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首字符M的型号第1455页
> MM3Z11B
证书
:
TH97/10561QM
证书:
TW00/17276EM
MM3Z2V0B - MM3Z39B
V
Z
:
2.0 39 V
P
D
:
300毫瓦
产品特点:
*总功耗:最大。 300毫瓦
*适用于小型塑料包装
表面贴装设计
*高可靠性
*无铅/符合RoHS免费
1.35
1.15
齐纳二极管
SOD-323
1.80
1.60
2.80
2.30
单位:毫米
机械数据:
案例:
SOD- 323塑料包装
重量:
约。 0.004克
最大额定值和热特性
参数
功耗
在正向电压V
F
= 10毫安
热阻结到环境空气
结温范围
存储温度范围
( TA = 25 ° C)
符号
P
D
V
F
R
θJA
T
J
T
英镑
价值
300
0.9
0.3
150
-55到+ 150
0.15 (最大)
1.10
0.80
0.40
0.25
单位
mW
V
K /毫瓦
°C
°C
第1页2
启示录00 : 2007年3月7日
证书
:
TH97/10561QM
证书:
TW00/17276EM
电气特性
齐纳电压
型号
记号
V
Z
分钟。
MM3Z2V0B
MM3Z2V2B
MM3Z2V4B
MM3Z2V7B
MM3Z3V0B
MM3Z3V3B
MM3Z3V6B
MM3Z3V9B
MM3Z4V3B
MM3Z4V7B
MM3Z5V1B
MM3Z5V6B
MM3Z6V2B
MM3Z6V8B
MM3Z7V5B
MM3Z8V2B
MM3Z9V1B
MM3Z10B
MM3Z11B
MM3Z12B
MM3Z13B
MM3Z15B
MM3Z16B
MM3Z18B
MM3Z20B
MM3Z22B
MM3Z24B
MM3Z27B
MM3Z30B
MM3Z33B
MM3Z36B
MM3Z39B
B0
MF
7C
7D
7E
7F
7H
7J
7K
7M
7N
7P
7R
7X
7Y
7Z
8A
8B
8C
8D
8E
8F
8H
8J
8K
8M
8N
8P
8R
8X
8Y
8Z
1.80
2.08
2.30
2.65
2.95
3.25
3.60
3.89
4.17
4.55
4.98
5.49
6.06
6.65
7.28
8.02
8.85
9.77
10.76
11.74
12.91
14.34
15.85
17.56
19.52
21.54
23.72
26.19
29.19
32.15
35.07
37.00
(1)
TEST
当前
I
ZT
(MA )
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
动态
阻抗
Z
Z
@ I
Z
(Ω)
100
100
100
110
120
120
100
100
100
100
80
60
60
40
30
30
30
30
30
30
37
42
50
65
85
100
120
150
200
250
300
100
(2)
TEST
当前
I
Z
(MA )
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2
2
2
2
2
反向
漏电流
I
R
(μA)
120
120
120
120
50
20
10
5
5
2
2
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
2.0
温度。 COEF网络cient
齐纳电压
TK
VZ
(%/K)
分钟。
-0.09
-0.09
-0.09
-0.09
-0.08
-0.08
-0.08
-0.08
-0.06
-0.05
-0.02
-0.05
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
@
I
ZT
2.0
2.2
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
(V)
马克斯。
2.15
2.33
2.65
2.95
3.25
3.55
3.845
4.16
4.43
4.75
5.20
5.73
6.33
6.93
7.60
8.36
9.23
10.21
11.22
12.24
13.49
14.98
16.51
18.35
20.39
22.47
24.78
27.53
30.69
33.79
36.87
41.00
@
V
R
(V)
0.5
0.7
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.5
2.5
3.0
3.5
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10
11
12
13
15
17
19
21
23
25
27
30
喃。
马克斯。
-0.06
-0.06
-0.06
-0.06
-0.05
-0.05
-0.05
-0.05
-0.03
+0.02
+0.02
+0.05
0.06
0.07
0.07
0.08
0.09
0.10
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.12
0.12
0.12
0.12
0.12
0.12
0.12
注意事项:
(1) V
Z
用脉冲( 20毫秒)进行测试。
(2) Z
Z
的测量是在我所给定的一个非常小的交流电流信号。
Z
第2页2
启示录00 : 2007年3月7日
MM3Z2V2B~MM3Z39B
硅平面齐纳二极管
特点
总功耗:最大。 300毫瓦
适用于小塑料包
表面贴装设计
高可靠性
钉扎
针
1
2
1
描述
阴极
阳极
2
描述
在一个小的塑料硅平面齐纳二极管
SMD SOD- 323封装
顶视图
简体外形SOD- 323和符号
绝对最大额定值(T
a
= 25
O
C)
参数
功耗
结温
存储温度范围
符号
P
合计
T
j
T
英镑
价值
300
150
- 55至+ 150
单位
mW
O
C
C
O
特点在T
a
= 25
O
C
参数
热阻结到环境空气
正向电压
在我
F
= 10毫安
符号
R
THA
V
F
马克斯。
417
0.9
单位
O
C / W
V
1
金隅
半导体
www.htsemi.com
D½½½:2011/05
MM3Z2V2B~MM3Z39B
特点在T
a
= 25
O
C
齐纳电压范围
1)
TYPE
记号
CODE
V
ZNOM
V
MM3Z2V2B
MF
2.2
MM3Z2V4B
7C
2.4
MM3Z2V7B
7D
2.7
MM3Z3V0B
7E
3.0
MM3Z3V3B
7F
3.3
MM3Z3V6B
7H
3.6
MM3Z3V9B
7J
3.9
MM3Z4V3B
7K
4.3
MM3Z4V7B
7M
4.7
MM3Z5V1B
7N
5.1
MM3Z5V6B
7P
5.6
MM3Z6V2B
7R
6.2
MM3Z6V8B
7X
6.8
MM3Z7V5B
7Y
7.5
MM3Z8V2B
7Z
8.2
MM3Z9V1B
8A
9.1
MM3Z10B
8B
10
MM3Z11B
8C
11
MM3Z12B
8D
12
MM3Z13B
8E
13
MM3Z15B
8F
15
MM3Z16B
8H
16
MM3Z18B
8J
18
MM3Z20B
8K
20
MM3Z22B
8M
22
MM3Z24B
8N
24
MM3Z27B
8P
27
MM3Z30B
8R
30
MM3Z33B
8X
33
MM3Z36B
8Y
36
MM3Z39B
8Z
39
1)
V
Z
用脉冲( 20毫秒)进行测试。
l
ZT
mA
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
为
V
ZT
V
2.1...2.4
2.3…2.65
2.65…2.95
2.95…3.25
3.25…3.55
3.6…3.845
3.89…4.16
4.17…4.43
4.55…4.75
4.98…5.2
5.49…5.73
6.06…6.33
6.65…6.93
7.28…7.6
8.02…8.36
8.85…9.23
9.77…10.21
