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MM3Z2V4T1系列
齐纳稳压器
200 mW的SOD- 323表面贴装
这一系列的齐纳二极管的封装在SOD-323表面
这种封装具有200毫瓦的功耗。他们是
旨在提供电压调节保护和特别
的情况下,有吸引力的空间非常宝贵。他们是很好
适合于各种应用,如蜂窝电话,手持式便携设备,
和高密度的印刷电路板。
规格特点:
http://onsemi.com
标准齐纳击穿电压范围 - 2.4 V至75 V
稳态额定功率为200毫瓦
小机身外形尺寸:
0.067 “× 0.049 ” (1.7毫米× 1.25毫米)
低矮的车身高度: 0.035 “ (0.9 MM)
包装重量: 4.507毫克/单位
ESD等级3级( >16 KV )每人体模型
无铅包装是否可用
1
阴极
2
阳极
记号
XX M
SOD323
CASE 477
XX =具体设备守则
M =日期代码
机械特性:
案例:
无空隙,传输模塑料
表面处理:
所有外部表面耐腐蚀
最大外壳焊接温度的目的:
260℃ 10秒
信息:
镀铅锡或锡只(无铅)
极性:
阴极指示的极性带
可燃性等级:
符合UL 94 V -0
安装位置:
任何
最大额定值
等级
器件总功耗FR - 5局,
(注1 ) @ T
A
= 25°C
减免上述25℃
从热阻
结到环境
结存储
温度范围
1, FR- 4最小焊盘
符号
P
D
200
1.5
R
qJA
T
J
, T
英镑
635
-65
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
最大
单位
订购信息
设备
MM3ZxxxT1
MM3ZxxxT1G
SOD323
SOD323
(无铅)
航运
{
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
器件标识信息
请参阅该设备的特定标识信息标识
电气特性表的第3页列
此数据表。
半导体元件工业有限责任公司, 2004年
1
2004年4月 - 6牧师
出版订单号:
MM3Z2V4T1/D
MM3Z2V4T1系列
电气特性
(T
A
= 25℃,除非另有说明,否则
V
F
= 0.9 V最大。 @我
F
= 10 mA,对于所有类型)
符号
V
Z
I
ZT
Z
ZT
I
ZK
Z
ZK
I
R
V
R
I
F
V
F
QV
Z
C
参数
反向击穿电压@ I
ZT
反向电流
最大齐纳阻抗@ I
ZT
反向电流
最大齐纳阻抗@ I
ZK
反向漏电流@ V
R
反向电压
正向电流
正向电压@ I
F
V的最大温度系数
Z
马克斯。电容@V
R
= 0且f = 1 MHz的
V
Z
V
R
I
R
V
F
I
ZT
V
I
F
I
齐纳稳压器
http://onsemi.com
2
MM3Z2V4T1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明,V
F
= 0.9 V最大。 @我
F
= 10 mA,对于所有类型)
齐纳电压
(注2 )
V
Z
(伏)
2.2
2.5
2.8
3.1
3.4
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
14.3
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13.25
15
16.2
18
20
22
24.2
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
最大
2.6
2.9
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.8
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
@ I
ZT
mA
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
齐纳阻抗
Z
ZT
@ I
ZT
W
100
100
100
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
40
45
55
55
70
80
80
80
90
130
150
170
180
200
215
240
255
Z
ZK
@ I
ZK
W
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
800
500
200
100
160
160
160
160
160
160
80
80
80
80
80
100
100
120
300
300
300
500
500
500
500
500
500
500
500
500
mA
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
漏电流
I
R
@ V
R
mA
50
20
10
5
5
3
3
3
2
1
3
2
1
0.7
0.2
0.1
0.1
0.1
0.1
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
2.0
4.0
4.0
5.0
5.0
7.0
8.0
8.0
8.0
8.0
10.5
11.2
12.6
14.0
15.4
16.8
18.9
21.0
23.2
25.2
27.3
30.1
32.9
35.7
39.2
43.4
47.6
52.5
QV
Z
(毫伏/ K)的
@ I
ZT
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
2.7
2.0
0.4
1.2
2.5
3.2
3.8
4.5
5.4
6.0
7.0
9.2
10.4
12.4
14.4
16.4
18.4
21.4
24.4
27.4
30.4
33.4
37.6
42.0
46.6
52.2
58.8
65.6
73.4
最大
0
0
0
0
0
2.5
0
0.2
1.2
2.5
3.7
4.5
5.3
6.2
7.0
8.0
9.0
10
11
13
14
16
18
20
22
25.3
29.4
33.4
37.4
41.2
46.6
51.8
57.2
63.8
71.6
79.8
88.6
C
@ V
R
= 0
F = 1 MHz的
pF
450
450
450
450
450
450
450
260
225
200
185
155
140
135
130
130
130
130
120
110
105
100
85
85
80
70
70
70
70
45
40
40
40
40
35
35
35
设备
MM3Z2V4T1
MM3Z2V7T1
MM3Z3V0T1
MM3Z3V3T1
MM3Z3V6T1
MM3Z3V9T1
MM3Z4V3T1
MM3Z4V7T1
MM3Z5V1T1
MM3Z5V6T1
MM3Z6V2T1
MM3Z6V8T1
MM3Z7V5T1
MM3Z8V2T1
MM3Z9V1T1
MM3Z10VT1
MM3Z11VT1
MM3Z12VT1
MM3Z13VT1
MM3Z15VT1
MM3Z16VT1
MM3Z18VT1
MM3Z20VT1
MM3Z22VT1
MM3Z24VT1
MM3Z27VT1
MM3Z30VT1
MM3Z33VT1
MM3Z36VT1
MM3Z39VT1
MM3Z43VT1
MM3Z47VT1
MM3Z51VT1
MM3Z56VT1
MM3Z62VT1
MM3Z68VT1
MM3Z75VT1
设备
记号
00
01
02
05
06
07
08
09
0A
0C
0E
0F
0G
0H
0K
0L
0M
0N
0P
0T
0U
0W
0Z
10
11
12
14
18
19
20
21
1A
1C
1D
1E
1F
1G
2.齐纳电压的测量用脉冲测试电流I
Z
在25 ℃的环境温度下进行。
http://onsemi.com
3
MM3Z2V4T1系列
典型特征
1000
ZT ,动态阻抗(
)
T
J
= 25°C
I
Z( AC)
= 0.1 I
Z( DC )
F = 1千赫
1000
IF ,正向电流(mA )
100
100
I
Z
= 1毫安
10
5毫安
10
150°C
75°C
1.0
3.0
10
V
Z
,额定齐纳电压
80
0.4
0.5
25°C
0°C
1.1
1.2
1.0
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
V
F
,正向电压( V)
齐纳电压对图1的影响
齐纳阻抗
1000
T
A
= 25°C
C,电容(pF )
0 V BIAS
1 V BIAS
IR ,漏电流(
A)
1000
100
10
1.0
0.1
0.01
图2.典型正向电压
100
+150°C
10
偏压
Ⅴ的50%的
Z
0.001
+ 25°C
55°C
0
10
20
30
40
50
60
V
Z
,额定齐纳电压( V)
70
0.0001
1.0
4.0
10
V
Z
,额定齐纳电压( V)
70
0.00001
图3.典型电容
图4.典型漏电流
http://onsemi.com
4
MM3Z2V4T1系列
典型特征
100
T
A
= 25°C
I Z ,齐纳电流(mA)
IZ ,齐纳电流(毫安)
10
10
100
T
A
= 25°C
1.0
1
0.1
0.1
0.01
0.01
0
2.0
4.0
6.0
8.0
V
Z
齐纳电压(V)
10
12
10
30
50
70
V
Z
齐纳电压(V)
90
图5.齐纳电压与稳压电流
(V
Z
高达12 V )
100
图6.齐纳电压与稳压电流
( 12 V至75 V )
80
功耗( % )
60
40
20
0
0
25
50
75
100
温度(℃)
125
150
图7.稳态功率降额
http://onsemi.com
5
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数量
封装
单价/备注
操作
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    MM3Z6V2T1G
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881724897 复制

