【MM3Z2B4~MM3ZB75硅平面齐纳二极管钉扎特点功耗： 300毫瓦齐纳电压容差： ± 2 ％针】,IC型号MM3Z9B1,MM3Z9B1 PDF资料,MM3Z9B1经销商,ic,电子元器件-51电子网

MM3Z2B4~MM3ZB75

硅平面齐纳二极管

钉扎

特点

功耗： 300毫瓦

齐纳电压容差： ± 2 ％

针

描述

阴极

阳极

顶视图

简体外形SOD- 323和符号

绝对最大额定值（T

= 25

参数

总功耗

结温

存储温度范围

符号

合计

价值

300

150

- 55至+ 150

单位

特点在T

= 25

参数

热阻结到环境空气

正向电压

在我

= 10毫安

符号

θJA

马克斯。

625

0.9

单位

C / W

SEMTECH ELECTRONICS LTD 。

（子公司

泰丰国际集团有限公司，公司

在香港联交所上市，股票代码： 724 ）

日期： 31/10/2007

MM3Z2B4~MM3ZB75

TYPE

记号

CODE

齐纳电压范围

ZNOM

2.5

为

2.352…2.448

2.646…2.754

2.94…3.06

3.234…3.366

3.528…3.672

3.822…3.978

4.214…4.386

4.606…4.794

4.998…5.202

5.488…5.712

6.076…6.324

6.664…6.936

7.35…7.65

8.036…8.364

8.918…9.282

9.8…10.2

10.78…11.22

11.76…12.24

12.74…13.26

14.7…15.3

15.68…16.32

17.64…18.36

19.6…20.4

21.56…22.44

23.52…24.48

26.46…27.54

29.4…30.6

32.34…33.66

35.28…36.72

38.22…39.78

42.14…43.86

46.06…47.94

49.98…52.02

54.88…57.12

60.76…63.24

66.64…69.36

73.5…76.5

动态阻抗

（ MAX 。）

反向漏电流

（ MAX 。）

μA

120

0.5

0.1

0.2

在V

1.5

2.5

3.5

在我

100

110

120

130

100

130

150

180

200

250

300

MM3Z2B4

2.4

MM3Z2B7

2.7

MM3Z3B0

3.0

MM3Z3B3

3.3

MM3Z3B6

3.6

MM3Z3B9

3.9

MM3Z4B3

4.3

MM3Z4B7

4.7

MM3Z5B1

5.1

MM3Z5B6

5.6

MM3Z6B2

6.2

MM3Z6B8

6.8

MM3Z7B5

7.5

MM3Z8B2

8.2

MM3Z9B1

9.1

MM3ZB10

MM3ZB11

MM3ZB12

MM3ZB13

MM3ZB15

MM3ZB16

MM3ZB18

MM3ZB20

MM3ZB22

MM3ZB24

MM3ZB27

MM3ZB30

MM3ZB33

MM3ZB36

MM3ZB39

MM3ZB43

MM3ZB47

MM3ZB51

MM3ZB56

MM3ZB62

MM3ZB68

MM3ZB75

用脉冲（ 20毫秒）进行测试。

300

功耗： P合计（MW ）

200

100

环境温度： TA（ C）

150

降额曲线

SEMTECH ELECTRONICS LTD 。

（子公司

泰丰国际集团有限公司，公司

在香港联交所上市，股票代码： 724 ）

日期： 31/10/2007

MM3Z2B4~MM3ZB75

包装外形

塑料表面贴装封装; 2引线

SOD-323

单位

1.10

0.80

0.40

0.25

0.15

0.00

1.80

1.60

1.35

1.15

2.80

2.30

SEMTECH ELECTRONICS LTD 。

（子公司

泰丰国际集团有限公司，公司

在香港联交所上市，股票代码： 724 ）

日期： 31/10/2007

MM3Z2B4~MM3ZB75

硅平面齐纳二极管

钉扎

特点

功耗： 300毫瓦

齐纳电压容差： ± 2 ％

针

描述

阴极

阳极

顶视图

简体外形SOD- 323和符号

绝对最大额定值（T

= 25

参数

总功耗

结温

存储温度范围

符号

合计

英镑

价值

300

150

- 55至+ 150

单位

特点在T

= 25

参数

热阻结到环境空气

正向电压

在我

= 10毫安

符号

θJA

马克斯。

417

0.9

单位

C / W

１　

金隅

半导体

www.htsemi.com

Ｄ½½½：２０１１／０５

MM3Z2B4~MM3ZB75

TYPE

MM3Z2B4

MM3Z2B7

MM3Z3B0

MM3Z3B3

MM3Z3B6

MM3Z3B9

MM3Z4B3

MM3Z4B7

MM3Z5B1

MM3Z5B6

MM3Z6B2

MM3Z6B8

MM3Z7B5

MM3Z8B2

MM3Z9B1

MM3ZB10

MM3ZB11

MM3ZB12

MM3ZB13

MM3ZB15

MM3ZB16

MM3ZB18

MM3ZB20

MM3ZB22

MM3ZB24

MM3ZB27

MM3ZB30

MM3ZB33

MM3ZB36

MM3ZB39

MM3ZB43

MM3ZB47

MM3ZB51

MM3ZB56

MM3ZB62

MM3ZB68

MM3ZB75

记号

CODE

齐纳电压范围

ZNOM

2.4

2.7

3.0

3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

5.1

5.6

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

2.5

为

2.352…2.448

2.646…2.754

2.94…3.06

3.234…3.366

3.528…3.672

3.822…3.978

4.214…4.386

4.606…4.794

4.998…5.202

5.488…5.712

6.076…6.324

6.664…6.936

7.35…7.65

8.036…8.364

8.918…9.282

9.8…10.2

10.78…11.22

11.76…12.24

12.74…13.26

14.7…15.3

15.68…16.32

17.64…18.36

19.6…20.4

21.56…22.44

23.52…24.48

26.46…27.54

29.4…30.6

32.34…33.66

35.28…36.72

38.22…39.78

42.14…43.86

46.06…47.94

49.98…52.02

54.88…57.12

60.76…63.24

66.64…69.36

73.5…76.5

动态阻抗

（ MAX 。）

反向漏电流

（ MAX 。）

μA

120

0.5

0.1

0.2

在V

1.5

2.5

3.5

100

110

120

130

100

130

150

180

200

250

300

在我

用脉冲（ 20毫秒）进行测试。

300

功耗： P合计（MW ）

200

100

环境温度： TA（ C）

150

降额曲线

２

金隅

半导体

www.htsemi.com

Ｄ½½½：２０１１／０５

MM3Z2B4~MM3ZB75

包装外形

塑料表面贴装封装; 2引线

SOD-323

单位

1.10

0.80

0.40

0.25

0.15

0.10

1.80

1.60

1.35

1.15

2.80

2.30

３

金隅

半导体

www.htsemi.com

Ｄ½½½：２０１１／０５

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3029

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12600

SOD323

原装正品

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原装正品，支持实单

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SOD323

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SOD323

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联系人：销售部

地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房

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2024

20918

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