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1997年5月
ML4822*
ZVS平均电流PFC控制器
概述
该ML4822是PFC控制器特别设计
高功率应用。该控制器包含了所有的
必要的功能来实现的平均电流
升压型PFC转换器,以及一个零电压开关
( ZVS)控制来降低二极管恢复和MOSFET
导通损耗。
平均电流升压PFC电路提供高
功率因数( >98 %)和低的总谐波失真
( THD ) 。内置的安全功能包括欠压
锁定,过压保护,峰值电流限制,并
输入电压欠压保护。
在ZVS控制部分驱动外部MOSFET的ZVS
其中,加上一个二极管和电感器,软交换机
升压稳压器。该技术降低了二极管的反向
恢复和MOSFET的开关损耗,降低EMI和
最大限度地提高效率。
特点
s
s
s
s
s
s
s
平均电流检测,连续升压,从而导致
边PFC的低总谐波失真及附近
单位功率因数
内置ZVS开关控制高响应速度快
EF网络效率,在高功率水平
平均节电与线电压补偿
控制
目前美联储的增益调制器提高了抗干扰能力
并提供通用的输入操作
过电压比较器输出消除“失控”
由于负载移除
欠压锁定,电流限制和软启动
精密1 %参考
*这部分是结束生命截至2000年8月1日
框图
(如图14脚封装引脚配置)
VEAO
1
8
GND
2
IEAO
OVP
VCC
VCCZ
13.5V
2.7V
12
FB
14
2.5V
IAC
4
VRMS
5
ISENSE
3
RTCT
6
+
VEA
R+
FB
+
+
收益
调制器
R–
国际能源署(IEA)
+
I LIMIT
–1V
S
Q
+
R
PFC OUT
11
OSC
VCCZ
REF
S
R
Q
Q
ZVS OUT
10
13
REF
S
R
Q
Q
ZV SENSE
7
+
PWR GND
9
1
ML4822
引脚配置
ML4822
14引脚DIP ( P14 )
ML4822
16引脚SOIC ( S16W )
VEAO
IEAO
ISENSE
IAC
VRMS
RTCT
ZV SENSE
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
顶视图
FB
REF
VCC
PFC OUT
ZVS OUT
PWR GND
GND
VEAO
IEAO
ISENSE
IAC
VRMS
RTCT
ZV SENSE
N / C
1
2
3
4
5
6
7
8
顶视图
16
15
14
13
12
11
10
9
FB
REF
VCC
PFC OUT
ZVS OUT
PWR GND
GND
N / C
引脚说明
(括号内引脚数为16引脚封装)
名字
功能
名字
功能
1 (1)
2 (2)
3 (3)
4 (4)
5 (5)
6 (6)
7 (7)
VEAO
IEAO
I
SENSE
I
AC
V
RMS
R
T
C
T
ZV SENSE
跨导电压误差
扩增fi er输出。
跨导电流误差
扩增fi er输出。
电流检测输入到PFC
电流限制比较。
PFC增益调制器的参考输入。
输入RMS线路电压
补偿。
连接的振荡器频率
设置的组件。
输入到高速零电压
交叉比较。
8 ( 10 ) GND
模拟信号地。
9 ( 11 ) PWR GND回报PFC和ZVS驱动器
输出。
10 ( 12 )零电压开关ZVS输出MOSFET驱动器输出。
11 ( 13 ) PFC OUT PFC MOSFET驱动器输出。
12 (14) V
CC
13 ( 15 ) REF
14 ( 16 ) FB
并联稳压电源电压。
缓冲输出的内部
7.5V的参考。
跨导电压误差
扩增fi er输入。
2
ML4822
绝对最大额定值
绝对最大额定值超出它的价值
该设备可以被永久地损坏。绝对
最大额定值只是应力额定值和功能
设备操作不暗示。
并联稳压器电流(I
CC
) ................................. 55毫安
峰值驱动器输出电流...............................
