德昌
半导体
200mW的SOD- 323表面贴装
小外形扁平引脚塑料封装
齐纳稳压器
绝对最大额定值
符号
P
D
T
英镑
T
OPR
功耗
存储温度范围
工作温度范围
T
A
= 25 ° C除非另有说明
价值
200
-65到+150
-65到+150
单位
mW
°C
°C
绿色产品
参数
这些额定值的限制值,超过该二极管的适用性可能受到损害。
SOD- 323扁平引脚
规格特点:
广齐纳电压范围选择, 2.4V至75V
±2% VZ公差选择(B系列)
扁平引线SOD- 323小外形塑料封装
面器类型安装
符合RoHS
绿色EMC
雾锡( Sn)的无铅封装
乐队表示阴极
电气符号
阴极
阳极
电气特性
设备
TYPE
MM3Z2V4BW
MM3Z2V7BW
MM3Z3V0BW
MM3Z3V3BW
MM3Z3V6BW
MM3Z3V9BW
MM3Z4V3BW
MM3Z4V7BW
MM3Z5V1BW
MM3Z5V6BW
MM3Z6V2BW
MM3Z6V8BW
MM3Z7V5BW
MM3Z8V2BW
MM3Z9V1BW
MM3Z10VBW
MM3Z11VBW
MM3Z12VBW
MM3Z13VBW
MM3Z15VBW
MM3Z16VBW
MM3Z18VBW
设备
记号
0Z
1Z
2Z
3Z
4Z
5Z
6Z
7Z
8Z
9Z
AZ
BZ
CZ
DZ
EZ
FZ
GZ
HZ
JZ
KZ
LZ
MZ
T
A
= 25 ° C除非另有说明
V
Z
@ I
ZT
(伏)
民
2.35
2.65
2.94
3.23
3.53
3.82
4.21
4.61
5.00
5.49
6.08
6.66
7.35
8.04
8.92
9.80
10.78
11.76
12.74
14.70
15.68
17.64
喃
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
最大
2.45
2.75
3.06
3.37
3.67
3.98
4.39
4.79
5.20
5.71
6.32
6.94
7.65
8.36
9.28
10.20
11.22
12.24
13.26
15.30
16.32
18.36
I
ZT
(MA )
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
Z
ZT
@ I
ZT
(Ω)
最大
100
100
100
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
40
45
I
ZK
(MA )
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
Z
ZK
@ I
ZK
(Ω)
最大
564
564
564
564
564
564
564
470
451
376
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75
75
75
94
141
141
141
160
188
188
212
I
R
@ V
R
(μA)
最大
45
18
9
4.5
4.5
2.7
2.7
2.7
1.8
0.9
2.7
1.8
0.9
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0.18
0.09
0.09
0.09
0.045
0.045
0.045
V
R
(伏)
1
1
1
1
1
1
1
2
2
2
4
4
5
5
6
7
8
8
8
10.5
11.2
12.6
2008年10月发布,版本C
第1页
MM3Z2V4BW通过MM3Z75VBW
德昌
电气特性
设备
TYPE
MM3Z20VBW
MM3Z22VBW
MM3Z24VBW
MM3Z27VBW
MM3Z30VBW
MM3Z33VBW
MM3Z36VBW
MM3Z39VBW
MM3Z43VBW
MM3Z47VBW
MM3Z51VBW
MM3Z56VBW
MM3Z62VBW
MM3Z68VBW
MM3Z75VBW
设备
记号
NZ
PZ
RZ
SZ
TZ
UZ
VZ
WZ
XZ
YZ
Z
=Z
≡Z
>Z
<Z
半导体
T
A
= 25 ° C除非另有说明
V
Z
@ I
ZT
(伏)
民
19.60
21.56
23.52
26.46
29.40
32.34
35.28
38.22
42.14
46.06
49.98
54.88
60.76
66.64
73.50
喃
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
最大
20.40
22.44
24.48
27.54
30.60
33.66
36.72
39.78
43.86
47.94
52.02
57.12
63.24
69.36
76.50
I
ZT
(MA )
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
Z
ZT
@ I
ZT
(Ω)
最大
55
55
70
80
80
80
90
130
150
170
180
200
215
240
255
I
ZK
(MA )
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
Z
ZK
@ I
ZK
(Ω)
最大
212
235
235
282
282
306
329
329
353
353
376
400
423
447
470
I
R
@ V
R
(μA)
最大
0.045
0.045
0.045
0.045
0.045
0.045
0.045
0.045
0.045
0.045
0.045
0.045
0.045
0.045
0.045
V
R
(伏)
14.0
15.4
16.8
18.9
21.0
23.0
25.2
27.3
30.1
33.0
35.7
39.2
43.4
47.6
52.5
V
F
正向电压= 1 V最大@
I
F
= 10 mA,对于所有类型
注意事项:
1.
