摩托罗拉
半导体技术资料
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通过MLP1N06CL / D
SMARTDISCRETES
内部钳位，电流限制
N沟道逻辑电平功率MOSFET
这些SMARTDISCRETES器件具有电流限制短路
保护，一个整体的栅 - 源极钳位ESD保护和栅 - 漏
钳制过电压保护。没有额外的栅极串联电阻是必需
接口连接时，到一个的MCU的所述输出的，但一个40 kΩ的栅极下拉电阻器是
建议避免浮置栅极的条件。
内部栅极 - 源极和栅极 - 漏极钳位使器件可以是
应用不使用外部瞬态抑制元件。栅 -
源钳位保护免受静电栅极电压应力MOSFET的输入
高达2.0千伏。栅极 - 漏极钳位保护从漏极MOSFET的漏
感性负载发生雪崩应力。这种独特的设计提供
电压钳位，其基本上独立于操作温度。
该MLP1N06CL使用摩托罗拉的SMARTDISCRETES技制作
gy的结合了功率MOSFET的输出装置的优点
片上的保护电路。这种方法提供了一种经济的手段
提供保护功率MOSFET在恶劣的汽车附加功能
和工业环境中。 SMARTDISCRETES器件工作在一个
宽的温度范围从-50 ℃至150 ℃。
温度补偿栅 - 漏极钳位限制电压应力
施加到器件和保护负载从过电压
集成ESD保护二极管
控制开关最大限度地减少RFI
低阈值电压使能接口连接电源负载微处理器
最大额定值
（ TC = 25° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
漏极至栅极电压（ RGS = 1.0 MΩ ）
栅极 - 源极电压 - 连续
漏电流 - 连续
漏电流
- 单脉冲
总功耗
静电放电电压（人体模型）
工作和存储结温范围
符号
VDSS
VDGR
VGS
ID
IDM
PD
ESD
TJ ， TSTG
价值
夹
夹
±10
自限
1.8
40
2.0
-50-150
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
瓦
kV
°C
MLP1N06CL
摩托罗拉的首选设备
电压固支
限流
MOSFET
62伏（钳位）
RDS （ ON）= 0.75欧姆
D
R1
G
R2
S
G
D
S
热特性
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
最大无铅焊接温度的目的，
1/8“的情况下，
R
θJC
R
θJA
TL
3.12
62.5
260
° C / W
°C
CASE 221A -06型5
TO–220AB
松开漏极至源雪崩特性
单脉冲漏极 - 源极雪崩能量
（开始TJ = 25°C ， ID = 2.0 A，L = 40毫亨） （图6）
SMARTDISCRETES是摩托罗拉公司的一个商标。
EAS
80
mJ
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
REV 1
摩托罗拉TMOS功率MOSFET电晶体元件数据
摩托罗拉公司1996年
1
MLP1N06CL
电气特性
（ TJ = 25° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏极 - 源极耐受电压（内部钳位）
（ID = 20毫安， VGS = 0）
（ID = 20 mA时， VGS = 0 ， TJ = 150 ° C）
零栅极电压漏极电流
（VDS = 45 V ，V GS = 0）
（ VDS = 45 V， VGS = 0 ， TJ = 150 ° C）
门体漏电流
（ VG = 5.0 V， VDS = 0 ）
（ VG = 5.0 V ， VDS = 0 ， TJ = 150 ° C）
基本特征*
栅极阈值电压
（ID = 250
A,
VDS = VGS ）
（ID = 250
A,
VDS = VGS ， TJ = 150 ° C）
静态漏 - 源极导通电阻
（ID = 1.0 A， VGS = 4.0 V）
（ID = 1.0 A， VGS = 5.0 V）
（ID = 1.0 A， VGS = 4.0 V， TJ = 150 ° C）
（ID = 1.0 A， VGS = 5.0 V ， TJ = 150 ° C）
正向跨导（ ID = 1.0 A， VDS = 10V ）
静态源 - 漏极二极管电压（ IS = 1.0 A， VGS = 0 ）
静态漏电流限制
（ VGS = 5.0 V ， VDS = 10V ）
（ VGS = 5.0 V ， VDS = 10V ， TJ = 150 ° C）
电阻开关特性*
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
*表示脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2.0%.
