MM3ZxxxST1G系列，
SZMM3ZxxxST1G系列
齐纳稳压器
200 mW的SOD- 323表面贴装
紧公差投资组合
这一系列的齐纳二极管的封装在SOD-323表面
这种封装具有200毫瓦的功耗。他们是
旨在提供电压调节保护和特别
的情况下，有吸引力的空间非常宝贵。他们是很好
适合于各种应用，如蜂窝电话，手持式便携设备，
和高密度的印刷电路板。
规格特点
http://onsemi.com
标准齐纳击穿电压范围
3.3 V至36 V
稳态额定功率为200毫瓦
小机身外形尺寸：
SOD323
CASE 477
风格1
0.067 “× 0.049 ” （1.7毫米× 1.25毫米）
低矮的车身高度： 0.035 “ （0.9 MM）
包装重量： 4.507毫克/单位
ESD额定值3类（ > 16千伏）每人体模型
紧公差V
Z
AEC - Q101标准，并有能力PPAP
SZ前缀为汽车和独特需要其他应用程序
站点和控制变化的要求
这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
*兼容
1
阴极
2
阳极
标记图
XXMG
G
机械特性：
案例：
无空隙，传输模塑料
表面处理：
所有外部表面耐腐蚀
最大外壳焊接温度的目的：
XX =具体设备守则
M =日期代码*
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向可能会有所不同
根据生产地点。
260℃ 10秒
信息：
镀铅锡或锡只（无铅）
极性：
阴极指示的极性带
可燃性等级：
符合UL 94 V -0
安装位置：
任何
订购信息
设备
MM3ZxxxST1G
SZMM3ZxxxST1G
包
SOD323
（无铅）
SOD323
（无铅）
SOD323
（无铅）
航运
3,000 /
磁带&卷轴
3,000 /
磁带&卷轴
10,000 /
磁带&卷轴
MM3ZxxxST3G
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
器件标识信息
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2013
请参阅该设备的特定标识信息标识
电气特性表的第3页列
此数据表。
2013月，
启示录20
1
出版订单号：
MM3Z2V4ST1/D
MM3ZxxxST1G系列， SZMM3ZxxxST1G系列
最大额定值
等级
器件总功耗FR - 5局，
（注1 ） @ T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻结到环境
结温和存储温度范围
符号
P
D
最大
200
1.5
635
65
+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
R
qJA
T
J
, T
英镑
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
1， FR- 4最小焊盘。
电气特性
(T
A
= 25℃，除非另有说明，否则
V
F
= 0.9 V最大。 @我
F
= 10 mA，对于所有类型）
符号
V
Z
I
ZT
Z
ZT
I
ZK
Z
ZK
I
R
V
R
I
F
V
F
QV
Z
C
参数
反向击穿电压@ I
ZT
反向电流
最大齐纳阻抗@ I
ZT
反向电流
最大齐纳阻抗@ I
ZK
反向漏电流@ V
R
反向电压
正向电流
正向电压@ I
F
V的最大温度系数
Z
马克斯。电容@V
R
= 0且f = 1 MHz的
V
Z
V
R
I
R
V
F
I
ZT
V
I
F
I
齐纳稳压器
http://onsemi.com
2
MM3ZxxxST1G系列， SZMM3ZxxxST1G系列
电气特性
(V
F
= 0.9最大@ I
F
= 10 mA，对于所有类型）
齐纳电压Vz
民
2.90
3.32
3.89
4.17
4.55
4.98
5.49
6.06
6.65
7.28
8.02
8.85
9.80
11.74
12.91
14.34
15.85
17.56
21.54
23.72
26.19
32.15
35.07
38.22
最大
3.11
3.53
4.16
4.43
4.75
5.2
5.73
6.33
6.93
7.6
8.36
9.23
10.20
12.24
13.49
14.98
16.51
18.35
22.47
24.78
27.53
33.79
36.87
39.78
Z
ZK
I
Z
= 0.5
mA
W
最大
1000
1000
1000
1000
800
500
200
100
160
160
160
160
160
80
160
80
80
80
100
120
300
300
500
500
Z
ZT
I
Z
= IZT
@ 10%
MOD
W
最大
100
95
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
15
25
30
40
40
45
55
70
80
80
90
130
最大
IR @ VR
mA
10
5.0
3.0
3.0
3.0
2.0
1.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.5
0.1
0.1
0.1
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
V
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
2.0
4.0
4.0
5.0
5.0
6.0
6.0
8.0
8.0
11
11.2
12.6
15.4
16.8
18.9
23.2
25.2
27.3
d
VZ
/ DT （MV / K）
@ I
ZT1
= 5毫安
民
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
