MM3Z2V4T1系列
齐纳稳压器
200 mW的SOD- 323表面贴装
这一系列的齐纳二极管的封装在SOD-323表面
这种封装具有200毫瓦的功耗。他们是
旨在提供电压调节保护和特别
的情况下，有吸引力的空间非常宝贵。他们是很好
适合于各种应用，如蜂窝电话，手持式便携设备，
和高密度的印刷电路板。
规格特点：
http://onsemi.com
1
阴极
2
阳极
标准齐纳击穿电压范围 - 2.4 V至75 V
稳态额定功率为200毫瓦
小机身外形尺寸：
0.067 “× 0.049 ” （1.7毫米× 1.25毫米）
低矮的车身高度： 0.035 “ （0.9 MM）
包装重量： 4.507毫克/单位
ESD等级3级（ >16 KV ）每人体模型
无铅包可用
1
2
SOD323
CASE 477
风格1
机械特性：
案例：
无空隙，传输模塑料
表面处理：
所有外部表面耐腐蚀
最大外壳焊接温度的目的：
标记图
260℃ 10秒
信息：
镀铅锡或锡只（无铅）
极性：
阴极指示的极性带
可燃性等级：
符合UL 94 V -0
安装位置：
任何
最大额定值
等级
器件总功耗FR - 5局，
（注1 ） @ T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
结温和存储温度范围
符号
P
D
200
1.5
R
qJA
T
J
, T
英镑
635
-65到+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
最大
单位
xx
G
G
XX =具体设备守则
M =日期代码*
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向可能有所不同
在制造地点。
订购信息
设备
MM3ZxxxT1
MM3ZxxxT1G
包
SOD323
SOD323
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1， FR- 4最小焊盘
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
器件标识信息
请参阅该设备的特定标识信息标识
电气特性表的第2页上栏
此数据表。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年11月 - 修订版7
出版订单号：
MM3Z2V4T1/D
M
MM3Z2V4T1系列
包装尺寸
SOD323
CASE 477-02
ISSUE摹
H
E
D
b
1
2
E
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
3.引线厚度给定每L / F绘图
焊料电镀。
4.尺寸A和B不包括塑模
FLASH中，突出或毛刺。
5.尺寸L测量从结束
RADIUS 。
MILLIMETERS
DIM MIN
喃最大
A
0.80
0.90
1.00
A1
0.00
0.05
0.10
A3
0.15 REF
b
0.25
0.32
0.4
C
0.089
0.12 0.177
D
1.60
1.70
1.80
E
1.15
1.25
1.35
L
0.08
H
E
2.30
2.50
2.70
风格1 ：
PIN 1阴极
2.阳极
英寸
喃最大
0.035 0.040
0.002 0.004
0.006 REF
0.010 0.012 0.016
0.003 0.005 0.007
0.062 0.066 0.070
0.045 0.049 0.053
0.003
0.090 0.098 0.105
民
0.031
0.000
A3
A
L
注5
C
注3
A1
焊接足迹*
0.63
0.025
0.83
0.033
1.60
0.063
2.85
0.112
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
安森美半导体
和
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机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律，并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行：
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ，丹佛，科罗拉多州80217美国
电话：
303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真：
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电子邮件：
orderlit@onsemi.com
N.美国技术支持：
免费电话800-282-9855
美国/加拿大
欧洲，中东和非洲技术支持：
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日本以客户为中心中心
电话： 81-3-5773-3850
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为了文学：
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销售代表
http://onsemi.com
5
MM3Z2V4T1/D
MM3Z2V4系列
表面贴装齐纳二极管
电气特性DSMC
(T
A
=25
o
C除非另有说明，V
F
= 0.90 V最大@我
F
= 10毫安所有类型）
齐纳电压（注）
设备
设备
记号
民
MM3Z2V4T1
MM3Z2V7T1
MM3Z3V0T1
MM3Z3V3T1
MM3Z3V6T1
MM3Z3V9T1
MM3Z4V3T1
MM3Z4V7T1
MM3Z5V1T1
MM3Z5V6T1
MM3Z6V2T1
MM3Z6V8T1
MM3Z7V5T1
MM3Z8V2T1
MM3Z9V1T1
MM3Z10VT1
