【MM3Z5221B~MM3Z5267B硅平面齐纳二极管钉扎特点总功耗：最大。 300毫瓦小型塑料封装】,IC型号MM3Z5245B,MM3Z5245B PDF资料,MM3Z5245B经销商,ic,电子元器件-51电子网

MM3Z5221B~MM3Z5267B

硅平面齐纳二极管

钉扎

特点

总功耗：最大。 300毫瓦

小型塑料封装，适合

表面贴装设计

容差约为±5 ％

针

描述

阴极

阳极

顶视图

简体外形SOD- 323和符号

绝对最大额定值（T

= 25

参数

功耗

结温

存储温度范围

符号

合计

英镑

价值

300

150

- 55至+ 150

单位

特点在T

= 25

参数

热阻结到环境空气

正向电压

在我

= 10毫安

符号

θJA

马克斯。

417

0.9

单位

C / W

１　

金隅

半导体

www.htsemi.com

Ｄ½½½：２０１１／０５

MM3Z5221B~MM3Z5267B

特点在T

= 25

齐纳电压范围

TYPE

MM3Z5221B

MM3Z5223B

MM3Z5225B

MM3Z5226B

MM3Z5227B

MM3Z5228B

MM3Z5229B

MM3Z5230B

MM3Z5231B

MM3Z5232B

MM3Z5234B

MM3Z5235B

MM3Z5236B

MM3Z5237B

MM3Z5239B

MM3Z5240B

MM3Z5241B

MM3Z5242B

MM3Z5243B

MM3Z5245B

MM3Z5246B

MM3Z5248B

MM3Z5249B

MM3Z5250B

MM3Z5251B

MM3Z5252B

MM3Z5253B

MM3Z5254B

MM3Z5256B

MM3Z5257B

MM3Z5258B

MM3Z5259B

MM3Z5260B

MM3Z5261B

MM3Z5262B

MM3Z5263B

MM3Z5265B

MM3Z5266B

MM3Z5267B

动态阻抗

（ MAX 。）

105

125

150

185

230

270

（ MAX 。）

1200

1300

1600

1700

1900

2000

1900

1600

1000

750

500

600

700

800

900

1000

1100

1300

1400

1600

1700

在我

0.25

反向电流

μA （最大）

100

0.5

0.1

在V

6.5

8.4

9.1

9.9

记号

CODE

ZNOM

2.4

2.7

3.0

3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

5.1

5.6

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

9.5

8.5

7.8

6.6

6.2

5.6

5.2

4.6

4.2

3.8

3.4

3.2

2.7

2.5

2.2

1.8

1.7

为

2.28…2.52

2.57…2.84

2.85…3.15

3.14…3.47

3.42…3.78

3.71…4.1

4.09…4.52

4.47…4.94

4.85…5.36

5.32…5.88

5.89…6.51

6.46…7.14

7.13…7.88

7.79…8.61

8.65…9.56

9.5…10.5

10.45…11.55

11.4…12.6

12.35…13.65

14.25…15.75

15.2…16.8

17.1…18.9

18.05…19.95

19…21

20.9…23.1

22.8…25.2

23.75…26.25

25.65…28.35

28.5…31.5

31.35…34.65

34.2…37.8

37.05…40.95

40.85…45.15

44.65…49.35

48.45…53.55

53.2…58.8

58.9…65.1

64.6…71.4

71.25…78.75

与脉冲测试（ 20毫秒）

２

金隅

半导体

www.htsemi.com

Ｄ½½½：２０１１／０５

MM3Z5221B~MM3Z5267B

300

功耗： P合计（MW ）

200

100

环境温度： TA（ C）

150

降额曲线

３

金隅

半导体

www.htsemi.com

Ｄ½½½：２０１１／０５

MM3Z5221B~MM3Z5267B

包装外形

塑料表面贴装封装; 2引线

SOD-323

单位

1.10

0.80

0.40

0.25

0.15

0.10

1.80

1.60

1.35

1.15

2.80

2.30

４

金隅

半导体

www.htsemi.com

Ｄ½½½：２０１１／０５

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SOD323

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9850

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