4
（ VDD = 25 V ， ID = 1.0 A，
VGS = 5.0 V ， RG = 50欧姆）
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
—
—
—
—
1.2
4.0
4.0
3.0
2.0
6.0
6.0
5.0
s
VGS （ TH）
1.0
0.6
RDS （ ON）
—
—
—
—
政府飞行服务队
VSD
ID （ LIM ）
2.0
1.1
2.3
1.3
2.75
1.8
1.0
—
0.63
0.59
1.1
1.0
1.4
1.1
0.75
0.75
1.9
1.8
—
1.5
姆欧
VDC
A
1.5
—
2.0
1.6
欧
VDC
V（ BR ） DSS
59
59
IDSS
—
—
IGSS
—
—
0.5
1.0
5.0
20
0.6
6.0
5.0
20
μAdc
62
62
65
65
μAdc
VDC
符号
民
典型值
最大
单位
TJ = 25°C
ID ，漏极电流（ AMPS ）
4
VDS
≥
7.5 V
–50°C
ID ，漏极电流（ AMPS ）
3
10 V
6V
8V
4V
3
25°C
2
TJ = 150℃
2
1
VGS = 3V
1
0
0
0
2
4
6
VDS ，漏极至源极电压（伏）
8
0
2
4
6
VGS ，栅极至源极电压（伏）
8
图1.输出特性
图2.传输功能
2
摩托罗拉TMOS功率MOSFET电晶体元件数据
MLP1N06CL
THE SMARTDISCRETES概念
从标准功率MOSFET的过程中，几个活跃
和无源元件可以得到该芯片上提供
保护的基本动力装置。这些元素需要
仅小幅增加硅面积和/或添加一个
掩模层的过程。所得的器件表现出
在耐用性和可靠性显著改善，以及
为减少系统成本。该SMARTDISCRETES设备
功能现在可以提供一种经济的替代智能
电源IC适用于需要电源应用的低导通电阻，
高电压和高电流。
这些器件是专为那些需要的应用
具有短路保护坚固的功率开关器件
可直接连接到微控制器单元
控制器（MCU） 。理想的应用包括汽车燃料喷射器
驱动程序，白炽灯的驱动程序或其它应用
一个高的浪涌电流或短路情况可能会发生。
操作在电流限制模式
的时间，则不受保护装置可与 - 量
从站前负载短路产生的电流应力
超过其最大结温是依赖
于许多因素，包括量
散热器的设置是，单片机的尺寸或等级
副，其初始结点温度，和电源电压。
如果没有某种形式的电流限制，短路负载能
提高器件的结温超过最大
额定工作温度在只有几毫秒。
即使没有散热片，所述MLP1N06CL可承受
短路负载供电由一个汽车电池（ 10 14
伏）近第二，如果其初始工作温度
低于100 ℃。为工作在电流长时间
租金限制模式下，器件散热可以延长操作
几秒钟至无限期地依赖于
提供的散热量。
短路保护的影响
温度
芯片上的电路的MLP1N06CL的提供了一个英特
保护MOSFET组件从磨碎的手段
高浪涌电流或负载短路。如图所示的原理图
马蒂奇图中，电流限制功能是通过提供
NPN晶体管和积分电阻R1和R2 。 R2的感觉
电流流经MOSFET和正向偏置
NPN晶体管的基极的电流增加。由于NPN
导通时，它开始拉栅极驱动电流通过R 1，滴
ping该栅极驱动电压越过它，并因此降低了
穿过功率MOSFET的栅 - 源电压
和限制电流。目前的限制是DE-温度
悬垂在图3中，如图所示，从约2.3减少
安培，在25℃至约1.3安培在150℃下。
由于MLP1N06CL继续传导电流和
在负载短路状态消耗功率，这一点很
坦以提供足够的散热，以限制该装置junc-
化温度至最高150℃。
金属电流检测电阻R2增加了约0.4欧姆
到功率MOSFET的导通电阻，但温的影响
perature上的组合是小于一个标准
MOSFET由于R2中的较低的温度系数。该
导通电阻随温度的变化对栅电压
图4和5伏特，示于图5 。
背到背栅和源极之间的多晶硅二极管
提供ESD保护，以大于2千伏， HBM 。该导通
芯片的保护功能，无需外部
齐纳二极管具有潜在的粗实线瞬变系统。
摩托罗拉TMOS功率MOSFET电晶体元件数据
4
ID （ LIM ） ，漏极电流（ AMPS ）
VGS = 5V
VDS = 7.5 V
3
2
1
0
–50
0
50
100
TJ ，结温（ ° C）
