2830 S.锦绣街
圣安娜，CA 92704
PH ： （ 714 ） 979-8220
传真： （ 714 ） 966-5256
特点
可提供低传导损耗类为MM118 -XXL或快速
开关类为MM118 - XXF
紧凑而坚固的结构产品的重量和节省空间
可与PC板焊引脚（见下文机械大纲）
或螺纹端子（加“后缀型号，请参阅下面的选项）
T”
HPM （密封功率模块）
隔离电压能力（参照基准）超过3kV的的
极低的热阻
热配套建设提供了良好的温度和
功率循环能力
其他额定电压或可应要求提供终止
产品型号
集电极 - 发射极击穿电压（门极短路，
发射器） ， @ T
j
≥
25°
C
集电极 - 栅极击穿电压@ T
j
≥
25° R
GS
= 1
C,
M
门极 - 发射极电压
连续
短暂
连续集电极电流
T
j
=
25°
C
T
j
= 90°
C
集电极电流峰值，脉宽限制T
j max的情况
功耗
热阻，结到基地
每个交换机
符号
BV
CES
BV
CGR
V
GES
V
创业板
I
C25
I
C90
I
CM
P
D
RΘ
jc
马克斯
RΘ ，典型值
MM118-XX
系列
一千二百分之六百伏
150安培
3相N沟道
绝缘栅
双极
晶体管（IGBT）
桥
MM118-06
600 V
600 V
+/- 20 V
+/- 30 V
60 A
32 A
120 A
165 W
0.75°
C / W
0.5°
C / W
MM118-12
1200 V
1200 V
+/- 20 V
+/- 30 V
52 A
33 A
104 A
165 W
0.75°
C / W
0.5°
C / W
每个交换机最大额定值@ 25 ° （除非另有说明）
C
机械概要
数据表＃ MSC0321A
MM- XX系列
最大额定值@ 25 ° （除非另有说明） - 续
C
描述
短路反向电流（ RBSOA ）
@ TJ = 125 °V
CE
= 0.8× V
CES
C,
结温和存储温度范围（ °
C)
连续源电流（并联二极管）
脉冲源电流（并联二极管）
符号
I
最大
T
j,
T
英镑
I
S
I
SM
MM118-06
64 A
-55到+150
60 A
100 A
MM118-12
66 A
-55到+150
50 A
100 A
电气参数，每个交换机@ 25 ° （除非另有说明）
C
描述
集电极 - 发射极击穿电压
（栅极短路到发射极）
栅极阈值电压
符号
BV
CES
V
GE （日）
条件
V
GS
= 0 V，I
C
= 250
A
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250
A
V
CE
= V
GE
, I
C
= 2.5毫安
V
CE
= V
GE
, I
C
= 350
A
V
GE
=
±
20V
DC
, V
CE
= 0
V
CE
=0.8
CES
BV
V
GE
= 0 V
V
GE
= 15V ，我
C
= 30A
I
C
= 60A
I
C
= 30A
I
C
= 30A
V
GE
= 15V ，我
C
= 25A
I
C
= 50A
I
C
= 25A
V
CE
≥
10 V ;我
C
= 30 A
V
CE
≥
10 V ;我
C
= 30 A
部分
MM118-06
MM118-12
MM118-06F
MM118-06L
MM118-12
（全部）
（全部）
MM118-06F
MM118-06F
MM118-06F
MM018-06L
MM118-12
MM118-12
MM118-12
MM118-06F
MM118-06L
MM118-12
MM118-06F
MM118-06L
MM118-12
MM118-06F
MM118-06L
MM118-12
MM118-06F
MM118-06L
MM118-12
MM118-06F
MM118-06L
MM118-12
MM118-06F
MM118-06L
MM118-12
MM118-12
MM118-06F
MM118-06L
MM118-12
MM118-06F
MM118-06L
MM118-12
MM118-06F
MM118-06L
MM118-12
民
600
1200
2.5
4
4.5
典型值。
最大
单位
V
4
5.5
门极 - 发射极漏电流
I
GES
集电极 - 发射极漏电流
（零栅极电压集电极电流）
集电极 - 发射极饱和电压
(1)
I
CES
V
CE （ SAT ）
T
J
= 25°
C
T
J
= 125°
C
T
J
= 25°
C
T
J
= 125°
C
T
J
= 25°
C
T
J
= 25°
C
T
J
= 125°
C
T
J
= 25°
C
T
J
= 25°
C
T
J
= 25°
C
T
J
= 125°
C
正向跨导（ 1 ）
g
fs
15
7
8.5
输入电容
输出电容
反向传输电容
C
IES
V
GE
= 0 V, V
CE
= 25 V ， F = 1兆赫
C
OES
C
水库
2.2
3.5
2.2
2.2
2.7
3.4
3.3
20
13
20
2500
2760
1650
230
240
250
70
51
110
25
60
75
30
130
65
3.6
175
400
420
125
400
45
1.3
5
2.4
5.0
7
6.5
±100
±200
200
1000
2.9
待定
待定
2.5
3.2
待定
3.9
V
nA
A
V
S
待定
待定
2200
待定
待定
380
待定
待定
160
待定
待定
110
待定
待定
100
-
待定
待定
560
175
待定
60
-
-
-
pF
感性负载， TJ = 25 °