10.76…11.22
11.74…12.24
12.91…13.49
14.34…14.98
15.85…16.51
17.56…18.35
19.52…20.39
21.54…22.47
23.72…24.78
26.19…27.53
29.19…30.69
32.15…33.79
35.07…36.87
37…41
动态阻抗
Z
ZT
( MAX 。 )
100
100
110
120
120
100
100
100
100
80
60
60
40
30
30
30
30
30
30
37
42
50
65
85
100
120
150
200
250
300
100
在我
ZT
mA
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
反向漏电流
I
R
( MAX 。 )
μA
120
120
120
50
20
10
5
5
2
2
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
2
在V
R
V
0.7
1
1
1
1
1
1
1
1
1.5
2.5
3
3.5
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
15
17
19
21
23
25
27
30
2
金隅
半导体
www.htsemi.com
D½½½:2011/05
MM3Z2V2B~MM3Z39B
300
功耗: P合计(MW )
200
100
0
0
25
100
环境温度: TA( C)
O
150
降额曲线
3
金隅
半导体
www.htsemi.com
D½½½:2011/05
MM3Z2V2B~MM3Z39B
包装外形
塑料表面贴装封装; 2引线
SOD-323
A
c
H
E
D
A
E
b
p
单位
mm
A
1.10
0.80
b
p
0.40
0.25
C
0.15
0.10
D
1.80
1.60
E
1.35
1.15
H
E
2.80
2.30
4
金隅
半导体
www.htsemi.com
D½½½:2011/05
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MM3Z11B
PDF信息
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M38220E8MFP
MSK5232-1.7HTS
MI-P2W-MZW
MI-QC2ZN-IVY
MI-P7P-MVX
M38021E7DXXXSS
MX29LV320BXBI-90G
MAX1589ETA130
MSS1278T-223ML
MBB0207-501C147K
MRSE-2-5CKGXPC
M40SZ100Y_07
M38275E7MXXXFS
MC54HC162J
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
深圳市壹芯创科技有限公司
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QQ:2369405325
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电话:0755-82780082
联系人:杨小姐
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MM3Z11B
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-
-
-
终端采购配单精选
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-
-
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更多配单专家
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电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
MM3Z11B
JXND/嘉兴南电
2443+
23000
SOD-323
一级代理专营,原装现货,价格优势
深圳市诺洋电子科技有限公司
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QQ:2881501652
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QQ:2881501653
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电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
MM3Z11B
Diotec Semiconductor
24+
24902
SOD-323F
全新原装现货,原厂代理。
深圳市芯泽盛世科技有限公司
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QQ:2881147140
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电话:0755-89697985
联系人:李
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MM3Z11B
Diotec Semiconductor
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10000
SOD-323F
原厂一级代理,原装现货
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
MM3Z11B
ST
21+
10000
SOD-323
全新原装正品/质量有保证
GERMANY XIANZHOU GROUP CO., LTD
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QQ:5645336
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
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√ 欧美㊣品
▲10/11+
8778
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联系人:朱先生
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MM3Z11B
ST
24+
9850
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官方授权代理商入驻
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联系人:陈先生
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联系人:销售部
地址:深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402
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电话:0755-83259954/0755-82701784
联系人:李小姐/李先生/罗小姐/汪先生
地址:福田区振华路华乐楼615室
MM3Z11B
ST
1148+
50000
SOD-323
中国唯一指定代理商√√√特价!特价!
北京元坤国际科技有限公司
QQ:
QQ:1584878981
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
MM3Z11B
ST
21+
8500
SOD-323
全新原装正品/质量有保证
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