MM3Z2V4 ... MM3Z100
表面贴装齐纳二极管
齐纳Dioden献给死去Oberflchenmontage
版本2004-06-22
齐纳二极管
功耗 - Verlustleistung
1.7
200毫瓦
2.4 ... 100 V
SOD-323
0.005 g
额定齐纳电压
Nominale齐纳Spannung
TYPE
CODE
0.3
1
1.25
塑料外壳
Kunststoffgehuse
重量约。 - Gewicht约
标准包装卷带封装
标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔
2.5
±0.2
尺寸/集体单位为毫米
标准的齐纳电压容差分级，国际E 24 （ 5 ％）的标准。
其它电压容差和要求较高的齐纳电压。
死Toleranz德齐纳Spannung IST在德标Ausführung gestuft NACH DER internationalen
Reihe街上E 24 （ 5 ％ ） 。企业的其它Toleranzen奥德hhere Arbeitsspannungen奥夫Anfrage 。
最大额定值和特性
功耗
Verlustleistung
工作结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
T
A
= 25°C
Grenz- UND Kennwerte
P
合计
T
j
T
S
R
THA
200毫瓦
1
)
– 50...+175°C
– 50...+175°C
＆ LT ; 300 K / W
1
)
齐纳电压见表下页 - 齐纳Spannungen世赫Tabelle AUF DER nchsten页首
1
）安装在交媾主板为3 mm
2
铜焊盘中的每一个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞
1
齐纳二极管
最大额定值
TYPE
典型值
齐纳电压
1
)
齐纳Spanng 。
1
)
I
Z
=I
ZTEST
V
ZMIN
[V] V
ZMAX
2.28
2.5
2.8
3.1
3.4
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
77
85
94
2.56
2.9
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
87
96
106
MM3Z2V4 ... MM3Z100
Grenzwerte
动态电阻温度。 Coeffiz 。
反向泄漏。
TEST
Inhr 。差异。
电流
当前
Z-电压
widerstand
Mestrom
... DER Z- spanng 。 Sperrstrom贝
I
ZTEST
[毫安] R
zj
[ Ω ] / 1kHz的我
Z
[马]
α
VZ
[10
-4
/ ° C]我
R
[ μA ] V
R
[V]
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
1
1
<100
<110
<120
<130
<130
<130
<130
<130
<130
<80
<50
<30
<30
<30
<30
<30
<30
<35
<35
<40
<40
<45
<50
<55
<60
<70
<80
<80
<90
<100
<130
<150
<180
<180
<200
<250
<300
<300
<700
<700
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
1
1
-9...-6
-9...-6
-8...-5
-8...-5
-8...-5
-8…-5
-6…-3
-5…+2
-2…+2
-5…+5
+3…+6
+3…+7
+3…+7
+3…+8
+3…+9
+3…+10
+3…+11
+3…+11
+3…+11
+3…+11
+3…+11
+3…+11
+3…+11
+4…+12
+4…+12
+4…+12
+4…+12
+4…+12
+4…+12
+4…+12
+4…+12
+4…+12
+4…+12
+4…+12
+4…+12
+4…+12
+4…+12
+5…+12
+5…+12
+5…+12
<120
<120
<50
<20
<10
<10
<10
<10
<5
<5
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<1
<1
<0.2
<0.2
<0.2
<0.2
<0.2
<0.2
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.5
2.5
3.0
3.5
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10
11
12
13
15
17
19
21
23
25
27
30
33
36
39
43
47
52
57
63
69
76
MM3Z2V4
MM3Z2V7
MM3Z3V0
MM3Z3V3
MM3Z3V6
MM3Z3V9
MM3Z4V3
MM3Z4V7
MM3Z5V1
MM3Z5V6
MM3Z6V2
MM3Z6V8
MM3Z7V5
MM3Z8V2
MM3Z9V1
MM3Z10
MM3Z11
MM3Z12
MM3Z13
MM3Z15
MM3Z16
MM3Z18
MM3Z20
MM3Z22
MM3Z24
MM3Z27
MM3Z30
MM3Z33
MM3Z36
MM3Z39