±500mA
模拟输入................................................ ... -0.3至7V
结温............................................. 150℃
存储温度范围..................... -65℃ 150℃
引线温度(焊接, 10秒) ..................... 150℃
热阻( θ
JA
)
塑料DIP ................................................ ....... 80 ° C / W
塑料SOIC ................................................ .... 110 ° C / W
工作条件
温度范围
ML4822CX ................................................ 0 ° C至70℃
ML4822IX .............................................. -40 ° C至85°C
电气特性
除非另有规定ED ,R
T
= 52.3kΩ ,C
T
= 470pF的,T
A
=工作温度范围(注1 )
参数
电压误差放大器
输入电压范围
反馈参考电压
开环增益
PSRR
输出低
输出高
源出电流
灌电流
电流误差放大器
输入电压范围
输入失调电压
开环增益
PSRR
输出低
输出高
源出电流
灌电流
OVP比较器
阈值电压
迟滞
I
SENSE
比较
阈值电压
延迟输出
–0.8
–1.0
150
–1.15
300
V
ns
2.6
80
2.7
120
2.8
150
V
mV
V
IN
=
±0.5V,
V
OUT
= 6V
V
IN
=
±0.5V,
V
OUT
= 1.5V
6.0
–40
40
V
CCZ
- 3V & LT ; V
CC
& LT ; V
CCZ
– 0.5V
60
60
V
NON- INV
= V
INV
, IEAO = 3.75V
–1.5
130
195
±3
75
75
0.65
6.7
–80
80
1
2
310
±15
V
V
IN
=
±0.5V,
V
OUT
= 6V
V
IN
=
±0.5V,
V
OUT
= 1.5V
6.0
–40
40
V
CCZ
- 3V & LT ; V
CC
& LT ; V
CCZ
– 0.5V
V
NON- INV
= V
INV
, VEAO = 3.75V
V
EAO
= V
FB
0
50
2.4
60
60
70
2.5
75
75
0.65
6.7
–80
80
1
7
120
2.6
V
V
dB
dB
V
V
A
mA
条件
典型值
最大
单位
mV
dB
dB
V
V
A
A
3
ML4822
电气特性
(续)
参数
ZV检测比较
传播延迟
阈值电压
输入电容
增益调制器
增益(注2)
I
IAC
= 100mA时V
VRMS
= 0V,
V
FB
= 0V
I
IAC
= 50mA时V
VRMS
= 1.2V,
V
FB
= 0V
I
IAC
= 100μA ,V
VRMS
= 1.8V,
V
FB
= 0V
I
IAC
= 100μA ,V
VRMS
= 3.3V,
V
FB
= 0V
带宽
输出电压
振荡器
初始精度
电压稳定
温度稳定性
全变差
斜坡谷峰值电压
死区时间
C
T
放电电流
参考
输出电压
线路调整
负载调整率
温度稳定性
全变差
长期稳定性
短路电流
PFC比较
最小占空比
最大占空比
V
IEAO
& GT ; 6.7V
V
IEAO
& LT ; 1.2V
90
95
0
%
%
线,负载和温度
T
j
= 125°C后,1000小时
V
CC
& LT ; V
CCZ
– 0.5V, V
REF
= 0V
–15
7.395
5
–40
T
A
= 25 ° C,I
REF
= 1毫安
V
CCZ
- 3V & LT ; V
CC
& LT ; V
CCZ
– 0.5V
1毫安& LT ;我
REF
, & LT ; 20毫安
7.425
7.5
2
2
0.4
7.605
25
–100
7.575
10
15
V
mV
mV
%
V
mV
mA
100
4.5
行,温度
72
2.5
300
7.5
450
9.5
T
A
= 25°C
V
CCZ
- 3V & LT ; V
CC
& LT ; V
CCZ
– 0.5V
74
80
1
2
88
86
千赫
%
%
千赫
V
ns
mA
I
IAC
= 250A
V
FB
= 0V, V
VRMS
= 1.15V,
I
IAC
= 250A
0.72
0.36
1.20
0.55
0.14
0.51
1.72
0.78
0.20
10
0.8
0.9
0.66
2.24
1.01
0.26
兆赫
V
100mV的过载
7.35
7.5
6
50
7.65
ns
V
pF
条件
典型值
最大
单位
4
ML4822
电气特性
(续)
参数
MOSFET驱动器输出
输出低电压
I
OUT
= -20mA
I
OUT
= -100mA
I
OUT
= -10mA ,V
CC
= 8V
输出高电压
I
OUT
= 20mA下
I
OUT
= 100毫安
输出上升/下降时间
欠压锁定
阈值电压
迟滞
供应
分流电压(V
CCZ
)
负载调整率
全变差
启动电流
工作电流
注1 :
注2 :
条件
典型值
最大
单位
0.3
0.6
0.8
9.5
9
10.3
10.3
40
0.8
3.0
1.5
V
V
V
V
V
ns
C
L
= 1000pF的
V
CCZ
– 0.9 V
CCZ
– 0.6 V
CCZ
– 0.2
2.5
2.8
3.2
V
V
I
CC
=25mA
25毫安<我
CC
& LT ; 55毫安
负载和温度
V
CC
& LT ; 12.3V
V
CC
= V
CCZ
– 0.5V
12.8
13.5
±150
14.2
±300
14.6
V
mV
V
mA
mA
12.4
0.7
22
1.1
28
限制由100 %的测试,取样,或相关性最差情况下的测试条件保证。
增益= K X 5.3 V ; K = (I
GAINMOD
– I
OFFSET
) ×1
AC
X (V
EAO
– 1.5)
–1
.
5
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