(2,3)
C
导通延迟时间
上升时间
t
D（上）
t
ri
ON能源
打开-O FF延迟时间
下降时间
释放能量
t
fi
E
关闭
E
on
t
D（关闭）
V
GE
= 15 V ， L = 100
H
注2,3
对于MM118-06 ： V
CE
= 480 V,
I
C
= 30 A，R
G
= 4.7
对于MM118-12 ： V
CE
= 600 V,
I
C
= 25 A，R
G
= 47
ns
ns
ns
ns
ns
ns
mJ
ns
ns
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
mJ
数据表＃ MSC0321A
感性负载， TJ = 125 °
(2,3)
C
导通延迟时间
上升时间
t
D（上）
t
ri
ON能源
打开-O FF延迟时间
下降时间
t
D（关闭）
释放能量
t
fi
E
on
V
GE
= 15 V ， L = 100
H
注2,3
对于MM118-06 ： V
CE
= 480 V,
I
C
= 30 A，R
G
= 4.7
对于MM118-12 ： V
CE
= 600 V,
I
C
= 25 A，R
G
= 47
E
关闭
总栅极电荷
栅极 - 射极电荷
Q
g
V
GE
= 15 V,
对于MM118-06 ： V
CE
= 300V ，我
C
= 30 A
对于MM118-12 ： V
CE
= 600 V，I
C
= 25 A
Q
ge
栅极 - 集电极（米勒）充电
Q
gc
I
E
= 15 A
T
J
= 25
°
C
I
E
= 30 A
T
J
= 25
°
C
I
E
= 50 A
T
J
= 25
°
C
I
E
= 15 A
T
J
= 150
°
C
I
E
= 10 A
T
J
= 25
°
C
I
E
= 10 A
T
J
= 100
°
C
I
E
= 10 A ，二
E
/ DT = 100 A / US ，T
J
= 25°
C
I
E
= 30 A ，二
E
/ DT = 100 A / US ，T
J
= 25°
C
I
E
= 10 A ，二
E
/ DT = 100 A / US ，T
J
= 25°
C
I
E
= 10 A ，二
E
/ DT = 100 A / US ，T
J
= 125°
C
I
E
= 10 A ，二
E
/ DT = 100 A / US ，T
J
= 25°
C
I
E
= 30 A ，二
E
/ DT = 100 A / US ，T
J
= 25°
C
I
E
= 10 A ，二
E
/ DT = 100 A / US ，T
J
= 25°
C
I
E
= 10 A ，二
E
/ DT = 100 A / US ，T
J
= 125°
C
I
E
= 10 A ，二
E
/ DT = 100 A / US ，T
J
= 25°
C
I
E
= 30 A ，二
E
/ DT = 100 A / US ，T
J
= 25°
C
I
E
= 10 A ，二
E
/ DT = 100 A / US ，T
J
= 25°
C
I
E
= 10 A ，二
E
/ DT = 100 A / US ，T
J
= 125°
C
反并联二极管的正向电压（1）
V
F
反并联二极管的反向恢复时间
t
rr
反并联二极管的反向恢复电荷
Q
rr
反并联二极管峰值恢复电流
I
RM
MM118-06F
MM118-06L
MM118-12
MM118-06F
MM118-06L
MM118-12
MM118-06F
MM118-06L
MM118-12
MM118-06F
MM118-06L
MM118-12
MM118-06F
MM118-06L
MM118-12
MM118-06F
MM118-06L
MM118-12
MM118-06F
MM118-06L
MM118-12
MM118-06F
MM118-06L
MM118-12
MM118-06F
MM118-06L
MM118-12
MM118-06
MM118-06
MM118-06
MM118-06
MM118-12
MM118-12
MM118-06
MM118-06
MM118-12
MM118-12
MM118-06
MM118-06
MM118-12
MM118-12
MM118-06
MM118-06
MM118-12
MM118-12
25
60
95
35
130
90
1
4.2
10
250
540
420
260
600
45
4
12
4.2
125
110
160
23
34
20
50
47
75
-
1.7
1.9
-
2.4
2
-
140
-
60
160
320
待定
800
3
4.2
待定
22
待定
待定
待定
待定
待定
待定
-
-
-
待定
1000
待定
待定
1500
待定
-
-
-
150
150
待定
35
45
待定
75
63
待定
1.5
-
-
1.3
3
-
100
-
待定
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
mJ
ns
ns
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
mJ
nC
V
ns
nC
A
笔记
(1)
(2)
(3)
(4)
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
δ
2%
≤
开关时间和损失可能会增加较大的V
CE
和/或R
G
值或更高的结温。
开关损耗包括“尾巴”的损失
Microsemi的不生产的IGBT芯片; Microsemi的联系了解详细信息。
QQ：2880707522 复制
