MM54HC123A MM74HC123A双可重触发单稳多谐振荡器
1988年1月
MM54HC123A MM74HC123A
双可重触发单稳多谐振荡器
概述
该MM54 74HC123A高速单稳态multivibra-
器（一个镜头）采用了先进的硅栅CMOS技
术它们的特点是速度相媲美的低功耗
肖特基TTL电路，同时保持低功耗和
CMOS电路的高抗噪声特性
每多谐振荡器同时具有负的A和位置
略去B跳变触发输入其中任何一个都可以
使用作为一个禁止输入端还包括的是一个明确的输入即
当采取低复位一次性的“ HC123可以
触发明确的积极转变，而A是
保持低和B是高举
在“ HC123A是可重触发也就是说它可以被触发
反复而他们的输出产生脉冲，并
脉冲将延伸
脉冲宽度稳定在一个很宽的温度范围内和
电源采用线性CMOS技术的输出来实现
把脉冲式简直是PW
e
(R
EXT
) (C
EXT
），其中PW
以秒为单位，R是在欧姆和C的单位为法拉的所有输入都
防止损坏，由于静电放电由二极管
V
CC
和地面
特点
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
典型传播延迟25纳秒
宽电源电压范围为2V - 6V
低静态电流80
mA
最大（ 74HC系列）
低输入电流1
mA
最大
10 LS- TTL负载扇出
简单的脉冲宽度公式牛逼
e
RC
宽脉冲范围为400 ns至
%
（典型值）
部分之间的变化
g
5 ％ （典型值）
施密特触发器输入AB能无限信号输入
上升和下降时间
接线图
双列直插式封装
定时元件
记
6脚和14脚必须
硬连接到GND
TL F 5206 - 2
TL F 5206 - 1
顶视图
订单号MM54HC123A或MM74HC123A
真值表
输入
明确
L
X
X
H
H
A
X
H
X
L
B
X
X
L
Q
L
L
L
输出
Q
H
H
H
H
e
高层
L
e
低层
u
e
v
e
过渡从低到高
由高向低的转变
e
一个高电平脉冲
e
一个低电平脉冲
u
H
H
X
e
不相干
v
L
u
C
1995年全国半导体公司
TL F 5206
RRD - B30M105印制在U S A
绝对最大额定值
（注1
2)
工作条件
民
电源电压V
CC
DC输入或输出电压
V
IN
V
OUT
工作温度范围（T
A
)
MM慧聪
MM慧聪
输入信号上升和下降时间
（清除输入）
V
CC
e
V
t
r
t
f
V
CC
e
V
V
CC
e
V
b
b
如果是用于军事航空领域的专用设备是必需的
请向美国国家半导体销售
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电源电压（V
CC
)
直流输入电压（V
IN
)
直流输出电压（V
OUT
)
钳位二极管电流（I
IK
I
OK
)
每个引脚的直流输出电流（I
OUT
)
DC V
CC
或者每个引脚GND电流（I
CC
)
存储温度范围（T
英镑
)
功耗（P
D
)
（注3）
仅s O包
引线温度（T
L
)
（焊接10秒）
b
0至5V
a
7 0V
b
1 5V至V
CC
a
1 5V
b
0 5V至V
CC
a
0 5V
g
20毫安
g
25毫安
g
50毫安
最大
V
CC
单位
V
V
a
a
C
C
b
65℃，以
a
150 C
ns
ns
ns
600毫瓦
500毫瓦
260 C
DC电气特性
（注4 ）
符号
V
IH
参数
最低高电平输入
电压
最大低电平输入
电压
最低高层
输出电压
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
mA
条件
V
CC
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
g
g
g
T
A
e
25 C
典型值
74HC
T
A
eb
40到85℃
54HC
T
A
eb
55 125℃
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
保证限制
V
IL
V
OH
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
mA
l
I
OUT
l
s
mA
V
OL
最大低电平
输出电压
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
mA
