MM54C85 MM74C85 4位幅度比较
1989年9月
MM54C85 MM74C85 4位幅度比较
概述
该MM54C85 MM74C85是一个4位的大小compara-
器将执行二进制或BCD的比较
码的电路由八个比较输入端（A0
A1 A2 A3 B0 B1 B2 B3 ） 3级联输入（A
l
B
A
k
B和A
e
B）和三个输出（A
l
B一
k
B和
A
e
B）本设备比较两个4位字（ A和B）
并确定它们是否''大于''''少
比' '或''等于''彼此通过一个高级别上了合
priate输出的话对于大于4位单位可以是
通过连接输出（A级联
l
B一
k
B和
A
e
所述至少显著阶段B）中的级联输入端
(A
l
B一
k
B和A
e
B）下一个显著阶段的
此外，至少显著阶段必须具有高的电平
电压（V
IN(1)
）施加到A
e
B输入端和低电平
电压（V
IN(0)
）应用到A
l
B和A
k
B输入
特点
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
宽电源电压范围
保证噪声容限
高噪声抗扰度
低功耗
TTL兼容
可扩展到'N'阶段
适用于二进制或BCD
低功耗引脚排列54L85 74L85
3 0V至15V
1 0V
0 4 V
CC
（典型值）
扇出的2
驾驶74L
逻辑图
TL F 5886 - 1
C
1995年全国半导体公司
TL F 5886
RRD - B30M105印制在U S A
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事航空领域的专用设备是必需的
请向美国国家半导体销售
办公经销商咨询具体可用性和规格
电压的任何引脚
工作温度范围
MM54C85
MM74C85
存储温度范围
b
0 3V至V
CC
a
0 3V
b
55 ℃
a
125 C
b
40℃
a
85 C
b
65℃，以
a
150 C
功耗（P
D
)
双列直插式
小尺寸
工作V
CC
范围
V
CC
焊接温度
（焊接10秒）
700毫瓦
500毫瓦
3 0V至15V
18V
260 C
DC电气特性
民
符号
CMOS到CMOS
V
IN(1)
V
IN(0)
V
OUT(1)
V
OUT(0)
I
IN(1)
I
IN(0)
I
CC
V
IN(1)
V
IN(0)
V
OUT(1)
V
OUT(0)
逻辑' 1'， '输入电压
逻辑'' 0 ''输入电压
逻辑' 1 '输出电压
逻辑' 0 '输出电压
逻辑' 1'， '输入电流
逻辑'' 0 ''输入电流
电源电流
逻辑' 1'， '输入电压
逻辑'' 0 ''输入电压
逻辑' 1 '输出电压
逻辑' 0 '输出电压
参数
最高限额适用于整个温度范围内，除非另有说明
条件
民
35
80
15
20
45
90
05
10
0 005
b
1 0
b
0 005
典型值
最大
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
mA
mA
V
CC
e
5 0V
V
CC
e
10V
V
CC
e
5 0V
V
CC
e
10V
V
CC
e
5 0V我
O
E B
10
mA
V
CC
e
10V我
O
E B
10
mA
V
CC
e
5 0V我
O
E A
10
mA
V
CC
e
10V我
O
E A
10
mA
V
CC
e
15V V
IN
e
15V
V
CC
e
15V V
IN
e
0V
V
CC
e
15V
54C V
CC
e
4 5V
74C V
CC
e
4 75V
54C V
CC
e
4 5V
74C V
CC
e
4 75V
54C V
CC
e
4 5V I
O
E B
360
mA
74C V
CC
e
4 75V我
O
E B
360
mA
54C V
CC
e
4 5V I
O
e
360
mA
74C V
CC
e
4 75V我
O
e
360
mA
V
CC
e
5 0V V
OUT
e
0V
T
A
e
25 C
V
CC
e
10V V
OUT
e
0V
T
A
e
25 C
V
CC
e
5 0V V
OUT
e
V
CC
T
A
e
25 C
V
CC
e
10V V
OUT
e
V
CC
T
A
e
25 C
10
300
0 05
V
CC
b
1 5
V
CC
b
1 5
mA
V
V
CMOS LPTTL接口
08
08
24
24
04
04
V
V
V
V
V
V
输出驱动器（见54C 74C家族特征数据表） （短路电流）
I
来源
I
来源
I
SINK
I
SINK
输出源电流
（ P沟道）
输出源电流
（ P沟道）
输出灌电流
（ N沟道）
输出灌电流
（ N沟道）
b
1 75
b
8 0
b
3 3
b
15
mA
mA
mA
mA
1 75
80
36
16
AC电气特性
符号
t
pd
参数
从任何传播延迟
或B数据输入到任何
数据输出
从传播延迟时间
任何级联输入到
任何输出
输入电容
功率耗散电容
T
A
e
25 C C
L
e
为50 pF ，除非另有说明
条件
V
CC
e
50V
V
CC
e
10V
V
CC
e
50V
V
CC
e
10V
任何Inupt
（注3 ）每包
民
典型值
250
100
200
100
50
45
最大
600
300
500
250
单位
ns
ns
ns
ns
pF
pF
t
pd
C
IN
C
PD
AC参数都保证了DC相关测试
注1
''绝对最大额定值''是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证除'工作温度范围''
它们不意味着暗示该设备应在这些限制下操作的''电气特性“”该表提供了条件，实际的设备
手术
注2
电容是由周期性检测保证
注3
C
PD
决定任何CMOS器件有关完整说明，请参见54C 74C系列的特点应用笔记的空载交流电耗
AN-90
2
MM54C85 MM74C85 4位幅度比较
物理尺寸
英寸（毫米）
陶瓷双列直插式封装（J ）
订单号MM54C85J或MM74C85J
NS包装数J14A
模压双列直插式封装（ N）
订单号MM54C85N或MM74C85N
NS包装数N16E
生命支持政策
美国国家半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统未经明确的书面许可，国家总统
半导体公司如本文所用
1生命支持设备或系统设备或
其中（ a）打算通过外科手术移植系统
进入体内或（b ）支持或维持生命，其
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明即可
可合理预期会导致在一个显著的伤害
向用户
美国国家半导体公司
公司
1111西巴丁路
阿灵顿德克萨斯州76017
联系电话：1（800 ） 272-9959
传真：1（800 ） 737-7018
2关键部件是一个生命的任何组件
支持设备或系统，其故障执行能
可以合理预期造成的生命的失败
支持设备或系统，或影响其安全性或
效用
美国国家半导体公司
欧洲
传真（
a
49) 0-180-530 85 86
电子邮件cnjwge tevm2 NSC COM
德语电话（
a
49) 0-180-530 85 85
电话英语（
a
49) 0-180-532 78 32
弗兰AIS电话（
a
49) 0-180-532 93 58
意大利语电话（
a
49) 0-180-534 16 80
美国国家半导体公司
（香港）有限公司
13楼直座
海洋中心5广东省
九龙尖沙咀
香港
电话：（ 852 ） 1637至00年
传真：（ 852 ） 2736-9960
美国国家半导体公司
日本公司
电话81-043-299-2309
传真81-043-299-2408
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