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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第2896页 > MM1Z62
证书TH97 / 10561QM
证书TW00 / 17276EM
MM1Z2V4 - MM1Z75
V
Z
:
2.4至75 V
P
D
:
500毫瓦
产品特点：
*总功率耗散500毫瓦
*宽齐纳反向电压范围2.4 V至75 V
*包装最优设计自动化委员会汇编
*小尺寸封装的高密度应用
*无铅/符合RoHS免费
1.65
1.55
齐纳二极管
SOD-123
2.7
2.6
0.6
0.5
3.9
3.7
机械数据：
*案例： SOD- 123
*重量0.01克（约）
单位：毫米
最大额定值和热特性
等级25
°
除非另有说明C的环境温度
.
参数
总功耗
最大正向电压在我
F
= 10毫安
热阻结到环境空气
结温范围
存储温度范围
符号
P
合计
V
F
R
θJA
T
J
T
英镑
价值
500
0.9
0.3
150
-55到+ 150
0.135
0.127
1.15
1.05
单位
mW
V
K /毫瓦
°C
°C
第1页2
启示录01 ： 2006年3月24日
证书TH97 / 10561QM
证书TW00 / 17276EM
电气特性
齐纳电压
(2)
型号
记号
V
Z
@ I
ZT
分钟。
喃。
2.28
2.5
2.8
3.1
3.4
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28.0
31.0
34.0
37.0
40.0
44.0
48.0
52.0
58.0
64.0
70.0
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
(V)
马克斯。
2.56
2.9
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32.0
35.0
38.0
41.0
46.0
50.0
54.0
60.0
66.0
72.0
79.0
TEST
当前
I
ZT
（MA ）
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
动态阻抗
(3)
Z
ZT
()
100
110
120
130
130
130
130
130
130
80
50
30
30
30
30
30
30
35
35
40
40
45
50
55
60
70
80
80
90
100
130
150
180
180
200
250
300
@ I
ZT
（MA ）
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
马克斯。反向
漏电流
I
R
@ V
R
(μA)
120
120
50
20
10
5
5
2
2
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
2
2
2
1
1
0.2
0.2
0.2
(V)
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.5
2.5
3.0
3.5
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10
11
12
13
15
17
19
21
23
25
27
30
33
36
39
43
47
52
57
温度。 COEF网络cient
齐纳电压
TK
VZ
(%/K)
分钟。
-0.09
-0.09
-0.08
-0.08
-0.08
-0.08
-0.06
-0.05
-0.02
-0.05
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
马克斯。
-0.06
-0.06
-0.05
-0.05
-0.05
-0.05
-0.03
+0.02
+0.02
+0.05
0.06
0.07
0.07
0.08
0.09
0.1
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.12
0.12
0.12
0.12
0.12
0.12
0.12
0.12
0.12
0.12
0.12
0.12
0.12
0.12
MM1Z2V4
MM1Z2V7
MM1Z3V0
MM1Z3V3
MM1Z3V6
MM1Z3V9
MM1Z4V3
MM1Z4V7
MM1Z5V1
MM1Z5V6
MM1Z6V2
MM1Z6V8
MM1Z7V5
MM1Z8V2
MM1Z9V1
MM1Z10
MM1Z11
MM1Z12
MM1Z13
MM1Z15
MM1Z16
MM1Z18
MM1Z20
MM1Z22
MM1Z24
MM1Z27
MM1Z30
MM1Z33
MM1Z36
MM1Z39
MM1Z43