150
图3. ID （ LIM ）随温度的变化
4
R DS （ ON） ，导通电阻（欧姆）
ID = 1
3
2
25°C
1
TJ = -50℃
150°C
0
0
2
4
6
8
VGS ，栅极至源极电压（伏）
10
图4的RDS（on ）随
栅极 - 源极电压
1.25
ID = 1
RDS （ ON） ，导通电阻（欧姆）
1
VGS = 24 V
0.75
VGS = 5V
0.5
0.25
–50
0
50
100
TJ ，结温（ ° C）
150
图5.导通电阻变化与
温度
3
MLP1N06CL
BV （ DSS ） ，漏极 - 源极维持电压（伏）
WAS ，单脉冲雪崩能量（兆焦耳）
100
80
64
63
60
62
40
61
20
0
25
50
75
100
125
TJ ，结温（ ° C）
150
60
–50
0
50
100
TJ ，结温（ ° C）
150
图6.单脉冲雪崩能量
VERSUS结温
图7.漏源可持续
电压随温度的变化
正向偏置安全工作区
该FBSOA曲线定义最大漏 - 源
电压和漏电流的设备可以安全地处理
当正向偏置时，或当它开启时，或者被接通。
由于这些曲线包括同时限制
高电压和高电流，达到器件的评价，
它们是线性系统的设计者特别有用。该
曲线是基于在25℃和一个最强的情况下
为150℃的妈妈结温。对于重复性的限制
在不同情况下的温度脉冲可由下式确定
使用的热响应曲线。摩托罗拉应用
请注意， AN569 ， “瞬态热阻 - 通用
数据及其应用“提供了详细的说明。
占空比工作
当在负载循环模式运行时，最大
漏极电压可以增加。最高工作
温度是通过以下相关的占空比（DC）的
公式：
TC = （ VDS ×内径× DC个R
= CA
） + TA
在操作时的VDS的最大值加
工作周期模式下可以近似由：
VDS =
150 - TC
ID （ LIM ）× DC个R
θJC
10
6
I D ，漏极电流（ AMPS ）
最大直流电压注意事项
最大漏极 - 源极电压，可以是contin-
横跨MLP1N06CL uously施加，当它在当前
限制是必须消耗的功率的函数。这
功率由最大电流限制在马克西确定
妈妈的额定工作温度（ 1.8 A ，在150 ° C）和不
的RDS （ ON） 。的最大电压可通过计算
下面的等式：
V供电=
（ 150 - TA ）
ID （ LIM ） （R
θJC
+ R
= CA
)
3
2
1
0.6
0.3
0.2
ID （ LIM ） - MAX
ID （ LIM ） - MIN
dc
DEVICE / POWER LIMITED
RDS （ ON）有限公司
1.5
ms
5毫秒
1毫秒
VGS = 5V
单脉冲
TC = 25°C
0.1
1
2
3
6
10
20
30
60
100
VDS ，漏极至源极电压（伏）
式中，R的值
= CA
由散热片即确定
正在使用的应用程序。
图8.最大额定正向偏置
安全工作区（ MLP1N06CL ）
4
摩托罗拉TMOS功率MOSFET电晶体元件数据
MLP1N06CL
R（T ），有效瞬态热
电阻（标准化）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
单脉冲
0.02 0.03 0.05
0.1
0.2
0.3
0.5
1.0
2.0
3.0
5.0
10
20
30
50
D = 0.5
R
θJC
（吨）= R（T ）R
θJC
R
θJC
（ T） = 3.12 ° C / W最大
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间在T1
TJ （ PK） - TC = P （ PK ）R
θJC
(t)
P（ PK）
0.01
t1
0.2
0.1
0.05
0.02
t2
占空比D = T1 / T2
100
200 300
500
1000
吨，时间（ ms）的
图9.热响应（ MLP1N06CL ）
VDD
RL
VOUT
TD （上）
吨
tr
90%
TD （关闭）
花花公子
tf
90%
VIN
脉冲发生器
RGEN
50
50
z = 50
DUT
输出时，VOUT
倒
10%
90%
50%
输入，输入电压
10%
50%
脉冲宽度
图10.开关测试电路
图11.开关波形
