表面贴装型频率合成器
MLS9037-00110
MLS9037-00110
表面贴装型频率合成器
IF 109 - 111兆赫
特点
集成的VCO / PLL
微型SMT封装
低相位噪声
+ 5V操作
12引脚封装
12 11 10
9
8
7
细节A
M / A- COM有限公司
产品型号
日期代码
12.0
14.6
0.2
0.6
6.0最大
0.8
1.0
描述
该MLS9037-00110合成器的设计集成了高perfor-
曼斯缓冲的VCO , PLL电路和分立环路滤波器的
表面贴装封装。在SMT封装提供了电气
屏蔽,方便PCB组装和可重复的性能。该
合成器被设计成用于CDMA基站和是
为115 MHz的中频在蜂窝Tx频率为20 kHz的优化,
步长和低相位噪声。
M / A - COM合成器在ISO 9001 certi-制造
田间设施,结合表面贴装装配和自动化
电气测试。这将确保一致的电气性能
和质量的量产数量。
1
1
IDENT
2
3
4
5
6
2.0
TYP.in 5个职位
13.2
细节A
电气规格,T
A
= + 25 ° C,V
CC
= +5V ,
F
= 20千赫,女
R
= 15 MHz的
(除非另有说明)
参数
2
频率范围(F
OUT
)
3
RF输出功率(P
OUT
)
谐波输出
寄生输出
相位噪声
4
测试条件
在牛逼
OP
在牛逼
OP
—
相比较频率(F
OUT
±
F)
参考的突破(F
OUT
±
F
R
)
国家统计局在100Hz的载波偏移
国家统计局在1 kHz的载波偏移
国家统计局在10 kHz的载波偏移
国家统计局在100千赫从载波偏移
在300Hz到3kHz带宽
在F
OUT
,在± 500 Hz的测量,
—
—
推荐工作极限
推荐工作极限
推荐工作极限
为0.52.0 Vpp的正弦波成交流再加
CMOS 。推荐工作极限
集成相位噪声
5,6
频率转换时间
VCO的电源电流(I
CC1
)
PLL电源电流(I
CC2
)
VCO电源电压(V
CC1
)
PLL电源电压(V
CC2
)
7
步长( ΔF )
参考频率(F
R
)
8
单位
兆赫
DBM
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的/赫兹
dBc的/赫兹
dBc的/赫兹
dBc的/赫兹
毫弧度均方根
ms
mA
mA
V
V
千赫
兆赫
分钟。
109
-3.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
+4.75
+4.75
—
3
典型值。
—
—
-35
-85
-95
-73
-92
-112
-134
4
30
15
7
—
—
20
—
马克斯。
111
+3.0
-20
-70
—
—
-85
-107
—
9
—
20
10
+5.25
+5.25
—
20
1.所有的技术指标均指示值,并应用在F
OUT
和
50
负载阻抗。
2.编程控制的3线串行CMOS或TTL电平,在accor-
舞蹈与美国国家半导体LMX 1511 。
3.输出功率窗口的变化包括在操作温度
范围(T
OP
) -40 ° C至+ 85°C ,输出频率范围(F
OUT
).
4.见阴谋在其他频率偏移的典型相位噪声。
5.请参阅剧情为典型的全频带切换时间测量的内
其他偏移距离最终频率。
6.积分PLL锁定监视器输出, TTL高锁定, TTL低
解锁。
7.设备专为150 Hz的环路带宽。
8.参考频率输入阻抗10千欧分。
V2.00
AMP公司的M / A- COM司
s
北美:电话。 ( 800 ) 366-2266 ,传真:( 800 ) 618-8883
s
亚洲/太平洋地区:电话: + 85 2 2111 8088 ,
传真+85 2 2111 8087
s
欧洲:电话。 +44 ( 1344 ) 869 595传真:+ 44 ( 1344 ) 300 020
www.macom.com
AMP连接,并在更高层次上的商标。
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
表面贴装型频率合成器
MLS9037-00110
功能CON组fi guration
领导
1
2
3
4
5
6
功能
地
时钟输入
V
CC1
(VCO)的
PLL锁定监视器
产量
RF输出
地
领导
7
8
9
10
11
12
功能
地
参考频率
输入
V
CC2
(PLL)的
数据输入
选通/使能输入
地
绝对最大额定值
参数
3
VCO电源电压(V
CC1
)
3
PLL电源电压(V
CC2
)
参考频率电压
数据显示,时钟,选通电压
存储温度(T
STOR
)
焊锡温度大会
1, 2
绝对最大
+6.5V
+6.5V
-0.3V至+ 6.5V
-0.3V至+ 6.5V
-45 ° C至+ 125°C
请参阅应用笔记M2032
环境特定网络阳离子
设备被设计成传播在整个工作温度
范围(T
OP
)为-40 ° C至+ 85°C ,并暴露在震荡后,
振动,热冲击和湿度条件通常是烯
反驳基站等基础设施环境。
1.超出这些限制可能会造成永久性的损害。
2.静态敏感,遵守相应的处理措施。
3.外部串联电阻和旁路电容将允许操作
在更高的电源电压,并提高电源去耦
和噪声抑制。
订购信息
合成是在任何磁带和卷轴或管packag-可用
ING 。要订购的磁带和卷轴设备时,需要后缀TR是
添加到零件编号,即MLS9037-00110TR 。数量500
每13英寸的卷轴,请参考应用笔记M2030 。
典型性能
相位噪声
相位噪声( dBc的/赫兹)
-40
-60
-80
-100
-120
-140
-160
10
100
1K
10K
100K
1M
10M
频率偏移载波(赫兹)
时间(ms)
300
250
200
150
100
50
0
100k
10k
1k
100
10
抵销最终频率( HZ)
1
全频带切换时间
输出功率与温度
输出功率(dBm )
输出功率(dBm )
3.0
2.0
1.0
0.0
-1.0
-2.0
-3.0
104
106
108
110
112
频率(MHz)
114
116
+85° C
+25° C
输出功率与电源电压( VCC1 )
3.0
2.0
5.00 V
5.25 V
1.0
0.0
-1.0
-2.0
-3.0
104
106
108
110
112
频率(MHz)
114
116
4.75 V
-40° C
相比较杂散
0
杂散电平( DBC)
杂散电平( DBC)
-20
-40
-60
-80
-100
-40
-30
-20
-10
0
10
20
30
频率偏移载波(千赫)
40
0
-20
-40
-60
-80
-100
参考杂散突破
20
-15
-10
-5
0
5
10
15
20
频率偏移载波(兆赫)
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