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MM1Z5221B~MM1Z5267B
硅平面齐纳二极管
钉扎
描述
阴极
阳极
2
特点
总功耗:最大。 500毫瓦
小型塑料封装,适合
表面贴装设计
容差约为±5 %
1
2
1
顶视图
简体外形SOD- 123和符号
绝对最大额定值(T
a
= 25
O
C)
参数
功耗
结温
存储温度范围
符号
P
合计
T
j
T
S
价值
500
150
- 55至+ 150
单位
mW
O
C
C
O
特点在T
a
= 25
O
C
参数
热阻结到环境空气
正向电压
在我
F
= 10毫安
符号
R
θJA
V
F
马克斯。
350
0.9
单位
O
C / W
V
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
(子公司
泰丰国际集团有限公司,公司
在香港联交所上市,股票代码: 724 )
日期: 09/11/2007
MM1Z5221B~MM1Z5267B
TYPE
MM1Z5221B
MM1Z5223B
MM1Z5225B
MM1Z5226B
MM1Z5227B
MM1Z5228B
MM1Z5229B
MM1Z5230B
MM1Z5231B
MM1Z5232B
MM1Z5234B
MM1Z5235B
MM1Z5236B
MM1Z5237B
MM1Z5239B
MM1Z5240B
MM1Z5241B
MM1Z5242B
MM1Z5243B
MM1Z5245B
MM1Z5246B
MM1Z5248B
MM1Z5249B
MM1Z5250B
MM1Z5251B
MM1Z5252B
MM1Z5253B
MM1Z5254B
MM1Z5256B
MM1Z5257B
MM1Z5258B
MM1Z5259B
MM1Z5260B
MM1Z5261B
MM1Z5262B
MM1Z5263B
MM1Z5265B
MM1Z5266B
MM1Z5267B
1)
2)
记号
CODE
A4
B4
C4
D4
E4
F4
H4
J4
K4
M4
N4
P4
R4
X4
Y4
Z4
A5
B5
C5
D5
E5
F5
K9
H5
J5
K5
M9
M5
N5
P5
R5
X5
Y5
Z5
A6
B6
C6
D6
E6
齐纳电压范围
1)
V
ZNOM
V
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
19
20
22
24
25
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
l
ZT
mA
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
9.5
8.5
7.8
7
6.6
6.2
5.6
5.2
5
4.6
4.2
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2.2
2
1.8
1.7
V
ZT
V
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动态阻抗
2)
Z
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( MAX 。 )
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30
29
28
24
23
22
19
17
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7
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10
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22
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13
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23
25
29
33
35
41
49
58
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185
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ZK
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1600
1700
1900
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1900
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1600
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500
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
700
700
800
900
1000
1100
1300
1400
1600
1700
在我
ZK
mA
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
反向电流
I
R
μA (最大)
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75
50
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15
10
5
5
5
5
5
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3
3
3
2
1
0.5
0.1
0.1
0.1
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0.1
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0.1
在V
R
V
1
1
1
1
1
1
1
2
2
3
4
5
6
6.5
7
8
8.4
9.1
9.9
11
12
14
14
15
17
18
19
21
23
25
27
30
33
36
39
43
47
52
56
V
Z
与脉冲测试( 20毫秒)
Z
ZT
和Z
ZK
是通过将整个装置由所施加的交流电流的交流电压降进行测量。指定
限制是因为我
Z( AC)
= 0.1 I
Z( DC )
与AC频率= 1千赫。
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
(子公司
泰丰国际集团有限公司,公司
在香港联交所上市,股票代码: 724 )
日期: 09/11/2007
MM1Z5221B~MM1Z5267B
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
(子公司
泰丰国际集团有限公司,公司
在香港联交所上市,股票代码: 724 )
日期: 09/11/2007
MM1Z5221B~MM1Z5267B
包装外形
塑料表面贴装封装; 2引线
SOD-123
全面
c
H
E
D
A
E
b
p
单位
mm
A
1.15
1.05
b
p
0.6
0.5
c
0.135
0.127
A
D
2.7
2.6
E
1.65
1.55
H
E
3.9
3.7
v
0.2
5
O
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
(子公司
泰丰国际集团有限公司,公司
在香港联交所上市,股票代码: 724 )
日期: 09/11/2007
MM1Z5221B~MM1Z5267B
硅平面齐纳二极管
钉扎
描述
阴极
阳极
2
特点
总功耗:最大。 500毫瓦
小型塑料封装,适合
表面贴装设计
容差约为±5 %
1
2
1
顶视图
简体外形SOD- 123和符号
绝对最大额定值(T
a
= 25
O
C)
参数
功耗
结温
存储温度范围
符号
P
合计
T
j
T
英镑
价值
500
150
- 55至+ 150
单位
mW
O
C
C
O
特点在T
a
= 25
O
C
参数
热阻结到环境空气
正向电压
在我
F
= 10毫安
符号
R
θJA
V
F
马克斯。
350
0.9
单位
O
C / W
V
1 
金隅
半导体
www.htsemi.com
D½½½:2011/05
MM1Z5221B~MM1Z5267B
特点在T
a
= 25
O
C
TYPE
MM1Z5221B
MM1Z5223B
MM1Z5225B
MM1Z5226B
MM1Z5227B
MM1Z5228B
MM1Z5229B
MM1Z5230B
MM1Z5231B
MM1Z5232B
MM1Z5234B
MM1Z5235B
MM1Z5236B
