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MM3Z2V4ST1系列
齐纳稳压器
200 mW的SOD- 323表面贴装
紧公差投资组合
这一系列的齐纳二极管的封装在SOD-323表面
这种封装具有200毫瓦的功耗。他们是
旨在提供电压调节保护和特别
的情况下,有吸引力的空间非常宝贵。他们是很好
适合于各种应用,如蜂窝电话,手持式便携设备,
和高密度的印刷电路板。
规格特点:
http://onsemi.com
1
阴极
2
阳极
标准齐纳击穿电压范围 -
2.4 V至18 V
稳态额定功率为200毫瓦
小机身外形尺寸:
0.067 “× 0.049 ” (1.7毫米× 1.25毫米)
低矮的车身高度: 0.035 “ (0.9 MM)
包装重量: 4.507毫克/单位
ESD等级3级( >16 KV )每人体模型
紧公差V
Z
无铅包可用
1
2
记号
XX M
SOD323
CASE 477
风格1
XX =具体设备守则
M =日期代码
订购信息
设备
MM3ZxxxST1
SOD323
SOD323
SOD323
(无铅)
SOD323
(无铅)
航运
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
机械特性:
案例:
无空隙,传输模塑料
表面处理:
所有外部表面耐腐蚀
最大外壳焊接温度的目的:
MM3ZxxxST3
MM3ZxxxST1G
MM3ZxxxST3G
260℃ 10秒
信息:
镀铅锡或锡只(无铅)
极性:
阴极指示的极性带
可燃性等级:
符合UL 94 V -0
安装位置:
任何
最大额定值
等级
器件总功耗FR - 5局,
(注1 ) @ T
A
= 25°C
减免上述25℃
从热阻
结到环境
结存储
温度范围
符号
P
D
200
1.5
R
qJA
T
J
, T
英镑
635
-65到+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
最大
单位
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
器件标识信息
请参阅该设备的特定标识信息标识
电气特性表的第2页上栏
此数据表。
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值(不
正常工作条件下),并同时无效。如果这些限制
超标,设备功能操作不暗示,可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1, FR- 4最小焊盘。
半导体元件工业有限责任公司, 2004年
1
2004年11月 - 10牧师
出版订单号:
MM3Z2V4ST1/D
MM3Z2V4ST1系列
电气特性
(T
A
= 25℃,除非另有说明,否则
V
F
= 0.9 V最大。 @我
F
= 10 mA,对于所有类型)
符号
V
Z
I
ZT
Z
ZT
I
ZK
Z
ZK
I
R
V
R
I
F
V
F
QV
Z
C
参数
反向击穿电压@ I
ZT
反向电流
最大齐纳阻抗@ I
ZT
反向电流
最大齐纳阻抗@ I
ZK
反向漏电流@ V
R
反向电压
正向电流
正向电压@ I
F
V的最大温度系数
Z
马克斯。电容@V
R
= 0且f = 1 MHz的
V
Z
V
R
I
R
V
F
I
ZT
V
I
F
I
齐纳稳压器
电气特性
(V
F
= 0.9最大@ I
F
= 10 mA,对于所有类型)
Z
ZK
I
Z
= 0.5
mA
W
最大
1000
1000
1000
100
1000
1000
1000
800
500
200
100
160
160
160
160
160
160
80
80
80
80
Z
ZT
I
Z
= IZT
@ 10%
MOD
W
最大
100
100
95
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
15
15
25
30
40
45
最大
IR @ VR
mA
120
100
5.0
5.0
5.0
3.0
3.0
3.0
2.0
1.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.5
0.5
0.1
0.05
0.05
0.05
V
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
2.0
4.0
4.0
5.0
5.0
6.0
6.0
7.0
8.0
10.5
11.2
12.6
d
VZ
/ DT (MV / K)
@ I
ZT1
= 5毫安
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
2.7
2.0
0.4
1.2
2.5
3.2
3.8
4.5
5.4
6.0
9.2
10.4
12.4
最大
0
0
0
0
0
2.5
0
0.2
1.2
2.5
3.7
4.5
5.3
6.2
7.0
8.0
9.0
10
13
14
16
设备
MM3Z2V4ST1
MM3Z2V7ST1
MM3Z3V3ST1
MM3Z3V3TT1 ,G
MM3Z3V6ST1 ,G
MM3Z3V9ST1 ,G
MM3Z4V3ST1
MM3Z4V7ST1 ,G
MM3Z5V1ST1
MM3Z5V6ST1
MM3Z6V2ST1
MM3Z6V8ST1
MM3Z7V5ST1
MM3Z8V2ST1
MM3Z9V1ST1
MM3Z10VST1
MM3Z11VST1
MM3Z12VST1
MM3Z15VST1*
MM3Z16VST1
MM3Z18VST1
设备
记号
T2
T3
T5
TX
T6
T7
T8
T9
TA
TC
TE
TF
TG
TH
TK
WB
WC
TN
WF
TU
TW
