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MM1Z2V2B~MM1Z39B
硅平面齐纳二极管
特点
总功耗:最大。 500毫瓦
小型塑料封装,适合
表面贴装设计
高可靠性
钉扎
1
2
1
描述
阴极
阳极
2
顶视图
简体外形SOD- 123和符号
绝对最大额定值(T
a
= 25
O
C)
参数
功耗
结温
存储温度范围
符号
P
合计
T
j
T
英镑
价值
500
150
- 55至+ 150
单位
mW
O
C
C
O
特点在T
a
= 25
O
C
参数
热阻结到环境空气
正向电压
在我
F
= 10毫安
符号
R
THA
V
F
马克斯。
340
0.9
单位
O
C / W
V
1 
金隅
半导体
www.htsemi.com
D½½½:2011/05
MM1Z2V2B~MM1Z39B
特点在T
a
= 25
O
C
齐纳电压范围
1)
TYPE
记号
CODE
9B
9C
9D
9E
9F
9H
9J
9K
9M
9N
9P
9R
9X
9Y
9Z
0A
0B
0C
0D
0E
0F
0H
0J
0K
0M
0N
0P
0R
0X
0Y
0Z
V
ZNOM
V
2.2
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
l
ZT
mA
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
V
ZT
V
2.1...2.4
2.3…2.65
2.65…2.95
2.95…3.25
3.25…3.55
3.6…3.845
3.89…4.16
4.17…4.43
4.55…4.75
4.98…5.2
5.49…5.73
6.06…6.33
6.65…6.93
7.28…7.6
8.02…8.36
8.85…9.23
9.77…10.21
10.76…11.22
11.74…12.24
12.91…13.49
14.34…14.98
15.85…16.51
17.56…18.35
19.52…20.39
21.54…22.47
23.72…24.78
26.19…27.53
29.19…30.69
32.15…33.79
35.07…36.87
37…41
动态阻抗
2)
Z
ZT
( MAX 。 )
100
100
110
120
120
100
100
100
100
80
60
60
40
30
30
30
30
30
30
37
42
50
65
85
100
120
150
200
250
300
100
在我
ZT
mA
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
反向漏电流
I
R
( MAX 。 )
μA
120
120
120
50
20
10
5
5
2
2
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
2
在V
R
V
0.7
1
1
1
1
1
1
1
1
1.5
2.5
3
3.5
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
15
17
19
21
23
25
27
30
MM1Z2V2B
MM1Z2V4B
MM1Z2V7B
MM1Z3V0B
MM1Z3V3B
MM1Z3V6B
MM1Z3V9B
MM1Z4V3B
MM1Z4V7B
MM1Z5V1B
MM1Z5V6B
MM1Z6V2B
MM1Z6V8B
MM1Z7V5B
MM1Z8V2B
MM1Z9V1B
MM1Z10B
MM1Z11B
MM1Z12B
MM1Z13B
MM1Z15B
MM1Z16B
MM1Z18B
MM1Z20B
MM1Z22B
MM1Z24B
MM1Z27B
MM1Z30B
MM1Z33B
MM1Z36B
MM1Z39B
1)
2)
V
Z
用脉冲( 20毫秒)进行测试。
Z
ZT
的测量是在我
Z
由给定的一个非常小的交流电流信号。
金隅
半导体
www.htsemi.com
D½½½:2011/05
MM1Z2V2B~MM1Z39B
包装外形
塑料表面贴装封装; 2引线
SOD-123
全面
c
H
E
D
A
E
b
p
单位
mm
A
1.15
1.05
b
p
0.6
0.5
c
0.135
0.100
D
2.7
2.6
E
1.65
1.55
H
E
3.9
3.7
A
v
0.2
5
O
金隅
半导体
www.htsemi.com
D½½½:2011/05
证书TH97 / 10561QM
证书TW00 / 17276EM
MM1Z2V0B - MM1Z39B
V
Z
:
2.0 39 V
P
D
:
500毫瓦
产品特点:
*总功率耗散500毫瓦
*适用于小型塑料包装
表面贴装设计
*公差约为± 2%
*宽齐纳反向电压范围2.0 V至39 V
*无铅/符合RoHS免费
齐纳二极管
SOD-123
2.7
2.6
0.6
0.5
1.65
1.55
3.9
3.7
单位:毫米
机械数据:
*案例: SOD- 123
*重量0.01克(约)
最大额定值和热特性
等级25
°
C环境温度,除非另有规定。
参数
总功耗
最大正向电压在我
F
= 10毫安
热阻结到环境空气
结温范围
存储温度范围
符号
P
合计
V
F
R
θJA
T
J
T
英镑
价值
500
0.9
0.3
150
-55到+ 150
0.135
0.127
1.15
1.05
单位
mW
V
K /毫瓦
°C
°C
第1页2
启示录01 : 2007年8月20日
证书TH97 / 10561QM
证书TW00 / 17276EM
电气特性
齐纳电压
(1)
型号
记号
V
Z
@ I
ZT
分钟。
MM1Z2V0B
MM1Z2V2B
MM1Z2V4B
MM1Z2V7B
MM1Z3V0B
MM1Z3V3B
MM1Z3V6B
MM1Z3V9B
MM1Z4V3B
MM1Z4V7B
MM1Z5V1B
MM1Z5V6B
MM1Z6V2B
MM1Z6V8B
MM1Z7V5B
MM1Z8V2B
MM1Z9V1B
MM1Z10B
MM1Z11B
MM1Z12B
MM1Z13B
MM1Z15B
MM1Z16B
MM1Z18B
MM1Z20B
MM1Z22B
MM1Z24B
MM1Z27B
MM1Z30B
MM1Z33B
MM1Z36B
MM1Z39B
注意事项:
(1) V
Z
用脉冲( 20毫秒)进行测试。
(2) V
Z
的测量是在我
Z
由给定的一个非常小的交流电流信号。
9A
9B
9C
9D
9E
9F
9H
9J
9K
9M
9N
9P
9R
9X
9Y
9Z
0A
0B
0C
0D
0E
0F
0H
0J
0K
0M
0N
0P
