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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第440页 > MM3Z56VT1G
MM3Z2V4T1系列
齐纳稳压器
200 mW的SOD- 323表面贴装
这一系列的齐纳二极管的封装在SOD-323表面
这种封装具有200毫瓦的功耗。他们是
旨在提供电压调节保护和特别
的情况下，有吸引力的空间非常宝贵。他们是很好
适合于各种应用，如蜂窝电话，手持式便携设备，
和高密度的印刷电路板。
规格特点：
http://onsemi.com
标准齐纳击穿电压范围 - 2.4 V至75 V
稳态额定功率为200毫瓦
小机身外形尺寸：
0.067 “× 0.049 ” （1.7毫米× 1.25毫米）
低矮的车身高度： 0.035 “ （0.9 MM）
包装重量： 4.507毫克/单位
ESD等级3级（ >16 KV ）每人体模型
无铅包装是否可用
1
阴极
2
阳极
记号
图
XX M
SOD323
CASE 477
XX =具体设备守则
M =日期代码
机械特性：
案例：
无空隙，传输模塑料
表面处理：
所有外部表面耐腐蚀
最大外壳焊接温度的目的：
260℃ 10秒
信息：
镀铅锡或锡只（无铅）
极性：
阴极指示的极性带
可燃性等级：
符合UL 94 V -0
安装位置：
任何
最大额定值
等级
器件总功耗FR - 5局，
（注1 ） @ T
A
= 25°C
减免上述25℃
从热阻
结到环境
结存储
温度范围
1， FR- 4最小焊盘
符号
P
D
200
1.5
R
qJA
T
J
, T
英镑
635
-65
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
最大
单位
订购信息
设备
MM3ZxxxT1
MM3ZxxxT1G
包
SOD323
SOD323
（无铅）
航运
{
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
器件标识信息
请参阅该设备的特定标识信息标识
电气特性表的第3页列
此数据表。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年4月 - 6牧师
出版订单号：
MM3Z2V4T1/D
MM3Z2V4T1系列
电气特性
(T
A
= 25℃，除非另有说明，否则
V
F
= 0.9 V最大。 @我
F
= 10 mA，对于所有类型）
符号
V
Z
I
ZT
Z
ZT
I
ZK
Z
ZK
I
R
V
R
I
F
V
F
QV
Z
C
参数
反向击穿电压@ I
ZT
反向电流
最大齐纳阻抗@ I
ZT
反向电流
最大齐纳阻抗@ I
ZK
反向漏电流@ V
R
反向电压
正向电流
正向电压@ I
F
V的最大温度系数
Z
马克斯。电容@V
R
= 0且f = 1 MHz的
V
Z
V
R
I
R
V
F
I
ZT
V
I
F
I
齐纳稳压器
http://onsemi.com
2
MM3Z2V4T1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，V
F
= 0.9 V最大。 @我
F
= 10 mA，对于所有类型）
齐纳电压
（注2 ）
V
Z
（伏）
民
2.2
2.5
2.8
3.1
3.4
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
14.3
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
喃
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13.25
15
16.2
18
20
22
24.2
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
最大
2.6
2.9
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.8
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
@ I
ZT
mA
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
齐纳阻抗
Z
ZT
@ I
ZT
W
100
100
100
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
40
45
55
55
70
80
80
80
90
130
150
170
180
200
215
240
255
Z
ZK
@ I
ZK
W
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
800
500
200
100
160
160
160
160
160
160
80
80
80
80
80
100
100
120
300
300
300
500
500
500
500
500
500
500
500
500
mA
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
漏电流
I
R
@ V
R
mA
50
20
10
5
5
3
3
3
2
1
3
2
1
0.7
0.2
0.1
0.1
0.1
0.1
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