2.
3.
4.
齐纳电压(V
Z
)为10ms的脉冲条件下进行测试。
列出的设备号对的±2%的额定齐纳电压的标准容差。
关于价格,可用性和交付额定齐纳电压的详细信息之间显示和更严格的电压
电压容差,请联系距离您最近的德昌电子代表。
齐纳阻抗从60周的交流电压,交流电流具有一个均方根值等于当其导致来自
直流稳压电流的10% (我
ZT
or
I
ZK
)被叠加到
I
ZT
or
I
ZK 。
2008年10月发布,版本C
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德昌
SOD- 323封装外形
半导体
注:以上的封装外形相似, JEITA SC- 90 。
该数据表呈现德昌的齐纳二极管的技术数据。规格齐全,适合各个设备
在数据表的形式提供。全面的产品选择指南包含简化选择的最好的一组任务
所需的特定的应用程序组件。有关更多信息,请访问我们的网站
http://www.takcheong.com 。
虽然此数据表中的信息已经过仔细核对,对错误的责任可以承担德
畅。详情请咨询离您最近的德昌的销售办事处为进一步协助。
德昌保留随时更改,恕不另行通知这里的任何产品,进一步提高可靠性的权利,
功能和设计方面,成本和生产率。
德昌
和
注册德昌电子(集团)有限公司的商标。
2008年10月发布,版本C
第5页
德昌
半导体
200mW的SOD- 323表面贴装
小外形扁平引脚塑料封装
齐纳稳压器
绝对最大额定值
符号
P
D
T
英镑
T
OPR
功耗
存储温度范围
工作温度范围
T
A
= 25 ° C除非另有说明
价值
200
-65到+150
-65到+150
单位
mW
°C
°C
绿色产品
参数
这些额定值的限制值,超过该二极管的适用性可能受到损害。
SOD- 323扁平引脚
规格特点:
广齐纳电压范围选择, 2.4V至75V
±2% VZ公差选择(B系列)
扁平引线SOD- 323小外形塑料封装
面器类型安装
符合RoHS
绿色EMC
雾锡( Sn)的无铅封装
乐队表示阴极
电气符号
阴极
阳极
电气特性
设备
TYPE
MM3Z2V4BW
MM3Z2V7BW
MM3Z3V0BW
MM3Z3V3BW
MM3Z3V6BW
MM3Z3V9BW
MM3Z4V3BW
MM3Z4V7BW
MM3Z5V1BW
MM3Z5V6BW
MM3Z6V2BW
MM3Z6V8BW
MM3Z7V5BW
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MM3Z11VBW
MM3Z12VBW
MM3Z13VBW
MM3Z15VBW
MM3Z16VBW
MM3Z18VBW
设备
记号
0Z
1Z
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3Z
4Z
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6Z
7Z
8Z
9Z
AZ
BZ
CZ
DZ
EZ
FZ
GZ
HZ
JZ
KZ
LZ
MZ
T
A
= 25 ° C除非另有说明
V
Z
@ I
ZT
(伏)
民
2.35
2.65
2.94
3.23
3.53
3.82
4.21
4.61
5.00
5.49
6.08
6.66
7.35
8.04
8.92
9.80
10.78
11.76
12.74
14.70
15.68
17.64
喃
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
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7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
最大
2.45
2.75
3.06
3.37
3.67
3.98
4.39
4.79
5.20
5.71
6.32
6.94
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8.36
9.28
10.20
11.22
12.24
13.26
15.30
16.32
18.36
I
ZT
(MA )
5
5
5
5
5
5
5
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Z
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@ I
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最大
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100
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20
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30
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I
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(MA )
1
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1
Z
ZK
@ I
ZK
(Ω)
最大
564
564
564
564
564
564
564
470
451
376
141
75
75
75
94
141
141
141
160
188
188
212
I
R
@ V
R
(μA)
最大
45
18
9
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4.5
2.7
2.7
2.7
1.8
0.9
2.7
1.8
0.9
0.63
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0.18
0.09
0.09
0.09
0.045
0.045
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V
R
(伏)
1
1
1
1
1
1
1
2
2
2
4