MM3Z43
MM3Z47
MM3Z51
MM3Z56
MM3Z62
MM3Z68
MM3Z75
MM3Z82
MM3Z91
MM3Z100
1
)
测试了脉冲吨
p
= 20毫秒 - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 20毫秒
2
MM3Z2V0~MM3Z75
硅平面齐纳二极管
特点
总功耗：最大。 300毫瓦
适用于小塑料包
表面贴装设计
公差约为±5 ％
钉扎
针
1
2
1
描述
阴极
阳极
2
顶视图
简体外形SOD- 323和符号
绝对最大额定值（T
a
= 25
O
C)
参数
功耗
结温
存储温度范围
符号
P
合计
T
j
T
S
价值
300
150
- 55至+ 150
单位
mW
O
C
C
O
特点在T
a
= 25
O
C
参数
热阻结到环境空气
正向电压
在我
F
= 10毫安
符号
R
THA
V
F
马克斯。
0.3
0.9
单位
K / W
V
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 09/11/2007
MM3Z2V0~MM3Z75
特点在T
a
= 25
O
C
TYPE
MM3Z2V0
MM3Z2V2
MM3Z2V4
MM3Z2V7
MM3Z3V0
MM3Z3V3
MM3Z3V6
MM3Z3V9
MM3Z4V3
MM3Z4V7
MM3Z5V1
MM3Z5V6
MM3Z6V2
MM3Z6V8
MM3Z7V5
MM3Z8V2
MM3Z9V1
MM3Z10
MM3Z11
MM3Z12
MM3Z13
MM3Z15
MM3Z16
MM3Z18
MM3Z20
MM3Z22
MM3Z24
MM3Z27
MM3Z30
MM3Z33
MM3Z36
MM3Z39
MM3Z43
MM3Z47
MM3Z51
MM3Z56
MM3Z62
MM3Z68
MM3Z75
1)
2)
记号
CODE
B0
C0
1C
1D
1E
1F
1H
1J
1K
1M
1N
1P
1R
1X
1Y
1Z
2A
2B
2C
2D
2E
2F
2H
2J
2K
2M
2N
2P
2R
2X
2Y
2Z
3A
3B
3C
3D
3E
3F
3H
齐纳电压范围
1)
V
ZNOM
V
2.0
2.2
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
l
ZT
mA
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
为
V
ZT
V
1.8...2.15
2.08...2.33
2.28...2.56
2.5...2.9
2.8...3.2
3.1...3.5
3.4...3.8
3.7...4.1
4...4.6
4.4...5
4.8...5.4
5.2...6
5.8...6.6
6.4...7.2
7...7.9
7.7...8.7
8.5...9.6
9.4...10.6
10.4...11.6
11.4...12.7
12.4...14.1
13.8...15.6
15.3...17.1
16.8...19.1
18.8...21.2
20.8...23.3
22.8...25.6
25.1...28.9
28...32
31...35
34...38
37...41
40...46
44...50
48...54
52...60
58...66
64...72
70...79
动态阻抗
2)
Z
ZT
（ MAX 。 ）
100
100
100
110
120
130
130
130
130
130
130
80
50
30
30
30
30
30
30
35
35
40
40
45
50
55
60
70
80
80
90
100
130
150
180
180
200
250
300
at
I
ZT
mA
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
反向漏电流
I
R
（ MAX 。 ）
μA
120
120
120
120
50
20
10
5
5
2
2
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
2
2
2
1
1
0.2
0.2
0.2
at
V
R
V
0.5
0.7
1
1
1
1
1
1
1
1
1.5
2.5
3
3.5
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
15
17
19
21
23
25
27
30
33
36
39
43
47
52
57
V
Z
用脉冲（ 20毫秒）进行测试。
Z
ZT
的测量是在我
Z
由给定的一个非常小的交流电流信号。
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 09/11/2007
MM3Z2V0~MM3Z75
击穿特性
T
j
=常数（脉冲）
mA
50
Tj=25
o
C
2V7
3V3
3V9
4V7
6V8
Iz
40
8V2
5V6
30
20
10
测试电流IZ
5mA
0
0
1
2
3
4
5
6
Vz
7
8
9
10 V
击穿特性
T
j
=常数（脉冲）
mA
30
10
12
Tj=25
o
C
Iz
15
20
18
22
27
33
10
测试电流IZ
5mA
0
0
10
20
Vz
30
40 V
300
功耗： P合计（MW ）
200
100
0
0
25
100
环境温度： TA（ C）
O