有源钳位
SMARTDISCRETES技术可以提供片上实
流行的栅极 - 源极和栅极 - 漏极的化
齐纳二极管钳位元件。直到最近，这种功能
已经实现只用分立元件
它占用的电路板空间，并增加了系统成本。该
SMARTDISCRETES技术经济方法
融合了这些特征和功率芯片，只有轻微
增加芯片面积。
在实践中，备份到后端二极管元件被形成在一个
多晶硅区monolithicly与整合，但电
分离，主体设备结构。每背到背
二极管元件提供温度补偿的电压
约7.2伏的元件。由于多晶硅区
上形成二氧化硅的顶部，所述的二极管元件的自由
从具有的传导区域的直接互动
功率器件，从而消除寄生电效应
同时保持优良的热耦合。
为了实现高的栅 - 漏极钳位电压时，几
电压元素串在一起;在MLP1N06CL用途
8这样的元件。习惯上，两个电压元素
用于提供一个14.4伏特的栅极至源极电压钳位。
为MLP1N06CL ，集成栅极 - 源极电压
元件提供大于2.0千伏的静电电压
保护。
栅极 - 漏极电压钳位的雪崩电压
设置为小于该功率MOSFET器件的。一旦
为漏极至源极电压超过该雪崩电压
年龄，所得到的栅 - 漏齐纳电流生成栅极
在栅极至源极的阻抗电压，接通
电源装置然后进行电流。由于vir-
tually所有的电流由电源装置进行，该
栅 - 漏电压钳位元件可以小型化。
建立一个温度的这种技术补偿
漏极 - 源极的维持电压（图7）有效地重新
移动漏极 - 源极雪崩中的可能性
功率器件。
栅 - 漏电压钳技术，特别
对于冷落的负载非常有用，其中的电感能量会
否则雪崩功率器件。在改善
的至少4倍的耐用性已被观察到时
电感能量耗散在栅极 - 漏极钳位
导通模式，而不是在更紧张的栅极 -
源雪崩模式。
摩托罗拉TMOS功率MOSFET电晶体元件数据
5
摩托罗拉
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SMARTDISCRETES
内部钳位，电流限制
N沟道逻辑电平功率MOSFET
这些SMARTDISCRETES器件具有电流限制短路
保护，一个整体的栅 - 源极钳位ESD保护和栅 - 漏
钳制过电压保护。没有额外的栅极串联电阻是必需
接口连接时，到一个的MCU的所述输出的，但一个40 kΩ的栅极下拉电阻器是
建议避免浮置栅极的条件。
内部栅极 - 源极和栅极 - 漏极钳位使器件可以是
应用不使用外部瞬态抑制元件。栅 -
源钳位保护免受静电栅极电压应力MOSFET的输入
高达2.0千伏。栅极 - 漏极钳位保护从漏极MOSFET的漏
感性负载发生雪崩应力。这种独特的设计提供
电压钳位，其基本上独立于操作温度。
该MLP1N06CL使用摩托罗拉的SMARTDISCRETES技制作
gy的结合了功率MOSFET的输出装置的优点
片上的保护电路。这种方法提供了一种经济的手段
提供保护功率MOSFET在恶劣的汽车附加功能
和工业环境中。 SMARTDISCRETES器件工作在一个
宽的温度范围从-50 ℃至150 ℃。
温度补偿栅 - 漏极钳位限制电压应力
施加到器件和保护负载从过电压
集成ESD保护二极管
控制开关最大限度地减少RFI
低阈值电压使能接口连接电源负载微处理器
最大额定值
（ TC = 25° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
漏极至栅极电压（ RGS = 1.0 MΩ ）
栅极 - 源极电压 - 连续
漏电流 - 连续
漏电流
- 单脉冲
总功耗
静电放电电压（人体模型）
工作和存储结温范围
符号
VDSS
VDGR
VGS
ID
IDM
PD
ESD
TJ ， TSTG
价值
夹
夹
±10
自限
1.8
40
2.0
-50-150
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
瓦
kV
°C
MLP1N06CL
摩托罗拉的首选设备
电压固支
限流
MOSFET
62伏（钳位）
RDS （ ON）= 0.75欧姆
D
R1
G
R2
S
G
D
S
热特性
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
最大无铅焊接温度的目的，
1/8“的情况下，
R
θJC
R
θJA
TL
3.12
62.5
260