MM1Z47
MM1Z51
MM1Z56
MM1Z62
MM1Z68
MM1Z75
4C
4D
4E
4F
4H
4J
4K
4M
4N
4P
4R
4X
4Y
4Z
5A
5B
5C
5D
5E
5F
5H
5J
5K
5M
5N
5P
5R
5X
5Y
5Z
6A
6B
6C
6D
6E
6F
6H
注意事项：
（1）中所示的类型的数目有±5％的额定电压的齐纳标准公差。
(2) V
Z
用脉冲（ 20毫秒）进行测试。
(3) V
Z
的测量是在我
Z
由给定的一个非常小的交流电流信号。
第2页2
启示录01 ： 2006年3月24日
MM1Z2V0~MM1Z75
硅平面齐纳二极管
特点
总功耗：最大。 500毫瓦
小型塑料封装，适合
表面贴装设计
容差约为±5 ％
钉扎
针
1
2
1
描述
阴极
阳极
2
顶视图
简体外形SOD- 123和符号
绝对最大额定值（T
a
= 25
O
C)
参数
功耗
结温
存储温度范围
符号
P
合计
T
j
T
S
价值
500
150
- 55至+ 150
单位
mW
O
C
C
O
特点在T
a
= 25
O
C
参数
热阻结到环境空气
正向电压
在我
F
= 10毫安
符号
R
THA
V
F
马克斯。
340
0.9
单位
O
C / W
V
１　
金隅
半导体
www.htsemi.com
Ｄ½½½：２０１１／０５
MM1Z2V0~MM1Z75
特点在T
a
= 25
O
C
TYPE
MM1Z2V0
MM1Z2V2
MM1Z2V4
MM1Z2V7
MM1Z3V0
MM1Z3V3
MM1Z3V6
MM1Z3V9
MM1Z4V3
MM1Z4V7
MM1Z5V1
MM1Z5V6
MM1Z6V2
MM1Z6V8
MM1Z7V5
MM1Z8V2
MM1Z9V1
MM1Z10
MM1Z11
MM1Z12
MM1Z13
MM1Z15
MM1Z16
MM1Z18
MM1Z20
MM1Z22
MM1Z24
MM1Z27
MM1Z30
MM1Z33
MM1Z36
MM1Z39
MM1Z43
MM1Z47
MM1Z51
MM1Z56
MM1Z62
MM1Z68
MM1Z75
1)
2)
记号
CODE
4A
4B
4C
4D
4E
4F
4H
4J
4K
4M
4N
4P
4R
4X
4Y
4Z
5A
5B
5C
5D
5E
5F
5H
5J
5K
5M
5N
5P
5R
5X
5Y
5Z
6A
6B
6C
6D
6E
6F
6H
齐纳电压范围
1)
V
ZNOM
V
2.0
2.2
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
l
ZT
mA
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
为
V
ZT
V
1.8...2.15
2.08...2.33
2.28...2.56
2.5...2.9
2.8...3.2
3.1...3.5
3.4...3.8
3.7...4.1
4...4.6
4.4...5
4.8...5.4
5.2...6
5.8...6.6
6.4...7.2
7...7.9
7.7...8.7
8.5...9.6
9.4...10.6
10.4...11.6
11.4...12.7
12.4...14.1
13.8...15.6
15.3...17.1
16.8...19.1
18.8...21.2
20.8...23.3
22.8...25.6
25.1...28.9
28...32
31...35
34...38
37...41
40...46
44...50
48...54
52...60
58...66
64...72
70...79
动态阻抗
2)
Z
ZT
（ MAX 。 ）
反向漏电流
I
R
（ MAX 。 ）
μA
120
120
120
120
50
20
10
5
5
2
2
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
2
2
2
1
1
0.2
0.2
0.2
在V
R
V
0.5
0.7
1
1
1
1
1
1
1
1
1.5
2.5
3
3.5
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
15
17
19
21
23
25
27
30
33
36
39
43
47
52
57
100
100
100
110
120
130
130
130
130
130
130
80
50
30
30
30
30
30
30
35
35
40
40
45
50
55
60
70
80
80
90
100
130
150
180
180
200
250
300
在我
Z
mA
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
V
Z
用脉冲（ 20毫秒）进行测试。
Z
ZT
的测量是在我
Z
由给定的一个非常小的交流电流信号。
２
金隅