MM3Z 11VT1
MM3Z 12VT1
MM3Z 13VT1
MM3Z 15VT1
MM3Z 16VT1
MM3Z 18VT1
MM3Z 20VT1
MM3Z 22VT1
MM3Z 24VT1
MM3Z 27VT1
MM3Z 30VT1
MM3Z 33VT1
MM3Z 36VT1
MM3Z 39VT1
MM3Z 43VT1
MM3Z 47VT1
MM3Z 51VT1
MM3Z 56VT1
MM3Z 62VT1
MM3Z 68VT1
MM3Z 75VT1
00
01
02
05
06
07
08
09
0A
0C
0E
0F
0G
0H
0K
0L
0M
0N
0P
0T
0U
0W
0Z
10
11
12
14
18
19
20
21
1A
1C
1D
1E
1F
1G
2.2
2.5
2.8
3.1
3.4
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
14.3
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
V
Z
伏
喃
2.4
2.7
3
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13.25
15
16.2
18
20
22
24.2
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
最大
2.6
2.9
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
5
5.4
6
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.8
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
@I
ZT
mA
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
100
100
100
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
40
45
55
55
70
80
80
80
90
130
150
170
180
200
215
240
255
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
800
500
200
100
160
160
160
160
160
160
80
80
80
80
80
100
100
120
300
300
300
500
500
500
500
500
500
500
500
500
齐纳阻抗
Z
ZT
@ I
ZT
Z
ZK
@ Z
K
mA
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
A
50
20
10
5
5
3
3
3
2
1
3
2
1
0.7
0.2
0.1
0.1
0.1
0.1
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
漏电流
I
R
@V
R
伏
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
2.0
4.0
4.0
5.0
5.0
7.0
8.0
8.0
8.0
8.0
10.5
11.2
12.6
14.0
15.4
16.8
18.9
21.0
23.2
25.2
27.3
30.1
32.9
35.7
39.2
43.4
47.6
52.5
V
Z
（毫伏/ K）的
@I
ZT
民
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
2.7
2.0
0.4
1.2
2.5
3.2
3.8
4.5
5.4
6.0
7.0
9.2
10.4
12.4
14.4
16.4
18.4
21.4
24.4
27.4
30.4
33.4
37.6
42.0
46.6
52.2
58.8
65.6
73.4
最大
0
0
0
0
0
2.5
0
0.2
1.2
2.5
3.7
4.5
5.3
6.2
7.0
8.0
9.0
10.0
11.0
13.0
14.0
16.0
18.0
20.0
22.0
25.3
29.4
33.4
37.4
41.2
46.6
51.8
57.2
63.8
71.6
79.8
88.6
450
450
450
450
450
450
450
260
225
200
185
155
140
135
130
130
130
130
120
110
105
100
85
85
80
70
70
70
70
45
40
40
40
40
35
35
35
C
@V
R
=0
f=1MHz
注的齐纳电压时，在25的环境温度下测得的脉冲测试电流lz的
o
C
www.paceleader.tw
2
台塑MS
在FR - 5局总功耗
@T
A
=25 C
热阻结到环境空气
正向电压@ IF = 10毫安
结温和存储温度范围
注： 1.FR - 4 Minimun垫
(1)
(1)
MM3Z系列
最大额定值和电气特性
（ TA = 25℃除非另有说明）
符号
特征
单位
价值
PD
RJ-A
VF
TJ ， TSTG
200
625
0.9
-65到+ 150
mW
C / W
V
C
电动
特征
I
I
F
（P INOUT ： 1 ，阳极， 2 -没有C onnection ， 3 -C athode ） （T
A
= 25 C
unles s otherwis ê指出，V
F
= 0.9 V最大。 @我
F
= 10 mA）的
符号
V
Z
I
ZT
Z
ZT
I
R
V
R
I
F
V
F
埃弗斯式C光凭目前
参数
埃弗斯ê齐纳电压@ I
ZT
最大齐纳阻抗@ I
ZT
埃弗斯ê泄漏光凭目前 @ V
R
埃弗斯ê电压
F orward光凭目前
F orward电压@ I
F
V最高温度℃ oefficient
Z
马克斯。 apacitance @ V
R
= 0且f = 1 MHz的