MM1Z5237B
MM1Z5239B
MM1Z5240B
MM1Z5241B
MM1Z5242B
MM1Z5243B
MM1Z5245B
MM1Z5246B
MM1Z5248B
MM1Z5249B
MM1Z5250B
MM1Z5251B
MM1Z5252B
MM1Z5253B
MM1Z5254B
MM1Z5256B
MM1Z5257B
MM1Z5258B
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MM1Z5262B
MM1Z5263B
MM1Z5265B
MM1Z5266B
MM1Z5267B
1)
2)
记号
CODE
A4
B4
C4
D4
E4
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H4
J4
K4
M4
N4
P4
R4
X4
Y4
Z4
A5
B5
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M9
M5
N5
P5
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X5
Y5
Z5
A6
B6
C6
D6
E6
齐纳电压范围
1)
V
ZNOM
V
2.4
2.7
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3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
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11
12
13
15
16
18
19
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22
24
25
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
l
ZT
mA
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
9.5
8.5
7.8
7
6.6
6.2
5.6
5.2
5
4.6
4.2
3.8
3.4
3.2
3
2.7
2.5
2.2
2
1.8
1.7
V
ZT
V
2.28…2.52
2.57…2.84
2.85…3.15
3.14…3.47
3.42…3.78
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5.89…6.51
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17.1…18.9
18.05…19.95
19…21
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53.2…58.8
58.9…65.1
64.6…71.4
71.25…78.75
动态阻抗
2)
Z
ZT
( MAX 。 )
30
30
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28
24
23
22
19
17
11
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5
6
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10
17
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30
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23
25
29
33
35
41
49
58
70
80
93
105
125
150
185
230
270
Z
ZK
( MAX 。 )
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1600
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1900
1600
1600
1000
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500
500
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
700
700
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900
1000
1100
1300
1400
1600
1700
在我
ZK
mA
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0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
反向电流
I
R
μA (最大)
100
75
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5
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0.1
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R
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1
1
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1
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2
2
3
4
5
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6.5
7
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8.4
9.1
9.9
11
12
14
14
15
17
18
19
21
23
25
27
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33
36
39
43
47
52
56
V
Z
与脉冲测试( 20毫秒)
Z
ZT
和Z
ZK
是通过将整个装置由所施加的交流电流的交流电压降进行测量。指定
限制是因为我
Z( AC)
= 0.1 I
Z( DC )
与AC频率= 1千赫。
金隅
半导体
www.htsemi.com
D½½½:2011/05
MM1Z5221B~MM1Z5267B
金隅
半导体
www.htsemi.com
D½½½:2011/05
MM1Z5221B~MM1Z5267B
包装外形
塑料表面贴装封装; 2引线
SOD-123
全面
c
H
E
D
A
E
b
p
单位
mm
A
1.15
1.05
b
p
0.6
0.5
c
0.135
0.100
A
D
2.7
2.6
E
1.65
1.55
H
E
3.9
3.7
v
0.2
5
O
金隅
半导体
www.htsemi.com
D½½½:2011/05
RECTRON
半导体
技术规格
MM1Z5221B-
MM1Z 5261B
表面贴装稳压二极管
电压范围2.4 47伏特,额定功率500毫瓦
特点
*
*
*
*
平面模具结构
500mW的功耗
通用,中等电流
Ldeally适用于自动化组装工艺
SOD-123
机械数据
*
*
*
*
*
案例:模压塑料
环氧树脂: UL94V-O率阻燃
导语: MIL -STD- 202E方法208C保证
安装位置:任意
重量: 0.01克
.110(2.80)
.102(2.60)
.067(1.70)
.059(1.50)
.026(.65)
.018(.45)
.152(3.85)
.140(3.55)
.006(.15)
.003(.08)
最大额定值和电气特性
在25℃的环境温度额定值除非另有规定。
o
.049(1.25)
.041(1.05)
.004(0.10)
.000(0.00)
REF 0.020 ( 0.50 )
尺寸以英寸(毫米)
最大RATINGES
( @ T
A
= 25°C除非另有说明)
评级
马克斯。稳态功耗@T
A
=25
o
C(注1 )
马克斯。工作温度范围
存储温度范围
符号
P
D
T
J
T
英镑
价值
500
-65到+150
-65到+150
单位
mW
o
o
C
C
o
电气特性
( @ T
A
= 25
o
C除非另有说明)
特征
热阻结到环境(注1 )
马克斯。正向电压在我
F=
10mA
符号
R
θ
JA
V
F
分钟。
-
-
典型值。
-
-
马克斯。
350
0.9
单位
o
C / W
2006-3
注意事项1. Dveice安装在陶瓷基板; 7.6毫米X 9.4毫米X 0.87毫米与焊盘区25毫米
2
.