° C / W
°C
CASE 221A -06型5
TO–220AB
松开漏极至源雪崩特性
单脉冲漏极 - 源极雪崩能量
（开始TJ = 25°C ， ID = 2.0 A，L = 40毫亨） （图6）
SMARTDISCRETES是摩托罗拉公司的一个商标。
EAS
80
mJ
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
REV 1
摩托罗拉TMOS功率MOSFET电晶体元件数据
摩托罗拉公司1996年
1
MLP1N06CL
电气特性
（ TJ = 25° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏极 - 源极耐受电压（内部钳位）
（ID = 20毫安， VGS = 0）
（ID = 20 mA时， VGS = 0 ， TJ = 150 ° C）
零栅极电压漏极电流
（VDS = 45 V ，V GS = 0）
（ VDS = 45 V， VGS = 0 ， TJ = 150 ° C）
门体漏电流
（ VG = 5.0 V， VDS = 0 ）
（ VG = 5.0 V ， VDS = 0 ， TJ = 150 ° C）
基本特征*
栅极阈值电压
（ID = 250
A,
VDS = VGS ）
（ID = 250
A,
VDS = VGS ， TJ = 150 ° C）
静态漏 - 源极导通电阻
（ID = 1.0 A， VGS = 4.0 V）
（ID = 1.0 A， VGS = 5.0 V）
（ID = 1.0 A， VGS = 4.0 V， TJ = 150 ° C）
（ID = 1.0 A， VGS = 5.0 V ， TJ = 150 ° C）
正向跨导（ ID = 1.0 A， VDS = 10V ）
静态源 - 漏极二极管电压（ IS = 1.0 A， VGS = 0 ）
静态漏电流限制
（ VGS = 5.0 V ， VDS = 10V ）
（ VGS = 5.0 V ， VDS = 10V ， TJ = 150 ° C）
电阻开关特性*
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
*表示脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2.0%.
4
（ VDD = 25 V ， ID = 1.0 A，
VGS = 5.0 V ， RG = 50欧姆）
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
—
—
—
—
1.2
4.0
4.0
3.0
2.0
6.0
6.0
5.0
s
VGS （ TH）
1.0
0.6
RDS （ ON）
—
—
—
—
政府飞行服务队
VSD
ID （ LIM ）
2.0
1.1
2.3
1.3
2.75
1.8
1.0
—
0.63
0.59
1.1
1.0
1.4
1.1
0.75
0.75
1.9
1.8
—
1.5
姆欧
VDC
A
1.5
—
2.0
1.6
欧
VDC
V（ BR ） DSS
59
59
IDSS
—
—
IGSS
—
—
0.5
1.0
5.0
20
0.6
6.0
5.0
20
μAdc
62
62
65
65
μAdc
VDC
符号
民
典型值
最大
单位
TJ = 25°C
ID ，漏极电流（ AMPS ）
4
VDS
≥
7.5 V
–50°C
ID ，漏极电流（ AMPS ）
3
10 V
6V
8V
4V
3
25°C
2
TJ = 150℃
2
1
VGS = 3V
1
0
0
0
2
4
6
VDS ，漏极至源极电压（伏）
8
0
2
4
6
VGS ，栅极至源极电压（伏）
8
图1.输出特性
图2.传输功能
2
摩托罗拉TMOS功率MOSFET电晶体元件数据
MLP1N06CL
THE SMARTDISCRETES概念
从标准功率MOSFET的过程中，几个活跃
和无源元件可以得到该芯片上提供
保护的基本动力装置。这些元素需要
仅小幅增加硅面积和/或添加一个
掩模层的过程。所得的器件表现出
在耐用性和可靠性显著改善，以及
为减少系统成本。该SMARTDISCRETES设备
功能现在可以提供一种经济的替代智能