伏
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
2.0
4.0
4.0
5.0
5.0
7.0
8.0
8.0
8.0
8.0
10.5
11.2
12.6
14.0
15.4
16.8
18.9
21.0
23.2
25.2
27.3
30.1
32.9
35.7
39.2
43.4
47.6
52.5
QV
Z
（毫伏/ K）的
@ I
ZT
民
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
2.7
2.0
0.4
1.2
2.5
3.2
3.8
4.5
5.4
6.0
7.0
9.2
10.4
12.4
14.4
16.4
18.4
21.4
24.4
27.4
30.4
33.4
37.6
42.0
46.6
52.2
58.8
65.6
73.4
最大
0
0
0
0
0
2.5
0
0.2
1.2
2.5
3.7
4.5
5.3
6.2
7.0
8.0
9.0
10
11
13
14
16
18
20
22
25.3
29.4
33.4
37.4
41.2
46.6
51.8
57.2
63.8
71.6
79.8
88.6
C
@ V
R
= 0
F = 1 MHz的
pF
450
450
450
450
450
450
450
260
225
200
185
155
140
135
130
130
130
130
120
110
105
100
85
85
80
70
70
70
70
45
40
40
40
40
35
35
35
设备
MM3Z2V4T1
MM3Z2V7T1
MM3Z3V0T1
MM3Z3V3T1
MM3Z3V6T1
MM3Z3V9T1
MM3Z4V3T1
MM3Z4V7T1
MM3Z5V1T1
MM3Z5V6T1
MM3Z6V2T1
MM3Z6V8T1
MM3Z7V5T1
MM3Z8V2T1
MM3Z9V1T1
MM3Z10VT1
MM3Z11VT1
MM3Z12VT1
MM3Z13VT1
MM3Z15VT1
MM3Z16VT1
MM3Z18VT1
MM3Z20VT1
MM3Z22VT1
MM3Z24VT1
MM3Z27VT1
MM3Z30VT1
MM3Z33VT1
MM3Z36VT1
MM3Z39VT1
MM3Z43VT1
MM3Z47VT1
MM3Z51VT1
MM3Z56VT1
MM3Z62VT1
MM3Z68VT1
MM3Z75VT1
设备
记号
00
01
02
05
06
07
08
09
0A
0C
0E
0F
0G
0H
0K
0L
0M
0N
0P
0T
0U
0W
0Z
10
11
12
14
18
19
20
21
1A
1C
1D
1E
1F
1G
2.齐纳电压的测量用脉冲测试电流I
Z
在25 ℃的环境温度下进行。
http://onsemi.com
3
MM3Z2V4T1系列
典型特征
1000
ZT ，动态阻抗（
)
T
J
= 25°C
I
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ）
F = 1千赫
1000
IF ，正向电流（mA ）
100
100
I
Z
= 1毫安
10
5毫安
10
150°C
75°C
1.0
3.0
10
V
Z
，额定齐纳电压
80
0.4
0.5
25°C
0°C
1.1
1.2
1.0
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
V
F
，正向电压（ V）
齐纳电压对图1的影响
齐纳阻抗
1000
T
A
= 25°C
C，电容（pF ）
0 V BIAS
1 V BIAS
IR ，漏电流（
A)
1000
100
10
1.0
0.1
0.01
图2.典型正向电压
100
+150°C
10
偏压
Ⅴ的50％的
Z
喃
0.001
+ 25°C
55°C
0
10
20
30
40
50
60
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
70
0.0001
1.0
4.0
10
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
70
0.00001
图3.典型电容
图4.典型漏电流
http://onsemi.com
4
MM3Z2V4T1系列
典型特征
100
T
A
= 25°C
I Z ，齐纳电流（mA）
IZ ，齐纳电流（毫安）
10
10
100
T
A
= 25°C
1.0
1
0.1
0.1
0.01
0.01
0
2.0
4.0
6.0
8.0
V
Z
齐纳电压（V）
10
12
10
30
50
70
V
Z
齐纳电压（V）
90
图5.齐纳电压与稳压电流
(V
Z
高达12 V ）
100
图6.齐纳电压与稳压电流
（ 12 V至75 V ）
80
功耗（ ％ ）
60
40
20
0
0
25
50
75
100
温度（℃）
125
150
图7.稳态功率降额
http://onsemi.com
5
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MOV-07D271K
MB60VHXXX
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    MM3Z56VT1G
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