MLD1N06CL
首选设备
SMARTDISCRETESt MOSFET
1安培， 62伏特，逻辑电平
N沟道DPAK
该MLD1N06CL是专为那些需要坚固耐用的应用
具有短路保护功率开关器件，可以
直接与微控制单元（ MCU ） 。理想的应用
包括汽车喷油器驱动程序，白炽灯的驱动程序或
其它应用场合的高浪涌电流或负载短路
可能发生的条件。
这种逻辑电平功率MOSFET具有限流的
短路保护，集成门源钳位的ESD
保护和整体门极 - 漏极钳位过电压
保护和SENSEFET技术对于低导通电阻。没有
接口到时附加栅极串联电阻是必需
输出一个单片机，但一个40千瓦的栅极下拉电阻建议
避免浮置栅极的条件。
内部栅极 - 源极和栅极 - 漏极钳位允许器件
无需使用外部的瞬态抑制的要施加
组件。栅极 - 源极钳位保护MOSFET的输入
从静电电压应力高达2.0千伏。栅极 - 漏极钳位
可以防止发生与雪崩应力MOSFET的漏
感性负载。其独特的设计提供电压钳位即
基本上是独立的工作温度。
特点
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V
（ BR ） DSS
62 V（钳位）
R
DS （ ON）
典型值
750毫瓦
I
D
最大
1.0 A
N沟道
D
R1
G
R2
S
无铅包装是否可用
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
漏极至栅极电压（R
GS
= 1.0毫瓦）
栅极 - 源极电压
- 连续
漏电流
- 连续
- 单脉冲
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
ESD
价值
夹
夹
±10
自限
1.8
40
-50-150
2.0
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
APK
W
°C
kV
1 2
3
CASE 369C
DPAK
方式2
Y
WW
L1N06C
G
4
记号
图
YWW
L1N
06CG
总功耗
工作和存储温度范围
静电放电电压
（人体模型）
=年
=工作周
=器件代码
= Pb-Free包装
订购信息
设备
° C / W
R
QJC
R
qJA
R
qJA
T
L
3.12
100
71.4
260
°C
MLD1N06CLT4
MLD1N06CLT4G
包
DPAK
DPAK
（无铅）
航运
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
热特性
热阻
结到外壳
结到环境（注1 ）
结到环境（注2 ）
最大无铅焊接温度的
目的， 1/8“从案例5秒
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1.当表面安装到FR-4板使用最小推荐
焊盘尺寸。
2.当表面安装到FR-4板用0.5平方英寸漏极焊盘尺寸。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年1月 - 第3版
出版订单号：
MLD1N06CL/D
MLD1N06CL
4
T
J
= 25°C
ID ，漏极电流（ AMPS ）
V
DS
≥
7.5 V
4
50°C
ID ，漏极电流（ AMPS ）
3
10 V
6V
8V
4V
3
25°C
2
T
J
= 150°C
2
1
V
GS
= 3 V
1
0
0
0
2
4
6
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
8
0
2
4
6
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
8
图1.输出特性
THE SMARTDISCRETES概念
图2.传输功能
短路保护的影响
温度
从标准功率MOSFET的过程中，几个活跃
和无源元件可以得到该芯片上提供
保护的基本动力装置。这些元素需要
仅小幅增加硅面积和/或添加一个
掩模层的过程。所得的器件表现出
在耐用性和可靠性显著改善
以及减少系统成本。该SMARTDISCRETES
设备的功能，现在能够提供一种经济的替代
以智能功率IC，用于需要低功耗应用
导通电阻，高电压和高电流。
这些器件是专为那些需要的应用
具有短路保护坚固的功率开关器件
可直接连接到微控制器单元
控制器（MCU） 。理想的应用包括汽车燃料喷射器
驱动程序，白炽灯的驱动程序或其它应用
一个高的浪涌电流或短路情况可能会发生。
操作在电流限制模式
的时间量是不受保护的设备可以
承受负载短路产生的电流应力
它的最高结温超过之前
取决于许多因素，其中包括量
设置了散热的，该装置的尺寸或额定
它的初始结点温度，和电源电压。
如果没有某种形式的电流限制，短路负载能
提高器件的结温超过最大
额定工作温度在只有几毫秒。
即使没有散热片，所述MLD1N06CL可承受
短路负载供电由一个汽车电池（ 10至14 V ）
因为如果它的初始工作温度下几乎是第二
100℃。为工作在电流限制的时间较长
模式下，器件散热可以从几个扩展操作
秒至无限期地依赖于量
散热提供。
芯片上的电路的MLD1N06CL的提供
保护MOSFET组件的集成方式
高浪涌电流或负载短路。如图中
示意图，该限流功能，提供