V
Z
V
R
I
R
V
F
I
ZT
V
Θ
V
Z
C
齐纳V
电压调整器
器件标识
项
MM3Z
系列
记号
XX =具体设备守则
（请参阅表上的第3页）
等效电路图
1
2
阴极
阳极
~2~
台塑MS
齐纳电压（注）
V
Z
（伏）
民
2.2
2.5
2.8
3.1
3.4
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
14.3
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
喃
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13.25
15
16.2
18
20
22
24.2
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
最大
2.6
2.9
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.8
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
@
I
ZT
mA
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
齐纳Impedanc ê
Z
ZT
@
I
ZT
100
100
100
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
40
45
55
55
70
80
80
80
90
130
150
170
180
200
215
240
255
Z
ZK
@
ZK
I
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
800
500
200
100
160
160
160
160
160
160
80
80
80
80
80
100
100
120
300
300
300
500
500
500
500
500
500
500
500
500
mA
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
L eakage光凭目前
I
R
@ V
R
uA
50
20
10
5
5
3
3
3
2
1
3
2
1
0.7
0.2
0.1
0.1
0.1
0.1
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
伏
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
2.0
4.0
4.0
5.0
5.0
7.0
8.0
8.0
8.0
8.0
10.5
11.2
12.6
14.0
15.4
16.8
18.9
21.0
23.2
25.2
27.3
30.1
32.9
35.7
39.2
43.4
47.6
52.5
DEVIC ê
MM3Z2V 4T 1
MM3Z2V 7T 1
MM3Z3V 0T 1
MM3Z3V 3T 1
MM3Z3V 6T 1
MM3Z3V 9T 1
MM3Z4V 3T 1
MM3Z4V 7T 1
MM3Z5V 1T 1
MM3Z5V 6T 1
MM3Z6V 2T 1
MM3Z6V 8T 1
MM3Z7V 5T 1
MM3Z8V 2T 1
MM3Z9V 1T 1
MM3Z10V牛逼1
MM3Z11V牛逼1
MM3Z12V牛逼1
MM3Z13V牛逼1
MM3Z15V牛逼1
MM3Z16V牛逼1
MM3Z18V牛逼1
MM3Z20V牛逼1
MM3Z22V牛逼1
MM3Z24V牛逼1
MM3Z27V牛逼1
MM3Z30V牛逼1
MM3Z33V牛逼1
MM3Z36V牛逼1
MM3Z39V牛逼1
MM3Z43V牛逼1
MM3Z47V牛逼1
MM3Z51V牛逼1
MM3Z56V牛逼1
MM3Z62V牛逼1
MM3Z68V牛逼1
MM3Z75V牛逼1
设备
记号
00
01
02
05
06
07
08
09
0A
0C
0E
0F
0G
0H
0K
0L
0M
0N
0P
0T
0U
0W
0Z
10
11
12
14
18
19
20
21
1A
1C
1D
1E
1F
1G
MM3Z系列
L E （C T） - [R IC中的L C HA R A T E R为叔IC S
(T
A
= 25℃ unles s otherwis ê指出，V
F
= 0.9 V最大。 @我
F
= 10 mA，对于所有类型）
Θ
V
Z
（毫伏/ K）的
@
I
ZT
民
±3.5
±3.5
±3.5
±3.5
±3.5
±3.5
±3.5
±3.5
±2.7
±2.0
0.4
1.2
2.5
3.2
3.8
4.5
5.4
6.0
7.0
9.2
10.4
12.4
14.4
16.4
18.4
21.4
24.4
27.4
30.4
33.4
37.6
42.0
46.6
52.2
58.8
65.6
73.4
最大
0
0
0
0
0
±2.5
0
0.2
1.2
2.5
3.7
4.5
5.3
6.2
7.0
8.0
9.0
10
11
13
14
16
18
20
22
25.3
29.4
33.4
37.4
41.2
46.6
51.8
57.2
63.8
71.6
79.8
88.6
C
@ V
R
=0
f=1MHz
pF
450
450
450
450
450
450
450
260
225
200
185
155
140
135
130
130
130
130
120
110
105
100
85
85
80
70
70
70
70
45
40
40
40
40
35
35
35
注：齐纳电压为MEAS为带有一个PULS é TES吨电流I
Z
在25℃的环境温度下。
~3~
台塑MS
典型特征
1000
ZT ， NAMIC DY进出口 DANC E（
W
)
T
J
= 25 C
I
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ）
F = 1千赫
1000
