MM54HC237 MM74HC237 3至8线解码器地址锁存器
1988年1月
MM54HC237 MM74HC237
3至8线解码器地址锁存器
概述
这些器件采用先进的硅栅CMOS技
术来实现三到八线译码器与锁存器
这三个地址输入总帐时从低到
高地址出现在选择输入（ AB和C ）是
存储在锁存器只要GL仍然很高AD-无
着装的变化将被识别输出使能控制
G1和G2控制输出的状态独立于
在选择或锁存使能输入，所有的输出都低
除非G1是高和G2是低的“ HC237是理想suit-
ED对于在贮存于无干扰解码器的实现
在面向总线系统地址的应用
该54HC逻辑74HC系列是速度的功能和引脚
与标准54LS 74LS逻辑系列兼容所有
输入免受损害，由于静电放电所
二极管V
CC
和地面
特点
Y
Y
Y
Y
典型传播延迟为20ns
宽电源电压范围2 - 6V
锁存输入，轻松接口
10 LS- TTL负载扇出
接线图
双列直插式封装
TL F 5326 - 1
顶视图
订单号MM54HC237或MM74HC237
真值表
输入
启用
X
X
L
L
L
L
L
L
L
L
H
X
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
X
L
L
L
L
L
L
L
L
L
SELECT
X
X
L
L
L
L
X
X
X
X
L
L
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
输出
GL G1 G2 C B A Y0 Y1 Y2 Y3 Y4 Y5 Y6 Y7
L L
L H
H L
H H
H L L
H L ^ h
高高低
H H H
X
X
X
输出对应于存储
地址L所有其他
H
e
High级L级
e
低等级X
e
不相干
C
1995年全国半导体公司
TL F 5326
RRD - B30M105印制在U S A
绝对最大额定值
（注1
2)
工作条件
民
电源电压V
CC
DC输入或输出电压
V
IN
V
OUT
工作温度范围（T
A
)
MM慧聪
MM慧聪
输入信号上升和下降时间
V
CC
e
V
t
r
t
f
V
CC
e
V
V
CC
e
V
b
b
如果是用于军事航空领域的专用设备是必需的
请向美国国家半导体销售
办公经销商咨询具体可用性和规格
电源电压（V
CC
)
直流输入电压（V
IN
)
直流输出电压（V
OUT
)
钳位二极管电流（I
IK
I
OK
)
每个引脚的直流输出电流（I
OUT
)
DC V
CC
或者每个引脚GND电流（I
CC
)
存储温度范围（T
英镑
)
功耗（P
D
)
（注3）
仅s O包
焊接温度
(T
L
） （焊接10秒）
b
0至5
a
7 0V
b
1 5 V
CC
a
1 5V
b
0 5 V
CC
a
0 5V
g
20毫安
g
25毫安
g
50毫安
最大
V
CC
单位
V
V
a
a
C
C
ns
ns
ns
b
65℃，以
a
150 C
600毫瓦
500毫瓦
260 C
DC电气特性
（注4 ）
符号
参数
条件
V
CC
V
V
V
V
V
V
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
mA
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
g
g
g
T
A
e
25 C
典型值
74HC
T
A
eb
40到85℃
54HC
T
A
eb
55 125℃
单位
保证限制
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
mA
mA
V
IH
最低高层
输入电压
最大低电平
输入电压
最低高层
输出电压
V
IL
V
OH
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
mA
l
I
OUT
l
s
mA
V
OL
最大低电平
输出电压
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
mA
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
mA
l
I
OUT
l
s
mA
I
IN
I
CC
最大输入
当前
最大静态
电源电流
V
IN
e
V
CC
或GND
V
IN
e
V
CC
或GND
I
OUT
e
mA
注1
绝对最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值
注2
除非另有说明，所有电压参考地
注3
功耗温度降额
塑料'' N' '包
b
12毫瓦C来自65 ℃至85℃的陶瓷'' J' '包
b
12毫瓦C来自100℃至125℃
注4
对于5V的电源
g
10％的最坏情况下的输出电压（V
OH
和V
OL
）发生对HC 4 5V因此， 4 5V的值时，应使用
与此供应最坏情况V设计
IH
和V
IL
发生在V
CC
e
分别为5 5V和4 5V （在V
IH
5 5V值为3 85V ）最坏情况下的漏电流（I
IN
I
CC
我
OZ
）发生在CMOS在较高的电压，因此在6 0V的值，应使用
V
IL
限制在V的20 ％目前正在测试
CC
上述V个
IL
V的规格（ 30 ％
CC
）将在不迟于Q1 CY'89实施
2
MM54HC237 MM74HC237 3至8线解码器地址锁存器