电源IC适用于需要电源应用的低导通电阻，
高电压和高电流。
这些器件是专为那些需要的应用
具有短路保护坚固的功率开关器件
可直接连接到微控制器单元
控制器（MCU） 。理想的应用包括汽车燃料喷射器
驱动程序，白炽灯的驱动程序或其它应用
一个高的浪涌电流或短路情况可能会发生。
操作在电流限制模式
的时间，则不受保护装置可与 - 量
从站前负载短路产生的电流应力
超过其最大结温是依赖
于许多因素，包括量
散热器的设置是，单片机的尺寸或等级
副，其初始结点温度，和电源电压。
如果没有某种形式的电流限制，短路负载能
提高器件的结温超过最大
额定工作温度在只有几毫秒。
即使没有散热片，所述MLP1N06CL可承受
短路负载供电由一个汽车电池（ 10 14
伏）近第二，如果其初始工作温度
低于100 ℃。为工作在电流长时间
租金限制模式下，器件散热可以延长操作
几秒钟至无限期地依赖于
提供的散热量。
短路保护的影响
温度
芯片上的电路的MLP1N06CL的提供了一个英特
保护MOSFET组件从磨碎的手段
高浪涌电流或负载短路。如图所示的原理图
马蒂奇图中，电流限制功能是通过提供
NPN晶体管和积分电阻R1和R2 。 R2的感觉
电流流经MOSFET和正向偏置
NPN晶体管的基极的电流增加。由于NPN
导通时，它开始拉栅极驱动电流通过R 1，滴
ping该栅极驱动电压越过它，并因此降低了
穿过功率MOSFET的栅 - 源电压
和限制电流。目前的限制是DE-温度
悬垂在图3中，如图所示，从约2.3减少
安培，在25℃至约1.3安培在150℃下。
由于MLP1N06CL继续传导电流和
在负载短路状态消耗功率，这一点很
坦以提供足够的散热，以限制该装置junc-
化温度至最高150℃。
金属电流检测电阻R2增加了约0.4欧姆
到功率MOSFET的导通电阻，但温的影响
perature上的组合是小于一个标准
MOSFET由于R2中的较低的温度系数。该
导通电阻随温度的变化对栅电压
图4和5伏特，示于图5 。
背到背栅和源极之间的多晶硅二极管
提供ESD保护，以大于2千伏， HBM 。该导通
芯片的保护功能，无需外部
齐纳二极管具有潜在的粗实线瞬变系统。
摩托罗拉TMOS功率MOSFET电晶体元件数据
4
ID （ LIM ） ，漏极电流（ AMPS ）
VGS = 5V
VDS = 7.5 V
3
2
1
0
–50
0
50
100
TJ ，结温（ ° C）
150
图3. ID （ LIM ）随温度的变化
4
R DS （ ON） ，导通电阻（欧姆）
ID = 1
3
2
25°C
1
TJ = -50℃
150°C
0
0
2
4
6
8
VGS ，栅极至源极电压（伏）
10
图4的RDS（on ）随
栅极 - 源极电压
1.25
ID = 1
RDS （ ON） ，导通电阻（欧姆）
1
VGS = 24 V
0.75
VGS = 5V
0.5
0.25
–50
0
50
100
TJ ，结温（ ° C）
150
图5.导通电阻变化与
温度
3
MLP1N06CL
BV （ DSS ） ，漏极 - 源极维持电压（伏）
WAS ，单脉冲雪崩能量（兆焦耳）
100
80
64
63
60
62
40
61
20
0
25
50
75
100
125
TJ ，结温（ ° C）
150
60
–50
0
50
100
TJ ，结温（ ° C）
150
图6.单脉冲雪崩能量
VERSUS结温
图7.漏源可持续
电压随温度的变化
正向偏置安全工作区
该FBSOA曲线定义最大漏 - 源
电压和漏电流的设备可以安全地处理
当正向偏置时，或当它开启时，或者被接通。
由于这些曲线包括同时限制
高电压和高电流，达到器件的评价，
它们是线性系统的设计者特别有用。该
曲线是基于在25℃和一个最强的情况下
为150℃的妈妈结温。对于重复性的限制
在不同情况下的温度脉冲可由下式确定
使用的热响应曲线。摩托罗拉应用
请注意， AN569 ， “瞬态热阻 - 通用
数据及其应用“提供了详细的说明。
占空比工作
当在负载循环模式运行时，最大
漏极电压可以增加。最高工作
温度是通过以下相关的占空比（DC）的
公式：
TC = （ VDS ×内径× DC个R
= CA
） + TA
在操作时的VDS的最大值加
工作周期模式下可以近似由：
VDS =
150 - TC
ID （ LIM ）× DC个R
θJC
