MM54HC195 MM74HC195 4位并行移位寄存器
1995年11月
MM54HC195 MM74HC195
4位并行移位寄存器
概述
该MM54HC195 MM74HC195是一个高速4位移位
寄存器采用先进的硅栅CMOS技
曲线gy为实现低功耗和高噪声
与标准CMOS免疫集成电路
开车10 LS- TTL负载在LS型速度的能力
该移位寄存器具有并行输入，并行输出J-
串行输入SHIFT负荷控制输入和直接
覆盖CLEAR该移位寄存器可以通过以下两种操作
模式从Q并行加载SHIFT
A
对Q
D
平行装载是通过将四个位来完成
数据并采取转移加载控制输入为低的
数据被加载到所述相关联的触发器，并显示在
之后在时钟输入的上升沿输出
在并行加载串行数据流被禁止串行
发生移位的同步转移加载CON-时
控制输入为高电平的串行数据，该模式下输入在
JK输入，这些输入可在第一阶段进行的
JK或双稳态的真值表触发器如图所示
该54HC逻辑74HC系列在功能和引脚
用标准54LS 74LS逻辑系列兼容
所有的输入免受损害，由于静态显示
负责内部二极管钳位到V
CC
和地面
特点
Y
Y
Y
Y
Y
Y
典型工作频率为45 MHz的
典型传播延迟16纳秒（时钟Q）
宽工作电源电压范围2 - 6V
低输入电流1
mA
最大
低静态电流80
mA
最大（ 74HC系列）
10 LS- TTL负载扇出
接线图
双列直插式封装
TL F 5324 - 1
顶视图
订单号MM54HC195或MM74HC195
功能表
输入
清除移位时钟
负载
L
H
H
H
H
H
H
X
L
H
H
H
H
H
X
串行
J
X
X
X
L
L
H
H
K
X
X
X
H
L
H
L
并行
A B C D
X
a
X
X
X
X
X
X
b
X
X
X
X
X
X
c
X
X
X
X
X
Q
A
输出
Q
B
Q
C
Q
D
Q
D
H
d
Q
D0
Q
Cn
Q
Cn
Q
Cn
Q
Cn
H
e
高水平（稳态）
L
e
低电平（稳态）
X
e
无关（任何输入包括转换）
e
到高电平的过渡，从低
A B C D
e
在稳态输入电平输入A B C
或D分别
Q
A0
Q
B0
Q
C0
Q
D0
e
Q的水平
A
Q
B
Q
C
或Q
D
分别表示稳态输入条件之前
以及病人建立
Q
An
Q
Bn
Q
Cn
e
Q的水平
A
Q
B
Q
C
分别
最-最近的时钟的转变前
u
u
L
u
u
u
u
x长
L
L
L
D A
b
c
d
X Q
A0
Q
B0
Q
C0
Q
D0
X Q
A0
Q
A0
Q
Bn
Q
Cn
X l问
An
Q
Bn
Q
Cn
x高Q
An
Q
Bn
Q
Cn
X Q
An
Q
An
Q
Bn
Q
Cn
C
1995年全国半导体公司
TL F 5324
RRD - B30M115印制在U S A
绝对最大额定值
（注1
2)
工作条件
民
电源电压V
CC
DC输入或输出电压
V
IN
V
OUT
工作温度范围（T
A
)
MM慧聪
MM慧聪
输入信号上升和下降时间
V
CC
e
V
t
r
t
f
V
CC
e
V
V
CC
e
V
b
b
如果是用于军事航空领域的专用设备是必需的
请向美国国家半导体销售
办公经销商咨询具体可用性和规格
电源电压（V
CC
)
直流输入电压（V
IN
)
直流输出电压（V
OUT
)
钳位二极管电流（I
IK
I
OK
)
b
0至5
a
7 0V
b
1 5 V
CC
a
1 5V
b
0 5 V
CC
a
0 5V
g
20毫安
最大
V
CC
单位
V
V
a
a
C
C
ns
ns
ns
g
25毫安
每个引脚的直流输出电流（I
OUT
)
g
50毫安
DC V
CC
或者每个引脚GND电流（I
CC
)
b
65℃，以
a
150 C
存储温度范围（T
英镑
)
功耗（P
D
)
（注3）
600毫瓦
仅s O包
500毫瓦
铅温度（T
L
） （焊接10秒）
260 C
DC电气特性
（注4 ）
符号
参数
条件
V
CC
2 0V
4 5V
6 0V
2 0V
4 5V
6 0V
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
20
mA
2 0V
4 5V
6 0V
4 5V
6 0V
2 0V
4 5V
6 0V
4 5V
6 0V
6 0V
6 0V
20
45
60
42
57
0
0
0
02
02
T
A
e
25 C
典型值
V
IH
最低高层
输入电压
最大低电平
输入电压
最低高层
输出电压
15
3 15
42
05
1 35
18
19
44
59
3 98
5 48
01
01
01
0 26
0 26
g
0 1
74HC
T
A
eb
40到85℃
保证限制
15
3 15
42
05
1 35
18
19
44
59
3 84
5 34
01
01
01
0 33
0 33
g
1 0
54HC
T
A
eb
55 125℃
单位
15
3 15
42
05
1 35
18
19
44
59
37
52
01
01
01
04
04
g
1 0
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
mA
mA
V
IL
V
OH
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
4 0毫安
l
I
OUT
l
s
5 2毫安
V
OL
最大低电平
输出电压
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
20
mA
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
4 0毫安
l
I
OUT
l
s
5 2毫安
I
IN
I
CC
最大输入
当前
最大静态
电源电流
V
IN
e
V
CC
或GND
V
IN
e
V
CC
或GND
I
OUT
e
0
mA
80
80
160
注1
绝对最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值
注2
除非另有说明，所有电压参考地
注3
功耗温度降额
塑料'' N' '包
b
12毫瓦C来自65 ℃至85℃的陶瓷'' J' '包
b
12毫瓦C来自100℃至125℃
注4
与此供应最坏情况V设计
IH
和V
IL
发生在V
CC
e
分别为5 5V和4 5V （在V
IH
5 5V值为3 85V ）最坏情况下的漏电流（I
IN
I
CC
我
OZ
）发生在CMOS在较高的电压，因此在6 0V的值，应使用
V
IL
限制在V的20 ％目前正在测试
CC
上述V个
IL
V的规格（ 30 ％
CC
）将在不迟于Q1 CY'89实施
对于5V的电源
g
10％的最坏情况下的输出电压（V
OH
和V
OL
）发生对HC 4 5V因此， 4 5V的值时，应使用
2
QQ：2880707522 复制