1988年1月
MM54HC237 MM74HC237
3至8线解码器地址锁存器
概述
这些器件采用先进的硅栅CMOS技
术来实现三到八线译码器与锁存器
这三个地址输入总帐时从低到
高地址出现在选择输入（ AB和C ）是
存储在锁存器只要GL仍然很高AD-无
着装的变化将被识别输出使能控制
G1和G2控制输出的状态独立于
在选择或锁存使能输入，所有的输出都低
除非G1是高和G2是低的“ HC237是理想suit-
ED对于在贮存于无干扰解码器的实现
在面向总线系统地址的应用
该54HC逻辑74HC系列是速度的功能和引脚
与标准54LS 74LS逻辑系列兼容所有
输入免受损害，由于静电放电所
二极管V
CC
和地面
特点
Y
Y
Y
Y
典型传播延迟为20ns
宽电源电压范围2 - 6V
锁存输入，轻松接口
10 LS- TTL负载扇出
接线图
双列直插式封装
TL F 5326 - 1
顶视图
订单号MM54HC237或MM74HC237
真值表
输入
启用
X
X
L
L
L
L
L
L
L
L
H
X
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
X
L
L
L
L
L
L
L
L
L
SELECT
X
X
L
L
L
L
X
X
X
X
L
L
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
输出
GL G1 G2 C B A Y0 Y1 Y2 Y3 Y4 Y5 Y6 Y7
L L
L H
H L
H H
H L L
H L ^ h
高高低
H H H
X
X
X
输出对应于存储
地址L所有其他
H
e
High级L级
e
低等级X
e
不相干
C
1995年全国半导体公司
TL F 5326
RRD - B30M105印制在U S A
绝对最大额定值
（注1
2)
工作条件
民
电源电压V
CC
DC输入或输出电压
V
IN
V
OUT
工作温度范围（T
A
)
MM慧聪
MM慧聪
输入信号上升和下降时间
V
CC
e
V
t
r
t
f
V
CC
e
V
V
CC
e
V
b
b
如果是用于军事航空领域的专用设备是必需的
请向美国国家半导体销售
办公经销商咨询具体可用性和规格
电源电压（V
CC
)
直流输入电压（V
IN
)
直流输出电压（V
OUT
)
钳位二极管电流（I
IK
I
OK
)
每个引脚的直流输出电流（I
OUT
)
DC V
CC
或者每个引脚GND电流（I
CC
)
存储温度范围（T
英镑
)
功耗（P
D
)
（注3）
仅s O包
焊接温度
(T
L
） （焊接10秒）
b
0至5
a
7 0V
b
1 5 V
CC
a
1 5V
b
0 5 V
CC
a
0 5V
g
20毫安
g
25毫安
g
50毫安
最大
V
CC
单位
V
V
a
a
C
C
ns
ns
ns
b
65℃，以
a
150 C
600毫瓦
500毫瓦
260 C
DC电气特性
（注4 ）
符号
参数
条件
V
CC
V
V
V
V
V
V
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
mA
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
g
g
g
T
A
e
25 C
典型值
74HC
T
A
eb
40到85℃
54HC
T
A
eb
55 125℃
单位
保证限制
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
mA
mA
V
IH
最低高层
输入电压
最大低电平
输入电压
最低高层
输出电压
V
IL
V
OH
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
mA
l
I
OUT
l
s
mA
V
OL
最大低电平
输出电压
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
mA
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
mA
l
I
OUT
l
s
mA
I
IN
I
CC
最大输入
当前
最大静态
电源电流
V
IN
e
V
CC
或GND
V
IN
e
V
CC
或GND
I
OUT
e
mA
注1
绝对最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值
注2
除非另有说明，所有电压参考地
注3
功耗温度降额
塑料'' N' '包
b
12毫瓦C来自65 ℃至85℃的陶瓷'' J' '包
b
12毫瓦C来自100℃至125℃
注4
对于5V的电源
g
10％的最坏情况下的输出电压（V
OH
和V
OL
）发生对HC 4 5V因此， 4 5V的值时，应使用
与此供应最坏情况V设计
IH
和V
IL
发生在V
CC
e
分别为5 5V和4 5V （在V
IH
5 5V值为3 85V ）最坏情况下的漏电流（I
IN
I
CC
我
OZ
）发生在CMOS在较高的电压，因此在6 0V的值，应使用
V
IL
限制在V的20 ％目前正在测试
CC
上述V个
IL
V的规格（ 30 ％
CC
）将在不迟于Q1 CY'89实施
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