4
5
5
6
7
8
8
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11.2
12.6
编号: DB- 088
2009年5月,修订版D
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MM3Z2V4BW通过MM3Z75VBW
德昌
电气特性
设备
TYPE
MM3Z20VBW
MM3Z22VBW
MM3Z24VBW
MM3Z27VBW
MM3Z30VBW
MM3Z33VBW
MM3Z36VBW
MM3Z39VBW
MM3Z43VBW
MM3Z47VBW
MM3Z51VBW
MM3Z56VBW
MM3Z62VBW
MM3Z68VBW
MM3Z75VBW
设备
记号
NZ
PZ
RZ
SZ
TZ
UZ
VZ
WZ
XZ
YZ
Z
=Z
≡Z
>Z
<Z
半导体
T
A
= 25 ° C除非另有说明
V
Z
@ I
ZT
(伏)
民
19.60
21.56
23.52
26.46
29.40
32.34
35.28
38.22
42.14
46.06
49.98
54.88
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66.64
73.50
喃
20
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39
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最大
20.40
22.44
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39.78
43.86
47.94
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I
ZT
(MA )
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5
5
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2
2
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2
2
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Z
ZT
@ I
ZT
(Ω)
最大
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180
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240
255
I
ZK
(MA )
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Z
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ZK
(Ω)
最大
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282
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329
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353
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447
470
I
R
@ V
R
(μA)
最大
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0.045
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0.045
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0.045
0.045
0.045
0.045
0.045
0.045
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V
R
(伏)
14.0
15.4
16.8
18.9
21.0
23.0
25.2
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30.1
33.0
35.7
39.2
43.4
47.6
52.5
V
F
正向电压= 1 V最大@
I
F
= 10 mA,对于所有类型
注意事项:
1.
2.
3.
4.
齐纳电压(V
Z
)为10ms的脉冲条件下进行测试。
列出的设备号对的±2%的额定齐纳电压的标准容差。
关于价格,可用性和交付额定齐纳电压的详细信息之间显示和更严格的电压
电压容差,请联系距离您最近的德昌电子代表。
齐纳阻抗从60周的交流电压,交流电流具有一个均方根值等于当其导致来自
直流稳压电流的10% (我
ZT
or
I
ZK
)被叠加到
I
ZT
or
I
ZK 。
编号: DB- 088
2009年5月,修订版D
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德昌
半导体
图7典型LEAKGE CURRENT
SOD- 323封装外形
注意事项:
1.上述封装外形相似, JEITA SC- 90 。
2.外形尺寸不包括毛刺,毛边&拉杆型材。
编号: DB- 088
2009年5月,修订版D
第4页
德昌
DISC LA MER我ê诺蒂奇
通告
本文档中提供的信息仅供参考。德昌保留做出正确的
更改,恕不另行通知此处显示的产品规格。
这里所列出的产品被设计成与普通的电子设备或装置,并且不使用
设计成与设备或需要高度可靠的设备和与故障用
将直接危及人的生命(如医疗器械,交通运输设备,航空航天
机械,核反应控制器,燃料控制器等安全装置) ,德昌半导体
有限责任公司,或任何代表其承担此类产生的任何damagers不承担任何责任
使用不当销售。
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或咨询离您最近的德昌的销售办事处为进一步协助。
编号: DB- 100
2008年4月14日/ A