150
降额曲线
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 09/11/2007
MM3Z2V0~MM3Z75
包装外形
塑料表面贴装封装; 2引线
SOD-323
A
c
H
E
D
A
E
b
p
单位
mm
A
1.10
0.80
b
p
0.40
0.25
C
0.15
0.00
D
1.80
1.60
E
1.35
1.15
H
E
2.80
2.30
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 09/11/2007
表面贴装稳压二极管
MM3Z系列
的" - C"后缀指定卤素&符合RoHS标准
为200mW ， SOD- 323 （ SC- 76 ）
最大
反向电流
（注2 ）
温度
对COEF网络cient
齐纳电压
@ I
ZT
= 5毫安
毫伏/
电气特性
(T
A
= 25℃ ，除非另有规定）
齐纳电压范围（注2）
O
TYPE
数
记号
CODE
民
V
1.91
2.2
2.5
2.8
3.1
3.4
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
14.3
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
最大
齐纳阻抗（注3 ）
Z
ZT
@I
ZT
100
100
100
95
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
40
45
55
55
70
80
80
80
90
130
150
170
180
200
215
240
255
Z
ZK
@I
ZK
mA
600
1.0
600
1.0
600
1.0
600
1.0
600
1.0
600
1.0
600
1.0
600
1.0
500
1.0
480
1.0
400
1.0
150
1.0
80
1.0
80
1.0
80
1.0
100
1.0
150
1.0
150
1.0
150
1.0
170
1.0
200
1.0
200
1.0
225
1.0
225
1.0
250
1.0
250
1.0
300
0.5
300
0.5
325
0.5
350
0.5
350
0.5
500
0.5
500
0.5
500
0.5
500
0.5
500
0.5
500
0.5
500
0.5
MM3Z2V0
MM3Z2V4
MM3Z2V7
MM3Z3V0
MM3Z3V3
MM3Z3V6
MM3Z3V9
MM3Z4V3
MM3Z4V7
MM3Z5V1
MM3Z5V6
MM3Z6V2
MM3Z6V8
MM3Z7V5
MM3Z8V2
MM3Z9V1
MM3Z10V
MM3Z11V
MM3Z12V
MM3Z13V
MM3Z15V
MM3Z16V
MM3Z18V
MM3Z20V
MM3Z22V
MM3Z24V
MM3Z27V
MM3Z30V
MM3Z33V
MM3Z36V
MM3Z39V
MM3Z43V
MM3Z47V
MM3Z51V
MM3Z56V
MM3Z62V
MM3Z68V
MM3Z75V
0H ,
00 ,
01 ,
02 ,
05 ,
06 ,
07 ,
08 ,
09 ,
0A ,
0C ,
0E ,
0F ,
0G ,
0H ,
0K ,
0L ,
0M ,
0N ,
0P ,
0T ,
0U ,
0W ,
0Z ,
10 ,
11 ,
12 ,
14 ,
18 ,
19 ,
20 ,
21 ,
1A ,
1C ,
1D ,
1E ,
1F ,
1G ,
WY
WX
W1
W2
W3
W4
W5
W6
W7
W8
W9
WA
WB
WC
WD
WE
WF
WG
WH
WI
WJ
WK
WL
WM
WN
WO
WP
WQ
WR
WS
WT
WU
WV
WW
1W
2W
3W
4W
V
Z
喃
V
2.0
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13.3
15
16.2
18
20
22
24.2
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
最大
V
2.09
2.6
2.9
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.8
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
@I
ZT
mA
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
I
R
@ V
R
A
V
150
1.0
50
1.0
20
1.0
10
1.0
5
1.0
5
1.0
3
1.0
3
1.0
3
2.0
2
2.0
1
2.0
3
4.0
2
4.0
1
5.0
0.7
5.0
0.5
6.0
0.2
7.0
0.1
8.0
0.1
8.0
0.1
8.0
0.1
10.5
0.1
11.2
0.1
12.6
0.1
14.0
0.1
15.4
0.1
16.8
0.05
18.9
0.05
21.0
0.05
23.2
0.05
25.2
0.05
27.3
0.05
30.1
0.05
32.9
0.05
35.7
0.05
39.2
0.05
43.4
0.05
47.6
0.05
52.5
民
-3.5
-3.5
-3.5
-3.5
-3.5
-3.5
-3.5
-3.5
-3.5
-2.7