2.7
2.0
0.4
1.2
2.5
3.2
3.8
4.5
6.0
7.0
8.8
10.4
12.4
16.4
18.4
21.4
27.4
30.4
33.4
最大
0
0
2.5
0
0.2
1.2
2.5
3.7
4.5
5.3
6.2
7.0
8.0
10
11
12.7
14
16
20
22
25.3
33.4
37.4
41.2
设备*
MM3Z3V0ST1G
MM3Z3V3ST1G
MM3Z3V9ST1G
MM3Z4V3ST1G
MM3Z4V7ST1G
MM3Z5V1ST1G
MM3Z5V6ST1G
MM3Z6V2ST1G
MM3Z6V8ST1G
MM3Z7V5ST1G
MM3Z8V2ST1G
MM3Z9V1ST1G
MM3Z10VST1G
MM3Z12VST1G
MM3Z13VST1G
MM3Z15VST1G
MM3Z16VST1G
MM3Z18VST1G
MM3Z22VST1G
MM3Z24VST1G
MM3Z27VST1G
MM3Z33VST1G
MM3Z36VST1G
MM3Z39VST1G
设备
记号
T4
T5
T7
T8
T9
TA
TC
TE
TF
TG
TH
TK
WB
TN
TQ
TP
TU
TW
WP
WT
WQ
WR
WU
WN
TEST
当前
IZT毫安
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
2.0
pF的最大@
V
R
= 0
F = 1 MHz的
450
450
450
450
260
225
200
185
155
140
135
130
130
130
120
130
105
100
85
80
70
70
70
45
*适用包括SZ-前缀的设备。
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3
MM3ZxxxST1G系列， SZMM3ZxxxST1G系列
典型特征
1000
ZT ，动态阻抗（
Ω
)
T
J
= 25°C
I
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ）
F = 1千赫
1000
IF ，正向电流（mA ）
100
100
I
Z
= 1毫安
10
5毫安
10
150°C
75°C
1.0
0.4
0.5
25°C
0°C
1.1
1.2
1.0
3.0
V
Z
，额定齐纳电压
10
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
V
F
，正向电压（ V）
齐纳电压对图1的影响
齐纳阻抗
1000
IR ，漏电流（
μ
A)
T
A
= 25°C
C，电容（pF ）
0 V BIAS
1 V BIAS
1000
100
10
1.0
0.1
0.01
图2.典型正向电压
100
偏压
Ⅴ的50％的
Z
喃
10
+150°C
0.001
+ 25°C
55°C
0
5.0
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
10
0.0001
1.0
4.0
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
10
0.00001
图3.典型电容
图4.典型漏电流
100
T
A
= 25°C
I Z ，齐纳电流（mA）
100
80
功耗（ ％ ）
0
2.0
4.0
6.0
V
Z
齐纳电压（V）
8.0
10
60
40
20
0
10
1.0
0.1
0.01
0
25
50
75
100
温度（℃）
125
150
图5.齐纳电压与稳压电流
(V
Z
截至9 V ）
图6.稳态功率降额
http://onsemi.com
4
MM3ZxxxST1G系列， SZMM3ZxxxST1G系列
包装尺寸
SOD323
CASE 477-02
ISSUE
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
3.引线厚度给定每L / F绘图
焊料电镀。
4.尺寸A和B不包括塑模
FLASH中，突出或毛刺。
5.尺寸L测量从结束
RADIUS 。
MILLIMETERS
DIM MIN
喃最大
A
0.80
0.90
1.00
A1
0.00
0.05
0.10
A3
0.15 REF
b
0.25
0.32
0.4
C
0.089
0.12 0.177
D
1.60
1.70
1.80
E
1.15
1.25
1.35
L
0.08
H
E
2.30
2.50
2.70
风格1 ：
PIN 1阴极
2.阳极
英寸
喃最大
0.035 0.040
0.002 0.004
0.006 REF
0.010 0.012 0.016
0.003 0.005 0.007
0.062 0.066 0.070
0.045 0.049 0.053
0.003
0.090 0.098 0.105
H
E
D
b
1
2
E
民
0.031
0.000
A3
A
C
L
A1
注3
注5
焊接足迹*
0.63
0.025
0.83
0.033
1.60
0.063
2.85
0.112
SCALE 10 ： 1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格，可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC及其高级人员，雇员，子公司，关联公司，
和分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律，并不得转售以任何方式。
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5
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