【MM3Z2V4ST1系列齐纳稳压器200 mW的SOD- 323表面贴装紧公差投资组合这一系列的齐纳】,IC型号MM3Z2V4ST1_07,MM3Z2V4ST1_07 PDF资料,MM3Z2V4ST1

MM3Z2V4ST1系列

齐纳稳压器

200 mW的SOD- 323表面贴装

紧公差投资组合

这一系列的齐纳二极管的封装在SOD-323表面

这种封装具有200毫瓦的功耗。他们是

旨在提供电压调节保护和特别

的情况下，有吸引力的空间非常宝贵。他们是很好

适合于各种应用，如蜂窝电话，手持式便携设备，

和高密度的印刷电路板。

规格特点：

http://onsemi.com

阴极

阳极

标准齐纳击穿电压范围 -

2.4 V至18 V

稳态额定功率为200毫瓦

小机身外形尺寸：

0.067 “× 0.049 ” （1.7毫米× 1.25毫米）

低矮的车身高度： 0.035 “ （0.9 MM）

包装重量： 4.507毫克/单位

ESD等级3级（ >16 KV ）每人体模型

紧公差V

无铅包可用

记号

图

XXMG

SOD323

CASE 477

风格1

XX =具体设备守则

M =日期代码*

= Pb-Free包装

（注：微球可在任一位置）

*日期代码的方向可能会有所不同

根据生产地点。

机械特性：

案例：

无空隙，传输模塑料

表面处理：

所有外部表面耐腐蚀

最大外壳焊接温度的目的：

订购信息

设备

MM3ZxxxST1

MM3ZxxxST1G

MM3ZxxxST3

MM3ZxxxST3G

包

SOD323

（无铅）

SOD323

（无铅）

航运

3000 /磁带&卷轴

万/磁带&卷轴

260℃ 10秒

信息：

镀铅锡或锡只（无铅）

极性：

阴极指示的极性带

可燃性等级：

符合UL 94 V -0

安装位置：

任何

最大额定值

等级

器件总功耗FR - 5局，

（注1 ） @ T

= 25°C

减免上述25℃

从热阻

结到环境

结存储

温度范围

符号

200

1.5

qJA

, T

英镑

635

-65到+150

毫瓦/°C的

° C / W

°C

最大

单位

。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

器件标识信息

请参阅该设备的特定标识信息标识

电气特性表的第2页上栏

此数据表。

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大

额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作

工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力

推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。

1， FR- 4最小焊盘。

半导体元件工业有限责任公司， 2007年

2007年2月 - 13牧师

出版订单号：

MM3Z2V4ST1/D

MM3Z2V4ST1系列

电气特性

= 25℃，除非另有说明，否则

= 0.9 V最大。 @我

= 10 mA，对于所有类型）

符号

参数

反向击穿电压@ I

反向电流

最大齐纳阻抗@ I

反向电流

最大齐纳阻抗@ I

反向漏电流@ V

反向电压

正向电流

正向电压@ I

V的最大温度系数

马克斯。电容@V

= 0且f = 1 MHz的

齐纳稳压器

电气特性

= 0.9最大@ I

= 10 mA，对于所有类型）

= 0.5

最大

1000

800

500

200

100

160

= IZT

@ 10%

MOD

最大

IR @ VR

5.0

3.0

2.0

1.0

3.0

2.0

1.0

0.7

0.5

0.1

0.05

1.0

2.0

4.0

5.0

6.0

8.0

11.2

12.6

/ DT （MV / K）

@ I

ZT1

= 5毫安

民

3.5

2.7

2.0

0.4

1.2

2.5

3.2

3.8

4.5

6.0

8.8

10.4

12.4

最大

2.5

0.2

1.2

2.5

3.7

4.5

5.3

6.2

7.0

8.0

12.7

设备*

MM3Z3V3ST1 ，G

MM3Z3V9ST1 ，G

MM3Z4V3ST1 ，G

MM3Z4V7ST1 ，G

MM3Z5V1ST1 ，G

MM3Z5V6ST1 ，G

MM3Z6V2ST1 ，G

MM3Z6V8ST1 ，G

MM3Z7V5ST1 ，G

MM3Z8V2ST1 ，G

MM3Z9V1ST1 ，G

MM3Z10VST1 ，G

MM3Z12VST1 ，G

MM3Z15VST1 ，G

MM3Z16VST1 ，G

MM3Z18VST1 ，G

设备

记号

TEST

当前

IZT毫安

5.0

齐纳电压Vz

民

3.32

3.89

4.17

4.55

4.98

5.49

6.06

6.65

7.28

8.02

8.85

9.80

11.74

14.34

15.85

17.56

最大

3.53

4.16

4.43

4.75

5.2

5.73

6.33

6.93

7.6

8.36

9.23

10.20

12.24

14.98

16.51

18.35

pF的最大@

= 0

F = 1 MHz的

450

260

225

200

185

155

140

1358

130

105

100

*在“G ”后缀表示无铅封装。

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MM3Z2V4ST1系列

典型特征

1000

ZT ，动态阻抗（

)

= 25°C

Z（ AC）

= 0.1 I

Z（ DC ）

F = 1千赫

1000

IF ，正向电流（mA ）

100

= 1毫安

5毫安

150°C

75°C

1.0

3.0

，额定齐纳电压

0.4

0.5

25°C

0°C

1.1

1.2

1.0

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

，正向电压（ V）

齐纳电压对图1的影响

齐纳阻抗

1000

IR ，漏电流（

= 25°C

C，电容（pF ）

0 V BIAS

1 V BIAS

1000

100

1.0

0.1

0.01

图2.典型正向电压

100

偏压

Ⅴ的50％的

喃

+150°C

0.001

+ 25°C

55°C

5.0

，额定齐纳电压（ V）

0.0001

1.0

4.0

，额定齐纳电压（ V）

0.00001

图3.典型电容

图4.典型漏电流

100

= 25°C

I Z ，齐纳电流（mA）

100

功耗（％）

2.0

4.0

6.0

齐纳电压（V）

8.0

1.0

0.1

0.01

100

温度（℃）

125

150

图5.齐纳电压与稳压电流

截至9 V ）

图6.稳态功率降额

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MM3Z2V4ST1系列

包装尺寸

SOD323

CASE 477-02

ISSUE摹

注意事项：

1.尺寸和公差符合ANSI

Y14.5M ， 1982年。

2.控制尺寸：毫米。

3.引线厚度给定每L / F绘图

焊料电镀。

4.尺寸A和B不包括塑模

FLASH中，突出或毛刺。

5.尺寸L测量从结束

RADIUS 。

MILLIMETERS

DIM MIN

喃最大

0.80

0.90

1.00

0.00

0.05

0.10

0.15 REF

0.25

0.32

0.4

0.089

0.12 0.177

1.60

1.70

1.80

1.15

1.25

1.35

0.08

2.30

2.50

2.70

风格1 ：

PIN 1阴极

2.阳极

英寸

喃最大

0.035 0.040

0.002 0.004

0.006 REF

0.010 0.012 0.016

0.003 0.005 0.007

0.062 0.066 0.070

0.045 0.049 0.053

0.003

0.090 0.098 0.105

民

0.031

0.000

注5

注3

焊接足迹*

0.63

0.025

0.83

0.033

1.60

0.063

2.85

0.112

SCALE 10 ： 1

英寸

*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息

详细信息，请下载安森美半导体焊接与

安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。

安森美半导体

和

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