半导体
www.htsemi.com
Ｄ½½½：２０１１／０５
MM1Z2V0~MM1Z75
击穿特性
T
j
=常数（脉冲）
mA
50
Tj=25
o
C
2V7
3V3
3V9
4V7
6V8
Iz
40
8V2
5V6
30
20
10
测试电流IZ
5mA
0
0
1
2
3
4
5
6
Vz
7
8
9
10 V
击穿特性
T
j
=常数（脉冲）
mA
30
10
12
Tj=25
o
C
Iz
15
20
18
22
27
33
10
测试电流IZ
5mA
0
0
10
20
Vz
30
40 V
３
金隅
半导体
www.htsemi.com
Ｄ½½½：２０１１／０５
MM1Z2V0~MM1Z75
包装外形
塑料表面贴装封装; 2引线
SOD-123
∠
全面
c
H
E
D
A
E
b
p
单位
mm
A
1.15
1.05
b
p
0.6
0.5
c
0.135
0.127
A
D
2.7
2.6
E
1.65
1.55
H
E
3.9
3.7
v
0.2
∠
5
O
４
金隅
半导体
www.htsemi.com
Ｄ½½½：２０１１／０５
MM1Z2V0~MM1Z75
硅平面齐纳二极管
特点
总功耗：最大。 500毫瓦
小型塑料封装，适合
表面贴装设计
容差约为±5 ％
钉扎
针
1
2
1
描述
阴极
阳极
2
顶视图
简体外形SOD- 123和符号
绝对最大额定值（T
a
= 25
O
C)
参数
功耗
结温
存储温度范围
符号
P
合计
T
j
T
S
价值
500
150
- 55至+ 150
单位
mW
O
C
C
O
特点在T
a
= 25
O
C
参数
热阻结到环境空气
正向电压
在我
F
= 10毫安
符号
R
THA
V
F
马克斯。
340
0.9
单位
O
C / W
V
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 09/11/2007
MM1Z2V0~MM1Z75
特点在T
a
= 25
O
C
TYPE
MM1Z2V0
MM1Z2V2
MM1Z2V4
MM1Z2V7
MM1Z3V0
MM1Z3V3
MM1Z3V6
MM1Z3V9
MM1Z4V3
MM1Z4V7
MM1Z5V1
MM1Z5V6
MM1Z6V2
MM1Z6V8
MM1Z7V5
MM1Z8V2
MM1Z9V1
MM1Z10
MM1Z11
MM1Z12
MM1Z13
MM1Z15
MM1Z16
MM1Z18
MM1Z20
MM1Z22
MM1Z24
MM1Z27
MM1Z30
MM1Z33
MM1Z36
MM1Z39
MM1Z43
MM1Z47
MM1Z51
MM1Z56
MM1Z62
MM1Z68
MM1Z75
1)
2)
记号
CODE
4A
4B
4C
4D
4E
4F
4H
4J
4K
4M
4N
4P
4R
4X
4Y
4Z
5A
5B
5C
5D
5E
5F
5H
5J
5K
5M
5N
5P
5R
5X
5Y
5Z
6A
6B
6C
6D
6E
6F
6H
齐纳电压范围
1)
V
ZNOM
V
2.0
2.2
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
l
ZT
mA
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
为
V
ZT
V
1.8...2.15
2.08...2.33
2.28...2.56
2.5...2.9
2.8...3.2
3.1...3.5
3.4...3.8
3.7...4.1
4...4.6
4.4...5
4.8...5.4
5.2...6
5.8...6.6
6.4...7.2
7...7.9
7.7...8.7
8.5...9.6
9.4...10.6
10.4...11.6
11.4...12.7
12.4...14.1
13.8...15.6
15.3...17.1
16.8...19.1
18.8...21.2
20.8...23.3
22.8...25.6
25.1...28.9
28...32
31...35
34...38
37...41
40...46
44...50
48...54
52...60
58...66
64...72
70...79
动态阻抗
2)
Z
ZT
（ MAX 。 ）
反向漏电流
I
R
（ MAX 。 ）
μA
120
120
120
120
50
20
10
5
5
2
2
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
2
2
2
1
1
0.2
0.2
0.2
在V
R
V
0.5
0.7
1
1
1
1
1
1
1
1
1.5
2.5
3
3.5
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
15
17
19
21
23
25
27
30
33
36
39
43
47
52
57
100
100