IF ， F或WAR D C UR 鄂西北（毫安）
MM3Z系列
100
100
I
Z
= 1毫安
10
5毫安
10
150 C
75 C
1.0
0.4
0.5
25 C
0 C
1.1
1.2
1.0
3.0
10
V
Z
，标称ZE NE R诉OLTAG ê
80
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
V
F
， F或WAR D V OLTAG E（ V）
齐纳电压对图1的影响
齐纳阻抗
1000
T
A
= 25 C
C，C APAC ITANC E（ pF）的
0 V B IAS
1 V B IAS
IR ， LE AK公司权证UR 鄂西北（
m
A)
1000
100
10
1.0
0.1
0.01
图2.典型正向电压
100
+150 C
10
B IAS AT
Ⅴ的50％的
Z
喃
0.001
+25 C
-5 5 C
0
10
20
30
40
50
V
Z
，标称ZE NE R诉OLTAG E（ V）
60
70
0.0001
1.0
4.0
10
V
Z
，标称ZE NE R诉OLTAG E（ V）
70
0.00001
图3.典型电容
图4.典型漏电流
~4~
台塑MS
典型特征
100
T
A
= 25 C
I Z ， ZE NE R C UR 鄂西北（毫安）
IZ ， ZE NE R C UR 鄂西北（毫安）
10
10
100
MM3Z系列
T
A
= 25 C
1.0
1
0.1
0.1
0.01
0
2.0
4.0
6.0
8.0
V
Z
泽NE R诉OLTAG E（ V）
10
12
0.01
10
30
50
70
V
Z
泽NE R诉OLTAG E（ V）
90
图5.齐纳电压与稳压电流
(V
Z
高达12 V ）
图6.齐纳电压与稳压电流
（ 12 V至75 V ）
100
80
功耗（ ％ ）
60
40
20
0
0
25
50
75
100
T E MP è R成为UR E（ C）
125
150
图7.稳态功率降额
~5~
MM3Z2V4T1系列
齐纳稳压器
200 mW的SOD- 323表面贴装
这一系列的齐纳二极管的封装在SOD-323表面
这种封装具有200毫瓦的功耗。他们是
旨在提供电压调节保护和特别
的情况下，有吸引力的空间非常宝贵。他们是很好
适合于各种应用，如蜂窝电话，手持式便携设备，
和高密度的印刷电路板。
规格特点：
http://onsemi.com
标准齐纳击穿电压范围 - 2.4 V至75 V
稳态额定功率为200毫瓦
小机身外形尺寸：
0.067 “× 0.049 ” （1.7毫米× 1.25毫米）
低矮的车身高度： 0.035 “ （0.9 MM）
包装重量： 4.507毫克/单位
ESD等级3级（ >16 KV ）每人体模型
无铅包装是否可用
1
阴极
2
阳极
记号
图
XX M
SOD323
CASE 477
XX =具体设备守则
M =日期代码
机械特性：
案例：
无空隙，传输模塑料
表面处理：
所有外部表面耐腐蚀
最大外壳焊接温度的目的：
260℃ 10秒
信息：
镀铅锡或锡只（无铅）
极性：
阴极指示的极性带
可燃性等级：
符合UL 94 V -0
安装位置：
任何
最大额定值
等级
器件总功耗FR - 5局，
（注1 ） @ T
A
= 25°C
减免上述25℃
从热阻
结到环境
结存储
温度范围
1， FR- 4最小焊盘
符号
P
D
200
1.5
R
qJA
T
J
, T
英镑
635
-65
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
最大
单位
订购信息
设备
MM3ZxxxT1
MM3ZxxxT1G
包
SOD323
SOD323
（无铅）
航运
{
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
器件标识信息
请参阅该设备的特定标识信息标识
电气特性表的第3页列
此数据表。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年4月 - 6牧师
出版订单号：
MM3Z2V4T1/D
乐山无线电公司， LTD 。
齐纳稳压器
200 mW的SOD- 323表面贴装
MM3Z2V4T1
系列
1
订购信息
设备*
MM3ZxxxT1
包
SOD–323
航运
3000 /磁带&卷轴
2
器件标识信息
具体见标识信息的电子的器件标识列
本数据手册的第3页上的特性表。
CASE 477-02 ，风格1
SOD- 323
标记图
*在“T1”的后缀是指一个8毫米， 7英寸的卷轴。
这一系列的齐纳二极管的封装在SOD-323表面安装封装该
具有200毫瓦的功率耗散。他们的目的是提供电压调节功能
保护和在情况特别有吸引力的地方的空间是十分宝贵的。他们
非常
适合于各种应用，如蜂窝电话，手持式便携设备，并且高密度的PC
板。
XX M
X X =具体设备守则
M =日期代码
规格特点：
标准齐纳击穿电压范围 - 2.4 V至75 V
稳态额定功率为200毫瓦
小机身外形尺寸：
0.067 ， X 0.049 ， （1.7毫米× 1.25毫米）
低矮的车身高度： 0.035 （0.9 MM）
包装重量： 4.507毫克/单位
3级（ >16 KV ）每人体模型ESD额定值
1
阴极
2
阳极
机械特性：
案例：
无空隙，传输模塑料
表面处理：
所有外部表面耐腐蚀
最大外壳焊接温度的目的：
260℃ 10秒
信息：
镀铅/锡，便于焊接性
极性：
阴极指示的极性带
可燃性等级：
UL94 V-0
安装位置：
任何
最大额定值
等级
器件总功耗FR - 5局，
（注1 ） @ TA = 25°C
减免上述25℃
从热阻
结到环境
结存储
温度范围
1， FR- 4最小焊盘
符号
P
D
最大
200
1.5
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
R
θJA
T
J
, T
英镑
635
-65到+ 150
MM3Z2V4T1/D–1/5
QQ：2880707522 复制