TEST
当前
IZT毫安
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
齐纳电压Vz
2.43
2.67
3.32
3.19
3.60
3.89
4.17
4.55
4.98
5.49
6.06
6.65
7.28
8.02
8.85
9.80
10.78
11.74
14.7
15.85
17.56
最大
2.63
2.91
3.53
3.41
3.85
4.16
4.43
4.75
5.2
5.73
6.33
6.93
7.6
8.36
9.23
10.20
11.22
12.24
15.3
16.51
18.35
pF的最大@
V
R
= 0
F = 1 MHz的
450
450
450
450
450
450
450
260
225
200
185
155
140
1358
130
130
130
130
110
105
100
*产品预览 - 可应要求提供零部件。
http://onsemi.com
2
MM3Z2V4ST1系列
典型特征
1000
ZT ,动态阻抗(
)
T
J
= 25°C
I
Z( AC)
= 0.1 I
Z( DC )
F = 1千赫
1000
IF ,正向电流(mA )
100
100
I
Z
= 1毫安
10
5毫安
10
150°C
75°C
1.0
3.0
V
Z
,额定齐纳电压
10
0.4
0.5
25°C
0°C
1.1
1.2
1.0
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
V
F
,正向电压( V)
齐纳电压对图1的影响
齐纳阻抗
1000
IR ,漏电流(
A)
T
A
= 25°C
C,电容(pF )
0 V BIAS
1 V BIAS
1000
100
10
1.0
0.1
0.01
图2.典型正向电压
100
偏压
Ⅴ的50%的
Z
10
+150°C
0.001
+ 25°C
55°C
0
5.0
V
Z
,额定齐纳电压( V)
10
0.0001
1.0
4.0
V
Z
,额定齐纳电压( V)
10
0.00001
图3.典型电容
图4.典型漏电流
100
T
A
= 25°C
I Z ,齐纳电流(mA)
100
80
功耗( % )
0
2.0
4.0
6.0
V
Z
齐纳电压(V)
8.0
10
10
60
1.0
40
0.1
20
0
0.01
0
25
50
75
100
温度(℃)
125
150
图5.齐纳电压与稳压电流
(V
Z
截至9 V )
图6.稳态功率降额
http://onsemi.com
3
MM3Z2V4ST1系列
包装尺寸
SOD323
CASE 477-02
问题E
注意事项:
1.尺寸和公差PER
ANSI Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:毫米。
3.引线厚度给定每L / F
绘制带焊料镀层。
4.尺寸A和B不包括
毛边,突出或
毛刺。
5.尺寸L测量从结束
RADIUS 。
暗淡
A
B
C
D
E
H
J
K
L
MILLIMETERS
最大
1.60
1.80
1.15
1.35
0.80
1.00
0.25
0.40
0.15 REF
0.00
0.10
0.089
0.177
2.30
2.70
0.075
英寸
最大
0.063
0.071
0.045
0.053
0.031
0.039
0.010
0.016
0.006 REF
0.000
0.004
0.0035 0.0070
0.091
0.106
0.003
K
A
D
1
2
B
E
C
L
注5
J
注3
H
风格1 :
PIN 1阴极
2.阳极
焊接足迹*
0.63
0.025
0.83
0.033
1.60
0.063
2.85
0.112
SCALE 10 : 1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息,请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册, SOLDERRM / D 。
安森美半导体
是半导体元件工业,LLC ( SCILLC )的注册商标。 SCILLC保留随时更改,恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保,声明或保证,也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用,并特别声明,任何和所有责任,包括但不限于特殊,间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格,可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数,包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
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电话:
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    MM3Z3V6ST3
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:13530983348
联系人:朱小姐
地址:深圳市华强北赛格广场4709B
MM3Z3V6ST3
ONSEMI
21+
32600
原封装
百分百公司原装现货,假一赔十!
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
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