100
110
120
130
130
130
130
130
130
80
50
30
30
30
30
30
30
35
35
40
40
45
50
55
60
70
80
80
90
100
130
150
180
180
200
250
300
在我
Z
mA
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
V
Z
用脉冲（ 20毫秒）进行测试。
Z
ZT
的测量是在我
Z
由给定的一个非常小的交流电流信号。
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 09/11/2007
MM1Z2V0~MM1Z75
击穿特性
T
j
=常数（脉冲）
mA
50
Tj=25
o
C
2V7
3V3
3V9
4V7
6V8
Iz
40
8V2
5V6
30
20
10
测试电流IZ
5mA
0
0
1
2
3
4
5
6
Vz
7
8
9
10 V
击穿特性
T
j
=常数（脉冲）
mA
30
10
12
Tj=25
o
C
Iz
15
20
18
22
27
33
10
测试电流IZ
5mA
0
0
10
20
Vz
30
40 V
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 09/11/2007
MM1Z2V0~MM1Z75
包装外形
塑料表面贴装封装; 2引线
SOD-123
∠
全面
c
H
E
D
A
E
b
p
单位
mm
A
1.15
1.05
b
p
0.6
0.5
c
0.135
0.127
A
D
2.7
2.6
E
1.65
1.55
H
E
3.9
3.7
v
0.2
∠
5
O
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 09/11/2007
MM1Z2V0~MM1Z120
硅平面齐纳二极管
在一个小的塑料硅平面齐纳二极管
1.65(.065)
1.55(.061)
阴极
1
2
阳极
顶视图
3.9(0.154)
3.7(0.146)
尺寸以毫米（英寸）
2.7(0.106)
2.6(0.102)
简体外形SOD- 123和符号
特点
总功耗：最大。 500毫瓦
0.6(.023)
0.5(.020)
.135(.005)
.127(.004)
1.15(.045)
1.05(.041)
适用于小塑料包
表面贴装设计
各种各样的电压范围：
nom.2.0至120V （ E24范围）
公差约为+ / - 5 ％
尺寸以毫米（英寸）
绝对最大额定值（T
a
= 25
o
C)
符号
齐纳电流见表“特色”
功耗
结温
存储温度范围
P
合计
T
j
T
S
500
150
-55到+150
mW
O
O
价值
单位
C
C
特点在T
AMB
= 25
o
C
符号
热阻
结到环境空气
正向电压
在我
F
= 10毫安
R
THA
V
F
分钟。
-
-
典型值。
-
-
马克斯。
0.3
0.9
单位
K /毫瓦
V
MDD电子
MM1Z2V0~MM1Z120
TYPE
记号
CODE
MM1Z 2V0
MM1Z 2V2
MM1Z 2V4
MM1Z 2V7
MM1Z 3V0
MM1Z 3V3
MM1Z 3V6
MM1Z 3V9
MM1Z 4V3
MM1Z 4V7
MM1Z 5V1
MM1Z 5V6
MM1Z 6V2
MM1Z 6V8
MM1Z 7V5
MM1Z 8V2
MM1Z 9V1
MM1Z 10
MM1Z 11
MM1Z 12
MM1Z 13
MM1Z 15
MM1Z 16
MM1Z 18
MM1Z 20
MM1Z 22
MM1Z 24
MM1Z 27
MM1Z 30
MM1Z 33
MM1Z 36
MM1Z 39
MM1Z 43
MM1Z 47
MM1Z 51
MM1Z 56
MM1Z 62
MM1Z 68
MM1Z 75
MM1Z 82
MM1Z 91
MM1Z 100
MM1Z 110
MM1Z 120
4A
4B
4C
4D
4E
4F
4H
4J
4K
4M
4N
4P
4R
4X
4Y
4Z
5A
5B
5C
5D
5E
5F
5H
5J
5K
5M
5N
5P
5R
5X
5Y
5Z
6A
6B
6C
6D
6E
6F
6H
6J
6K
6M
6N
6P
齐纳电压范围
1)
V
ZNOM
V
2.0
2.2
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
120
动态阻抗
2)
Z
Z
（最大）
at
I
Z
mA
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
1
1
1
1
反向漏
当前
I
R
（最大值） ，在
A
120
120
120
120
50
20
10
5
5
2
2
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
2
2
2