10
6
I D ，漏极电流（ AMPS ）
最大直流电压注意事项
最大漏极 - 源极电压，可以是contin-
横跨MLP1N06CL uously施加，当它在当前
限制是必须消耗的功率的函数。这
功率由最大电流限制在马克西确定
妈妈的额定工作温度（ 1.8 A ，在150 ° C）和不
的RDS （ ON） 。的最大电压可通过计算
下面的等式：
V供电=
（ 150 - TA ）
ID （ LIM ） （R
θJC
+ R
= CA
)
3
2
1
0.6
0.3
0.2
ID （ LIM ） - MAX
ID （ LIM ） - MIN
dc
DEVICE / POWER LIMITED
RDS （ ON）有限公司
1.5
ms
5毫秒
1毫秒
VGS = 5V
单脉冲
TC = 25°C
0.1
1
2
3
6
10
20
30
60
100
VDS ，漏极至源极电压（伏）
式中，R的值
= CA
由散热片即确定
正在使用的应用程序。
图8.最大额定正向偏置
安全工作区（ MLP1N06CL ）
4
摩托罗拉TMOS功率MOSFET电晶体元件数据
MLP1N06CL
R（T ），有效瞬态热
电阻（标准化）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
单脉冲
0.02 0.03 0.05
0.1
0.2
0.3
0.5
1.0
2.0
3.0
5.0
10
20
30
50
D = 0.5
R
θJC
（吨）= R（T ）R
θJC
R
θJC
（ T） = 3.12 ° C / W最大
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间在T1
TJ （ PK） - TC = P （ PK ）R
θJC
(t)
P（ PK）
0.01
t1
0.2
0.1
0.05
0.02
t2
占空比D = T1 / T2
100
200 300
500
1000
吨，时间（ ms）的
图9.热响应（ MLP1N06CL ）
VDD
RL
VOUT
TD （上）
吨
tr
90%
TD （关闭）
花花公子
tf
90%
VIN
脉冲发生器
RGEN
50
50
z = 50
DUT
输出时，VOUT
倒
10%
90%
50%
输入，输入电压
10%
50%
脉冲宽度
图10.开关测试电路
图11.开关波形
有源钳位
SMARTDISCRETES技术可以提供片上实
流行的栅极 - 源极和栅极 - 漏极的化
齐纳二极管钳位元件。直到最近，这种功能
已经实现只用分立元件
它占用的电路板空间，并增加了系统成本。该
SMARTDISCRETES技术经济方法
融合了这些特征和功率芯片，只有轻微
增加芯片面积。
在实践中，备份到后端二极管元件被形成在一个
多晶硅区monolithicly与整合，但电
分离，主体设备结构。每背到背
二极管元件提供温度补偿的电压
约7.2伏的元件。由于多晶硅区
上形成二氧化硅的顶部，所述的二极管元件的自由
从具有的传导区域的直接互动
功率器件，从而消除寄生电效应
同时保持优良的热耦合。
为了实现高的栅 - 漏极钳位电压时，几
电压元素串在一起;在MLP1N06CL用途
8这样的元件。习惯上，两个电压元素
用于提供一个14.4伏特的栅极至源极电压钳位。
为MLP1N06CL ，集成栅极 - 源极电压
元件提供大于2.0千伏的静电电压
保护。
栅极 - 漏极电压钳位的雪崩电压
设置为小于该功率MOSFET器件的。一旦
为漏极至源极电压超过该雪崩电压
年龄，所得到的栅 - 漏齐纳电流生成栅极
在栅极至源极的阻抗电压，接通
电源装置然后进行电流。由于vir-
tually所有的电流由电源装置进行，该
栅 - 漏电压钳位元件可以小型化。
建立一个温度的这种技术补偿
漏极 - 源极的维持电压（图7）有效地重新
移动漏极 - 源极雪崩中的可能性
功率器件。
栅 - 漏电压钳技术，特别
对于冷落的负载非常有用，其中的电感能量会
否则雪崩功率器件。在改善
的至少4倍的耐用性已被观察到时
电感能量耗散在栅极 - 漏极钳位
导通模式，而不是在更紧张的栅极 -
源雪崩模式。
摩托罗拉TMOS功率MOSFET电晶体元件数据
5
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