
500
400
DC电气特性
（注4 ）
符号
参数
条件
V
CC
2 0V
4 5V
6 0V
2 0V
4 5V
6 0V
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
20
mA
2 0V
4 5V
6 0V
4 5V
6 0V
2 0V
4 5V
6 0V
4 5V
6 0V
6 0V
6 0V
6 0V
20
45
60
42
57
0
0
0
02
02
T
A
e
25 C
典型值
V
IH
最低高层
输入电压
最大低电平
输入电压
最低高层
输出电压
15
3 15
42
05
1 35
18
19
44
59
3 98
5 48
01
01
01
0 26
0 26
g
0 1
74HC
T
A
eb
40到85℃
保证限制
15
3 15
42
05
1 35
18
19
44
59
3 84
5 34
01
01
01
0 33
0 33
g
1 0
54HC
T
A
eb
55 125℃
单位
15
3 15
42
05
1 35
18
19
44
59
37
52
01
01
01
04
04
g
1 0
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
V
IL
V
OH
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
6 0毫安
l
I
OUT
l
s
7 8毫安
V
OL
最大低电平
输出电压
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
20
mA
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
6 0毫安
l
I
OUT
l
s
7 8毫安
I
IN
I
OZ
I
CC
最大输入
当前
最大TRI -STATE
输出漏电流
最大静态
电源电流
V
IN
e
V
CC
或GND
V
OUT
e
V
CC
或GND
GAB
e
V
IH
GBA
e
V
IL
V
IN
e
V
CC
或GND
I
OUT
e
0
mA
g
0 5
g
5 0
g
10
80
80
160
注1
绝对最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值
注2
除非另有说明，所有电压参考地
注3
功耗温度降额
塑料'' N' '包
b
12毫瓦C来自65 ℃至85℃的陶瓷'' J' '包
b
12毫瓦C来自100℃至125℃
注4
对于5V的电源
g
10％的最坏情况下的输出电压（V
OH
和V
OL
）发生对HC 4 5V因此， 4 5V的值时，应使用
与此供应最坏情况V设计
IH
和V
IL
发生在V
CC
e
分别为5 5V和4 5V （在V
IH
5 5V值为3 85V ）最坏情况下的漏电流（I
IN
I
CC
我
OZ
）发生在CMOS在较高的电压，因此在6 0V的值，应使用
V
IL
限制在V的20 ％目前正在测试
CC
上述V个
IL
V的规格（ 30 ％
CC
）将在不迟于Q1 CY'89实施
2
AC电气特性
(MM54HC242
V
CC
e
5V牛逼
A
e
25℃吨
r
e
t
f
e
6纳秒
符号
t
PHL
t
PLH
t
PZH
t
PZL
t
PHZ
t
PHL
参数
最大传播延迟
最大输出使能
时至输出有效
最大输出禁止
从Active输出时间
MM74HC242)
典型值
12
17
15
保证限额
18
28
25
单位
ns
ns
ns
条件
C
L
e
45 pF的
R
L
e
1kX
C
L
e
45 pF的
R
L
e
1的kX
C
L
e
5 pF的
MM74HC242 MM54HC243 MM74HC243 ）
V
CC
e
2 0V至6 0V
L
e
50 pF的吨
r
e
t
f
e
6纳秒（除非另有规定）
T
A
e
25 C
符号
t
PHL
t
PLH
参数
最大传播
延迟
条件
C
L
e
50 pF的
C
L
e
150 pF的
C
L
e
50 pF的
C
L
e
150 pF的
C
L
e
50 pF的
C
L
e
150 pF的
t
PZH
t
PZL
最大输出使能
时至输出有效
R
L
e
1的kX
C
L
e
50 pF的
C
L
e
150 pF的
C
L
e
50 pF的
C
L
e
150 pF的
C
L
e
50 pF的
C
L
e
150 pF的
t
PHZ
t
PLZ
最大输出禁止
从Active输出时间
最大输出
上升和下降
时间
功耗
电容（注5 ）
最大输入电容
最大输出电容
（每个缓冲区）
输出禁用
输出启用
R
L
e
1的kX
C
L
e
50 pF的
V
CC
典型值
2 0V
2 0V
4 5V
4 5V
6 0V
6 0V
2 0V
2 0V
4 5V
4 5V
6 0V
6 0V
2 0V
4 5V
6 0V
2 0V
4 5V
6 0V
12
50
5
10
10
20
10
20
10
20
55
80
12
22
11
18
75
100
15
30
13
17
75
15
13
100
150