1
1
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
温度。 COEF网络cient
齐纳电压
TKvz
%/K
-0.09...-0.06
-0.09...-0.06
-0.09...-0.06
-0.09...-0.06
-0.08...-0.05
-0.08...-0.05
-0.08...-0.05
-0.08...-0.05
-0.06...-0.03
-0.05...+0.02
-0.02...+0.02
-0.05...+0.05
0.03...0.06
0.03...0.07
0.03...0.07
0.03...0.08
0.03...0.09
0.03...0.1
0.03...0.11
0.03...0.11
0.03...0.11
0.03...0.11
0.03...0.11
0.03...0.11
0.03...0.11
0.04...0.12
0.04...0.12
0.04...0.12
0.04...0.12
0.04...0.12
0.04...0.12
0.04...0.12
0.04...0.12
0.04...0.12
0.04...0.12
0.04...0.12
0.04...0.12
0.04...0.12
0.04...0.12
0.05...0.12
0.05...0.12
0.05...0.12
0.05...0.12
0.05...0.12
l
ZT
mA
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
1
1
1
1
为
V
ZT
V
V
R
V
0.5
0.7
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.5
2.5
3.0
3.5
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10
11
12
13
15
17
19
21
23
25
27
30
33
36
39
43
47
52
57
63
69
76
84
91
Ω
100
100
100
110
120
130
130
130
130
130
130
80
50
30
30
30
30
30
30
35
35
40
40
45
50
55
60
70
80
80
90
100
130
150
180
180
200
250
300
300
700
700
800
900
1.80...2.15
2.08...2.33
2.28...2.56
2.5...2.9
2.8...3.2
3.1...3.5
3.4...3.8
3.7...4.1
4.0...4.6
4.4...5.0
4.8...5.4
5.2...6.0
5.8...6.6
6.4...7.2
7.0...7.9
7.7...8.7
8.5...9.6
9.4...10.6
10.4...11.6
11.4...12.7
12.4...14.1
13.8...15.6
15.3...17.1
16.8...19.1
18.8...21.2
20.8...23.3
22.8...25.6
25.1...28.9
28...32
31...35
34...38
37...41
40...46
44...50
48...54
52...60
58...66
64...72
70...79
77...87
85...96
94...106
104...116
114...127
1
)
2)
V
Z
用脉冲（ 20毫秒）进行测试。
Z
Z
的测量是在我
Z
由给定的一个非常小的交流电流信号。
MDD电子
MM1Z2V0~MM1Z120
击穿特性
T
j
=常数（脉冲）
mA
50
Tj=25
o
C
2V7
3V3
3V9
4V7
6V8
Iz
40
8V2
5V6
30
20
10
测试电流IZ
5mA
0
0
1
2
3
4
5
6
Vz
7
8
9
10 V
击穿特性
T
j
=常数（脉冲）
mA
30
10
12
Tj=25
o
C
Iz
15
20
18
22
10
测试电流IZ
5mA
27
33
0
0
10
20
Vz
30
40 V
MDD电子
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MC74LCXU04DTG
MMBZ5232B-7-F
M38C30E9AXXXFP
MTB50ZF
MI-P2V2-IXY
M38007E7-XXXHP
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MAAM-009450-TR1000
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    联系人：杨小姐
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