-2.0
0.4
1.2
2.5
3.2
3.8
4.5
5.4
6.0
7.0
9.2
10.4
12.4
14.4
16.4
18.4
21.4
24.4
27.4
30.4
33.4
37.6
42.0
46.6
52.2
58.8
65.6
73.4
最大
0
0
0
0
0
0
0
0
0.2
1.2
2.5
3.7
4.5
5.3
6.2
7.0
8.0
9.0
10
11
13
14
16
18
20
22
25.3
29.4
33.4
37.4
41.2
46.6
51.8
57.2
63.8
71.6
79.8
88.6
注：1。有效的规定，设备终端被保持在环境温度下进行。
2.测试与脉冲。周期= 5毫秒，脉冲宽度= 300微秒
3. F = 1K的赫兹
最大额定值@ T
A
= 25
特征
功率耗散（注1 ） ，
减免上述25
正向电压（注2） @我
F
= 10毫安
从结点到环境的热阻（注1 ）
工作和存储温度范围
注：1。有效的规定，设备终端被保持在环境温度下进行。
用于最小化自加热效应2.短持续时间的测试脉冲。
3. F = 1K的赫兹
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01君2002年修订版A
符号
P
d
V
F
R
JA
T
j
, T
英镑
价值
200
1.5
0.9
625
-65 ~ +150
单位
mW
毫瓦/
V
/W
的说明书中的任何改变将不被通知个人
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3
特点
.
符合RoHS
.
标准齐纳击穿电压范围-2.0V至75V
。稳态额定功率为200毫瓦
。小机身外形尺寸：2.7毫米× 1.25毫米
。低矮的车身高度为0.9mm
。包装重量： 4.507毫克/单位
。 ESD等级3级（ >16 KV ）每人体模型
机械数据
。案例： SOD- 323 ，无空洞，传递模塑料
。完成：所有的外部表面耐腐蚀
。最大外壳焊接温度的目的： 260
。极性：负极指示的极性带
。可燃性等级： UL94 V- 0
。安装位置：任意
10秒
概要
SOD- 323 （ SC- 76 ）
暗淡
民
最大
A
2.30
2.70
B
1.60
1.80
C
1.20
1.40
D
1.05典型
E
0.25
0.35
G
0.20
0.40
H
0.10
0.15
J
0.05典型
0°
8°
尺寸：mm
H
G
A
B
C
E
D
J
典型特征
1000
ZT ，动态阻抗（
)
T
J
= 25°C
I
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ）
F = 1千赫
1000
IF ，正向电流（mA ）
100
100
I
Z
= 1毫安
10
5毫安
10
150°C
75°C
1.0
3.0
10
V
Z
，额定齐纳电压
80
0.4
0.5
25°C
0°C
1.1
1.2
1.0
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
V
F
，正向电压（ V）
齐纳电压对图1的影响
齐纳阻抗
图2.典型正向电压
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的说明书中的任何改变将不被通知个人
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1000
T
A
= 25°C
C，电容（pF ）
0 V BIAS
1 V BIAS
IR ，漏电流（
A)
1000
100
10
1.0
0.1
0.01
+25°C
–55°C
0
10
20
30
40
50
60
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
70
+150°C
100
10
偏压
Ⅴ的50％的
Z
喃
0.001
0.0001
1.0
4.0
10
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
70
0.00001
图3.典型电容
图4.典型漏电流
100
T
A
= 25°C
I Z ，齐纳电流（mA）
100
T
A
= 25°C
IZ ，齐纳电流（毫安）
10
10
1.0
1
0.1
0.1
0.01
0.01
0
2.0
4.0
6.0
8.0
V
Z
齐纳电压（V）
10
12
10
30
50
70
V
Z
齐纳电压（V）
90
图5.齐纳电压与稳压电流
(V
Z
高达12 V ）
图6.齐纳电压与稳压电流
（ 12 V至75 V ）
100
80
功耗（ ％ ）
60
40
20
0
0
25
50
75
100
温度（℃）
125
150
图7.稳态功率降额
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的说明书中的任何改变将不被通知个人
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星合电子
ＸＩＮＧＨＥ ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ
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星合电子
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