0R
0X
0Y
0Z
1.85
2.10
2.30
2.65
2.95
3.25
3.60
3.89
4.17
4.55
4.95
5.45
6.00
6.65
7.28
8.02
8.80
9.75
10.70
11.70
12.43
13.80
15.31
16.89
18.80
20.81
22.86
25.10
28.00
31.00
34.00
37.00
喃。
2.0
2.2
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
(V)
马克斯。
2.20
2.40
2.65
2.95
3.25
3.55
3.845
4.16
4.43
4.80
5.20
5.73
6.33
7.00
7.70
8.45
9.30
10.30
11.28
12.30
14.00
15.56
17.14
19.08
21.14
23.25
25.66
28.90
32.00
35.00
38.00
41.00
TEST
当前
I
ZT
(MA )
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
动态阻抗
Z
ZT
()
100
100
100
110
120
130
130
130
130
130
130
80
50
30
30
30
30
30
30
35
35
40
40
45
50
55
60
70
80
80
90
100
@ I
ZT
(MA )
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2
2
2
2
2
(2)
马克斯。反向
漏电流
I
R
(μA)
120
120
120
120
50
20
10
5
5
2
2
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
2.0
@ V
R
(V)
0.5
0.7
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.5
2.5
3.0
3.5
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10
11
12
13
15
17
19
21
23
25
27
30
温度。 COEF网络cient
齐纳电压
TK
VZ
(%/K)
分钟。
-0.09
-0.09
-0.09
-0.09
-0.08
-0.08
-0.08
-0.08
-0.06
-0.05
-0.02
-0.05
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
马克斯。
-0.06
-0.06
-0.06
-0.06
-0.05
-0.05
-0.05
-0.05
-0.03
+0.02
+0.02
+0.05
0.06
0.07
0.07
0.08
0.09
0.10
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.12
0.12
0.12
0.12
0.12
0.12
0.12
第2页2
启示录01 : 2007年8月20日
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    MM1Z4V7B
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:960030175 复制

电话:13480301972
联系人:陈先生
地址:福田区中航路华强北街道国利大厦2030
MM1Z4V7B
JINGDAO/晶导微
24+
898000
SOD-123
圣邦微代理/捷捷微代理/晶导微代理
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电话:13480301972
联系人:陈先生
地址:福田区中航路华强北街道国利大厦2030
MM1Z4V7B
JXND/嘉兴南电
24+
898000
SOD-123
圣邦微代理/捷捷微代理/晶导微代理
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
MM1Z4V7B
AIBU
2443+
23000
一级代理专营,原装现货,价格优势
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电话:0755-83015506-23947236
联系人:朱先生
地址:广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室
MM1Z4V7B
ST
24+
9850
SOD-123
官方授权代理商入驻
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电话:0755*83682918
联系人:林小姐
地址:深圳市福田区华强花园A座30E
MM1Z4V7B
JINGDAO/晶导微
22+
16000
SOD-123
原装正品自家库存
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电话:18322198211
联系人:马先生
地址:天津天津市南开区科研西路12号356室
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晶导微电子
20
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:121715395 复制 点击这里给我发消息 QQ:316429272 复制
电话:0755-83259954/0755-82701784
联系人:李小姐/李先生/罗小姐/汪先生
地址:福田区振华路华乐楼615室
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21+
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全新原装正品/质量有保证
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MM1Z4V7B
√ 欧美㊣品
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联系人:刘经理
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晶导微电子
20
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