电气特性
齐纳电压范围(注1 )
V
Z
( V) @我
ZT
TYPE
MM1Z5221B
MM1Z5223B
MM1Z5225B
MM1Z5226B
MM1Z5227B
MM1Z5228B
MM1Z5229B
MM1Z5230B
MM1Z5231B
MM1Z5232B
MM1Z5234B
MM1Z5235B
MM1Z5236B
MM1Z5237B
MM1Z5239B
MM1Z5240B
MM1Z5241B
MM1Z5242B
MM1Z5243B
MM1Z5245B
MM1Z5246B
MM1Z5248B
MM1 Z5249B
MM1Z5250B
MM1Z5251B
MM1Z5252B
MM1 Z5253B
MM1Z5254B
MM1Z5256B
MM1Z5257B
MM1Z5258B
MM1Z5259B
MM1Z5260B
MM1 Z5261B
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
19
20
22
24
25
27
30
33
36
39
43
47
2.28
2.57
2.85
3.14
3.42
3.71
4.09
4.47
4.85
5.32
5.89
6.46
7.13
7.79
8.65
9.50
10.45
11.40
12.35
14.25
15.20
17.10
18.05
19.00
20.90
22.80
23.75
25.65
28.50
31.35
34.20
37.05
40.85
44.65
最大
2.52
2.84
3.15
3.47
3.78
4.10
4.52
4.94
5.36
5.88
6.51
7.14
7.88
8.61
9.56
10.50
11.55
12.60
13.65
15.75
16.80
18.90
19.95
21.00
23.10
25.20
26.25
28.35
31.50
34.65
37.80
40.95
45.15
49.35
( @ TA = 25℃ ,除非另有规定)
TEST
最大齐纳阻抗
Z
ZT
在我
ZT
()
30
30
30
28
24
23
22
19
17
11
7
5
6
8
10
17
22
30
13
16
17
21
23
25
29
33
35
41
49
58
70
80
93
105
at
I
ZK
(MA )
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
最大反向
漏电流
O
当前
Z
ZK
()
1200
1300
1600
1600
1700
1900
2000
1900
1600
1600
1000
750
500
500
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
700
700
800
900
10 00
I
ZT
(MA )
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
9.5
8.5
7.8
7.0
6.6
6.2
5.6
5.2
5.0
5.0
4.2
3.8
3.4
3.2
3.0
2.7
I
R
( UA)
100
75
50
25
15
10
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
2.0
1.0
0.5
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
在V
R
(V)
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
6.5
7.0
8.0
8.4
9.1
9.9
11
12
14
14
15
17
18
19
21
23
25
27
30
33
36
MK
A4
B4
C4
D4
E4
F4
H4
J4
K4
M4
N4
P4
R4
X4
Y4
Z4
A5
B5
C5
D5
E5
F5
K9
H5
J5
K5
M9
M5
N5
P5
R5
X5
Y5
Z5
注意事项1.测试用的脉冲, Tp<1.0ms 。
RECTRON
额定值和特性曲线( MM1 5221B - MM1 5261B )
0.6
CT ,总电容(PF )
PD ,功耗( W)
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
1000
T
J
= 25 C
O
100
V
R
= 1V
V
R
= 2V
10
0
25
50
75
100
O
125
150
1
10
100
图1功耗与环境温度
1000
动态齐纳阻抗( W)
50
40
30
20
10
0
TA ,环境温度( C)
图2典型电容
T
J
= 25
O
C
5V6
6V8
8V2
VZ ,额定齐纳电压( V)
100
10
IZ ,齐纳电流(毫安)
I
Z
= 1.0毫安
测试电流IZ
20mA
1
1
10
VZ ,额定齐纳电压( V)
100
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
图3齐纳电压VS齐纳阻抗
30
TJ = 25
O
C
VZ ,齐纳电压(V )
图4齐纳击穿特性
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
20
40
T,时间(S )
12
15
额定齐纳电压
18
22
27
%的峰值脉冲电流
10
t
r
高峰值I
RSM
@ 8 s
脉冲宽度(T
P
)是德网络定义
因为这地步
峰值电流衰减= 8秒
半值我
RSM
/2 @ 20 s
IZ ,齐纳电流(毫安)
20
测试电流IZ
10
33
36 39
t
P
0
0
10
20
VZ ,齐纳电压(V )
30
40
60
80
图5齐纳击穿特性
图6. 8 × 20 s脉冲波形
RECTRON
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