20
30
17
26
150
200
30
40
26
34
150
30
26
60
12
10
74HC
T
A
eb
40到85℃
保证限制
126
190
25
38
21
32
189
252
38
50
32
43
189
38
32
75
15
13
149
224
30
45
25
38
224
298
45
60
38
51
224
45
38
90
18
15
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
pF
54HC
T
A
eb
55 125℃
单位
AC电气特性
(MM54HC242
t
TLH
t
THL
C
PD
C
IN
C
OUT
注5
C
PD
确定无负载的动态功耗P
D
e
C
PD
V
CC2
f
a
I
CC
V
CC
和空载动态电流消耗我
S
e
C
PD
V
CC
f
a
I
CC
3
MM54HC242 MM74HC242反相四路三态收发器
MM54HC243 MM74HC243四路三态收发器
1988年1月
MM54HC242 MM74HC242
反相四路三态收发器
MM54HC243 MM74HC243四路三态收发器
概述
这些三态双向反相和非反相
缓冲区利用先进的硅栅CMOS技术和
意为双向异步通信BE-
吐温数据总线他们有较高的驱动电流输出
这使高速运转来驱动大巴士时
电容这些电路具有低功率耗散
而不能使以及与CMOS有关的高抗干扰税务局局长
cuits但是速度堪比低功耗肖特基TTL
电路也可自驾车15 LS- TTL负载
该MM54HC243 MM74HC243是一个非反相缓冲器
和MM54HC242 MM74HC242是一个反相缓冲器
每个设备具有一个活性高使能（ GBA ），以及一个
低电平有效使能（ GAB ） GBA使A输出和
GAB使B输出该设备没有
施密特触发器输入
所有的输入免受损害，由于静态显示
充电通过二极管V
CC
和地面
特点
Y
Y
Y
Y
Y
Y
典型传播延迟为12ns
三态输出
双向异步通信
高输出电流6 mA （ 74HC ）
宽电源电压范围2 - 6V
低静态电流80
mA
(74HC)
连接图
双列直插式封装
双列直插式封装
TL L 5019 -1
TL L 5019 - 2
顶视图
订单号MM54HC242或MM74HC242
顶视图
订单号MM54HC243或MM74HC243
真值表
’HC242
控制输入
GAB
H
L
H
L
GBA
H
H
L
L
数据端口状态
A
产量
隔离
隔离
输入
B
输入
隔离
隔离
产量
控制输入
GAB
H
L
H
L
GBA
H
H
L
L
’HC243
数据端口状态
A
产量
隔离
隔离
输入
B
输入
隔离
隔离
产量
TRI- STATE是美国国家半导体公司的注册商标。
C
1995年全国半导体公司
TL L 5019
RRD - B30M115印制在U S A
绝对最大额定值
（注1
2)
工作条件
电源电压（V
CC
)
DC输入或输出电压
(V
IN
V
OUT
)
工作温度范围（T
A
)
MM74HC
MM54HC
输入信号上升和下降时间
(t
r
t
f
)
V
CC
e
2 0V
V
CC
e
4 5V
V
CC
e
6 0V
民
2
0
最大
6
V
CC
单位
V
V
如果是用于军事航空领域的专用设备是必需的
请向美国国家半导体销售
办公经销商咨询具体可用性和规格
电源电压（V
CC
)
直流输入电压（V
IN
)
直流输出电压（V
OUT
)
钳位二极管电流（I
IK
I
OK
)
b
0至5
a
7 0V
b
1 5 V
CC
a
1 5V
b
0 5 V
CC
a
0 5V
g
20毫安
b
40
b
55
a
85
a
125
C
C
ns
ns
ns
g
35毫安
每个引脚的直流输出电流（I
OUT
)
g
70毫安
DC V
CC
或者每个引脚GND电流（I
CC
)
b
65℃，以
a
150 C
存储温度范围（T
英镑
)
功耗（P
D
)
（注3）
600毫瓦
仅s O包
500毫瓦
铅温度（T
L
） （焊接10秒）
260 C
1000
500
400
DC电气特性
（注4 ）
符号
参数
条件
V
CC
2 0V
4 5V
6 0V
2 0V
4 5V
6 0V
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
20
mA
2 0V
4 5V
6 0V
4 5V
6 0V
2 0V
4 5V
6 0V
4 5V
6 0V
6 0V
6 0V
6 0V
20
45
60
42
57
0
0
0
02
02
T
A
e
25 C
典型值
V
IH
最低高层
输入电压
最大低电平
输入电压
最低高层
输出电压
15
3 15
42
05
1 35
18
19
44
59
3 98
5 48
01
01
01
0 26
0 26
g
0 1
74HC
T
A
eb
40到85℃
保证限制
15
3 15
42
05
1 35
18
19
44
59
3 84
5 34
01
01
01
0 33
0 33
g
1 0
54HC
T
A
eb
55 125℃
单位
15
3 15
