产品speci fi cation
MM3Z3V9S
SOD-323
单位：mm
■
特点
●
平面模具结构
●
超小型表面贴装封装
●
非常适合于自动装配程序
+0.1
2.6
-0.1
+0.05
0.3
-0.05
+0.1
1.7
-0.1
+0.05
0.85
-0.05
+0.1
1.3
-0.1
1.0max
0.475
0.375
■
绝对最大额定值TA = 25 ℃
参数
功耗
正向电压
@ I
F
= 10毫安
（注1 ）
（注1 ）
符号
P
D
V
F
R
θJA
T
j
, T
英镑
等级
200
0.9
625
-65到+150
单位
mW
V
℃/W
℃
热阻，结到环境空气
工作和存储温度范围
注： 1.Part安装在FR- 4印刷电路板与建议焊盘布局。
■
电气特性
除非另有规定@ TA = 25 ℃
齐纳电压范围
（注2 ）
类型编号
VZ @我
ZT
敏（ V）
MM3Z3V9S
3.7
喃（ V）
3.9
MAX（ V）
4.1
I
ZT
mA
5
90
Z
ZT
@ I
ZT
Z
ZK
@ I
ZK
Ω
1000
I
ZK
mA
0.5
最大ZenerImpedance
（注3）
最大反向
当前
（注2 ）
I
R
μA
3
@ V
R
V
1.0
典型
温度
系数
@ I
ZT
毫伏/ ℃
民
-3.5
最大
-2.5
备注：用于最小化自加热效应2.短持续时间的测试脉冲。
3， F = 1kHz的。
■
记号
记号
1J
0.1
+0.05
-0.02
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1第3
产品speci fi cation
MM3Z3V9S
典型特征
1000
ZT ， NAMIC DY进出口 DANC E（
)
T
J
= 25 C
I
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ）
F = 1千赫
1000
IF ， F或WAR D C UR 鄂西北（毫安）
100
100
I
Z
= 1毫安
10
5毫安
10
150 C
75 C
1.0
0.4
0.5
25 C
0C
1.1
1.2
1.0
3.0
10
V
Z
，标称ZE NE R诉OLTAG ê
80
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
V
F
， F或WAR D V OLTAG E（ V）
齐纳电压对图1的影响
齐纳阻抗
图2典型正向电压
1000
T
A
= 25 C
C，C APAC ITANC E（ pF）的
0 V B IAS
1 V B IAS
IR ， LE AK公司权证UR 鄂西北（
A)
1000
100
10
1.0
0.1
0.01
+25 C
-5 5 C
0
10
20
30
40
50
V
Z
，标称ZE NE R诉OLTAG E（ V）
60
70
+150 C
100
10
B IAS AT
Ⅴ的50％的
Z
喃
0.001
0.0001
1.0
4.0
10
V
Z
，标称ZE NE R诉OLTAG E（ V）
70
0.00001
图3典型电容
图4典型漏电流
D
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2 3
产品speci fi cation
MM3Z3V9S
100
T
A
= 25 C
I Z ， ZE NE R C UR 鄂西北（毫安）
IZ ， ZE NE R C UR 鄂西北（毫安）
10
10
100
T
A
= 25 C
1.0
1
0.1
0.1
0.01
0
2.0
4.0
6.0
8.0
V
Z
泽NE R诉OLTAG E（ V）
10
12
0.01
10
30
50
70
V
Z
泽NE R诉OLTAG E（ V）
90
图5齐纳电压与稳压电流
（ VZ高达12 V）
图6齐纳电压与稳压电流
（ 12 V至75 V ）
功耗： P合计（MW ）
环境温度： TA（ C）
O
降额曲线
图7功耗与环境温度
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3 3
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