电话:0755-82525087
联系人:肖
地址:深圳市福田区华强北赛格科技园四栋西4楼4B20
MM3Z6V2T1G
ON
21+
10000
SOD323
原装正品,特价
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881969403 复制
电话:13410665908
联系人:王小姐
地址:福田区华强北远望数码城一楼B1016
MM3Z6V2T1G
ON/安森美
21+
1000
SOP20
原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1337449016 复制 点击这里给我发消息 QQ:851428111 复制

电话:0755-23051326
联系人:张先生
地址:深圳市福田区华强北佳和大厦A座11B03室
MM3Z6V2T1G
ON/安森美
2023+
6815
SOD-323
专注进口原装,公司现货出售
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:316279873 复制 点击这里给我发消息 QQ:2110158237 复制 点击这里给我发消息 QQ:932480677 复制 点击这里给我发消息 QQ:1298863740 复制

电话:0755-82561519
联系人:李先生
地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
MM3Z6V2T1G
ON/安森美
2418+
78000
SOD-323
正规报关原装现货系列订货技术支持
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3004205530 复制 点击这里给我发消息 QQ:3004205445 复制

电话:0755-23995152
联系人:林
地址:广东省深圳市福田区华强北国利大厦25层2533室
MM3Z6V2T1G
onsemi(安森美)
23+
3000
SOD-323
原装现货一片起拆
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3539722974 复制 点击这里给我发消息 QQ:2480898381 复制

电话:0755-23915992/23140719
联系人:李
地址:深圳市福田区振华路中航苑鼎城大夏1709室
MM3Z6V2T1G
ON
24+
68500
SOD323
一级代理/放心采购
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:575915585 复制

电话:0755-23991909
联系人:林裕忠
地址:深圳市福田区中航路国利大厦新亚洲电子市场二期N4C478房间
MM3Z6V2T1G
ONSEMI/安森美
16+
3000
SOD-323
原装进口低价实单必成
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1115451969 复制

电话:13316817713
联系人:张先生
地址:深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋西6楼
MM3Z6V2T1G
ON/安森美
24+
9850
SMD
进口原装正品现货
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电话:0755-88917652分机801-83200050
联系人:柯
地址:深圳市福田区华强北振兴华101号华匀大厦二栋五楼516室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票!!
MM3Z6V2T1G
ON/安森美
21+
9850
SOD-323
只做原装正品现货或订货!代理渠道订货假一赔三!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885348317 复制 点击这里给我发消息 QQ:2885348339 复制

电话:0755-83209630 82519391
联系人:许小姐
地址:深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
MM3Z6V2T1G
PIR
24+
18650
DIP
原装新到货,公司现货
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