通过一个NPN晶体管和积分电阻R1和R2 。 R2
感测电流通过MOSFET和正向偏置
NPN晶体管的基极的电流增加。作为
NPN导通时，它开始拉栅极驱动电流通过R 1，
滴的栅极驱动电压越过它，并因此降低
在电源的栅极 - 源极电压
MOSFET和限制电流。电流限制为
依赖于温度的，如图3中所示，并且降低
从大约2.3在25 ° C至约1.3 ，在150 ℃。
由于MLD1N06CL继续传导电流和
在负载短路条件下消耗功率，这是重要
以提供足够的散热，以限制该装置结
温度，最高为150℃ 。
金属电流检测电阻R2增加了约0.4
W
对
功率MOSFET的导通电阻，但效果
温度上的组合是小于一个标准
MOSFET由于R2中的较低的温度系数。
导通电阻随温度的变化对栅
4和5伏的电压示于图5 。
背到背栅之间的多晶硅二极管
源提供ESD保护大于2千伏， HBM 。
此片上保护功能省去了一
具有潜在的粗线为系统外部稳压二极管
瞬变。
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3
MLD1N06CL
4
R DS （ ON） ，导通电阻（欧姆）
ID （ LIM ） ，漏极电流（ AMPS ）
V
GS
= 5 V
V
DS
= 7.5 V
3
4
I
D
= 1 A
3
2
2
25°C
1
T
J
= 50°C
150°C
1
0
50
0
0
50
100
T
J
，结温（ ° C）
150
0
4
6
8
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
2
10
图3.我
D（ LIM ）
变异
随温度
图4.
DS （ ON）
与变异
栅极 - 源极电压
1.25
I
D
= 1 A
RDS （ ON） ，导通电阻（欧姆）
1
V
GS
= 4 V
0.75
V
GS
= 5 V
0.5
0.25
50
0
50
100
T
J
，结温（ ° C）
150
图5.导通电阻变化与
温度
BV （ DSS ） ，漏极 - 源极维持电压（伏）
WAS ，单脉冲雪崩能量（兆焦耳）
100
80
64
63
60
62
40
61
20
0
25
50
75
100
125
T
J
，结温（ ° C）
150
60
50
0
50
100
T
J
，结温（ ° C）
150
图6.单脉冲雪崩能量
VERSUS结温
图7.漏源可持续
电压随温度的变化
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4
MLD1N06CL
正向偏置安全工作区
该FBSOA曲线定义最大漏 - 源
电压和漏电流的设备可以安全地处理
当正向偏置时，或当它打开时，或处于关闭
上。因为这些曲线包括的局限性
同步高电压和高电流，上升到额定值
该装置的，它们是线性的设计师特别有用
系统。该曲线是基于25 ℃的情况下，温度
和150 ℃的最大结温。限制
对于重复脉冲在不同情况下的温度可
通过使用热响应曲线确定。
安森美半导体应用笔记， AN569 ， “瞬间
热电阻 - 通用数据及其应用“提供
的详细说明。
最大直流电压注意事项
（ 1.8 A ，在150 ° C） ，而不是第r
DS （ ON）
。的最大电压
可以计算由下式：
V
供应
=
(150 T
A
)
I
D（ LIM ）
(R
QJC
+ R
QCA
)
式中，R的值
QCA
由散热器中确定
正在使用中的应用程序。
占空比工作
当在负载循环模式运行时，最大
漏极电压可以增加。最高工作
温度相关的占空比（ DC）的由
下面的等式：
T
C
= (V
DS
X我
D
个直流个R
QCA
) + T
A
最大漏极 - 源极电压，可以是
横跨MLD1N06CL连续地施加，当它在
电流限制是必须的功率的函数
消退。该电源由最大决定
在最大额定工作温度限流
10
ID ，漏极电流（ AMPS ）
V
GS
= 10 V
单脉冲
T
C
= 25°C
Ⅴ的最大值
DS
在操作时应用
工作周期模式下可以近似由：
V
DS
=
150 T
C
I
D（ LIM ）
个直流个R
QJC
10
ms
1.0
100
ms
1毫秒
10毫秒
R
DS （ ON）
极限
热限制
套餐限制
0.1
0.1
dc
100
1.0
10
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图8.最大额定正向偏置
安全工作区（ MLD1N06CL ）
1.0
R（T ） ，规范有效
瞬态热阻
D = 0.5
0.2
0.1
0.1 0.05
0.02
0.01
单脉冲
0.01
1.0E05
1.0E04
1.0E03
1.0E02
T，时间（S ）
P
（ PK）
R
QJC
（吨）= R（T ）R
QJC
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT＆T
1
T
J（下PK）
T
C
= P
（ PK）
R
QJC
(t)
t
1
t
2
占空比D = T
1
/t
2
1.0E01
1.0E+00
1.0E+01
图9.热响应（ MLD1N06CL ）
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5
QQ：2880707522 复制
