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2013罗彻斯特电子有限责任公司。版权所有03252013
54/74C89
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罗彻斯特电子有限公司保证其半导体产品的性能达到了原来的OEM规格。 “典型”值供参考
只。一定的最小或最大额定值可根据产品的特性，设计，仿真，或样品测试。罗彻斯特电子有限公司储备
有权更改，恕不另行通知任何规格于此。
规格编号54_74C89 -CM （ N） REV C
规格编号： 54C89J / B REV 。 - PAGE ： 9
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54/74C89
罗切斯特订购指南
罗切斯特型号
MM54C89J
MM54C89J/B
MM54C89W
MM54C89W/B
MM54C89D
MM54C89D/B
MM54C89F
MM74C89J
MM74C89N
美国国家半导体公司
产品型号
MM54C89J
MM54C89J/883
MM54C89W
MM54C89W/883
MM54C89D
MM54C89D/883
MM54C89F
MM74C89J
MM74C89N
包
CDIP-16
CDIP-16
SOP- 16 ，陶瓷
SOP- 16 ，陶瓷
CDIP-16
CDIP-16
FP- 16 ，陶瓷
CDIP-16
PDIP-16
温度
-55 °C至+ 125°C
-55 °C至+ 125°C
-55 °C至+ 125°C
-55 °C至+ 125°C
-55 °C至+ 125°C
-55 °C至+ 125°C
-55 °C至+ 125°C
-40 °C至+ 85°C
-40 °C至+ 85°C
规格编号54_74C89 -CM （ N） REV C
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54/74C89
规格编号： 54C89J / B REV 。 - PAGE ： 10 14
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规格编号54_74C89 -CM （ N） REV C
页面
规格编号： 54C89J / B REV 。 - PAGE ： 10 14
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规格编号54_74C89 -CM （ N） REV C
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规格编号： 54C89J / B REV 。 - PAGE ： 11 14
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54/74C89
规格编号54_74C89 -CM （ N） REV C
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规格编号： 54C89J / B REV 。 - PAGE ： 12 14
–
N
EW
P
RODUCT
I
导论 -
MM54C89J
罗彻斯特电子公司重新推出，并继续与全面生产急需的半导体
原制造商的授权和注重质量达到或超过原来的组成部分。
原始制造商：
MM54C89J
重新引入由
罗彻斯特电子的
原型号：
MM54C89J
描述：
64位SRAM
包装：
16引脚DIP
生产流程：
MTO
生产类型：
从原国家半导体晶圆制成
[温度/封装类型/速度/应用]
一月12 ， 2012
相关器件
MM54C89J/B
MM54C89D
MM54C89W
MM54C89W/B
MM54C89F
MM74C89J
MM74C89N
军用温度SRAM
该MM54C89 / MM74C89是一个16字由4位随机
DOM访问读/写存储器。输入到所述存储器
由四根地址线，四个数据输入线，
一个写使能线和一个存储器使能线。该
四位二进制地址输入内部解码
选择每个的16个可能的字的位置。
采用16引脚陶瓷DIP封装
它具有3.0V至宽电源电压范围
15V和1.0V的保证噪声容限。四
三态数据输出线工作
与所述存储器使能一起
输入提供了方便的内存扩展。
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