42
05
1 35
18
19
44
59
37
52
01
01
01
04
04
g
1 0
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
V
IL
V
OH
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
6 0毫安
l
I
OUT
l
s
7 8毫安
V
OL
最大低电平
输出电压
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
20
mA
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
6 0毫安
l
I
OUT
l
s
7 8毫安
I
IN
I
OZ
I
CC
最大输入
当前
最大TRI -STATE
输出漏电流
最大静态
电源电流
V
IN
e
V
CC
或GND
V
OUT
e
V
CC
或GND
GAB
e
V
IH
GBA
e
V
IL
V
IN
e
V
CC
或GND
I
OUT
e
0
mA
g
0 5
g
5 0
g
10
80
80
160
注1
绝对最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值
注2
除非另有说明，所有电压参考地
注3
功耗温度降额
塑料'' N' '包
b
12毫瓦C来自65 ℃至85℃的陶瓷'' J' '包
b
12毫瓦C来自100℃至125℃
注4
对于5V的电源
g
10％的最坏情况下的输出电压（V
OH
和V
OL
）发生对HC 4 5V因此， 4 5V的值时，应使用
与此供应最坏情况V设计
IH
和V
IL
发生在V
CC
e
分别为5 5V和4 5V （在V
IH
5 5V值为3 85V ）最坏情况下的漏电流（I
IN
I
CC
我
OZ
）发生在CMOS在较高的电压，因此在6 0V的值，应使用
V
IL
限制在V的20 ％目前正在测试
CC
上述V个
IL
V的规格（ 30 ％
CC
）将在不迟于Q1 CY'89实施
2
AC电气特性
(MM54HC242
V
CC
e
5V牛逼
A
e
25℃吨
r
e
t
f
e
6纳秒
符号
t
PHL
t
PLH
t
PZH
t
PZL
t
PHZ
t
PHL
参数
最大传播延迟
最大输出使能
时至输出有效
最大输出禁止
从Active输出时间
MM74HC242)
典型值
12
17
15
保证限额
18
28
25
单位
ns
ns
ns
条件
C
L
e
45 pF的
R
L
e
1kX
C
L
e
45 pF的
R
L
e
1的kX
C
L
e
5 pF的
MM74HC242 MM54HC243 MM74HC243 ）
V
CC
e
2 0V至6 0V
L
e
50 pF的吨
r
e
t
f
e
6纳秒（除非另有规定）
T
A
e
25 C
符号
t
PHL
t
PLH
参数
最大传播
延迟
条件
C
L
e
50 pF的
C
L
e
150 pF的
C
L
e
50 pF的
C
L
e
150 pF的
C
L
e
50 pF的
C
L
e
150 pF的
t
PZH
t
PZL
最大输出使能
时至输出有效
R
L
e
1的kX
C
L
e
50 pF的
C
L
e
150 pF的
C
L
e
50 pF的
C
L
e
150 pF的
C
L
e
50 pF的
C
L
e
150 pF的
t
PHZ
t
PLZ
最大输出禁止
从Active输出时间
最大输出
上升和下降
时间
功耗
电容（注5 ）
最大输入电容
最大输出电容
（每个缓冲区）
输出禁用
输出启用
R
L
e
1的kX
C
L
e
50 pF的
V
CC
典型值
2 0V
2 0V
4 5V
4 5V
6 0V
6 0V
2 0V
2 0V
4 5V
4 5V
6 0V
6 0V
2 0V
4 5V
6 0V
2 0V
4 5V
6 0V
12
50
5
10
10
20
10
20
10
20
55
80
12
22
11
18
75
100
15
30
13
17
75
15
13
100
150
20
30
17
26
150
200
30
40
26
34
150
30
26
60
12
10
74HC
T
A
eb
40到85℃
保证限制
126
190
25
38
21
32
189
252
38
50
32
43
189
38
32
75
15
13
149
224
30
45
25
38
224
298
45
60
38
51
224
45
38
90
18
15
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
pF
54HC
T
A
eb
55 125℃
单位
AC电气特性
(MM54HC242
t
TLH
t
THL
C
PD
C
IN
C
OUT
注5
C
PD
确定无负载的动态功耗P
D
e
C
PD
V
CC2
f
a
I
CC
V
CC
和空载动态电流消耗我
S
e
C
PD
V
CC
f
a
I
CC
3
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