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
mA
l
I
OUT
l
s
mA
I
IN
I
IN
I
CC
I
CC
最大输入电流
引脚
最大输入电流
所有其他引脚
最大静态电源
待机电流
最大有效供应
目前每
单稳态
V
IN
e
V
CC
或GND
V
IN
e
V
CC
或GND
V
IN
e
V
CC
或GND
I
OUT
e
mA
V
IN
e
V
CC
或GND
R C
EXT
e
V
CC
g
g
g
注1
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值
注2
除非另有说明，所有电压参考地
注3
功耗温度降额
塑料'' N' '包
b
12MW C来自65 ℃至85℃
陶瓷'' J' '套餐
b
12MW C来自100℃至125℃
注4
对于5V的电源
g
10％的最坏情况下的输出电压（V
OH
V
OL
）在设计时会发生HC 4 5V因此， 4 5V值应使用
与此供应最坏情况下的V
IH
和V
IL
发生在V
CC
e
分别为5 5V和4 5V （在V
IH
5 5V值为3 85V ）的最坏情况下的漏电流（I
IN
I
CC
和
I
OZ
）发生在CMOS在较高的电压，因此在6 0V的值，应使用
2
体管
EXT
对V
CC
当C两端的电压
EXT
等于V
REF2
比较器C2的状态改变引起的
输出锁存器复位（ Q变为低电平） ，而在同一时间
禁止比较器C2这结束与时间周期
单稳态在静止状态，等待下一次触发
GER
当触发输入B进入到有效的触发也承认
从GND到V
CC
（当输入A为GND和输入明确的是
在V
CC
k
）的“ HC123A还可以触发时明确
云从GND到V
CC
（而A是在GND和B是
V
CC
o
)
但是应当注意的是，在静止状态C
EXT
完全
充电到V
CC
使电流通过电阻器R
EXT
to
零两个比较器''关' ，总装置
由于目前只对反向泄漏结的加入
的' HC123A的特征是输出锁存器被通过在 - 定
放扳机不考虑到电容器的电压。因此prop-
从触发到Q agation延迟独立的价值
的C
EXT
R
EXT
或输入波形的占空比
RETRIGGER操作
如果有效触发时，会出现“ HC123A是再次触发
l
跟着
另一个触发lowed
m
之前的Q输出具有重
转向静态（零）状态之后的任何重新触发
定时节点处的电压R C的
EXT
脚已经开始上升
从V
REF1
但还没有达到V
REF2
会导致
提高输出脉冲宽度T当一个有效的再触发是
开始
m
在R C上的电压
EXT
脚将再次下降到
V
REF1
沿着RC充电曲线前进前
对V
CC
Q输出将保持高电平，直到在时间T
最后一个有效的再触发
由于触发控制电路触发器复位不久自动对焦
之三
X
已放电至较低的基准电压
参考电路的最小重新触发时间t
rr
是一个函数
内部传播延迟和C的放电时间的
X
t
rr
20
a
187
V
CC
b
0 7
a
565
a
(0 256 V
CC
) C
X
V
CC
b
0 7
2
另一种去除再触发一次发生在很短的明确
脉搏是用来当收到一个清晰的一杆必须的
对电容充电到上触发点之前的
一出手就是准备好接收下一个触发这个时间是
取决于所使用的电容器和近似
t
rr
e
196
a
640
V
CC
b
0 7
a
522
a
(0 3 V
CC
) C
X
ns
(V
CC
b
0 7)
2
复位操作
其中一个镜头可能的生成过程中被重置
输出脉冲在操作中的输入脉冲的复位模式
清晰套复位锁存器，并导致电容器是
快速充电至V
CC
通过导通晶体管Q1
n
当
电容器上的电压达到V
REF2
复位锁存器
将清除，然后准备好接受另一个脉冲如果
清除输入为低电平时发生会有什么触发输入
输出锁存器的抑制，而Q和Q输出将
不会改变由于Q输出复位当输入低电平
水平上清除检测到的输入输出脉冲T能够
制成显著小于最小脉冲宽度
规范
典型的毫秒脉冲宽度
变化与电源
典型的输出脉冲宽度与
时序组件
输出的典型分布
脉冲宽度部分之间的
TL F 5206- 7
TL F 5206 - 8
TL F 5206 - 9
最低
EXT
vs
电源电压
典型的毫秒脉冲宽度
变化与温度
TL F 5206 - 10
TL F 5206 - 11
记
R和C不经受温度的C是聚丙烯
5
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