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ML145159
串行输入锁相环频率
合成器与模拟相
探测器
接口与双模预分频器
Legacy设备:
摩托罗拉MC145159-1
该ML145159有一个可编程的14位参考
计数器,以及完全可编程
分频N /分频-A计数器。该计数器是亲
编程依次通过一个共同的数据输入和
锁存到相应的锁存计数器,根据本
最后一个数据位(控制位)输入。
当与一个环路滤波器和压控振荡器相结合,这种装置可
对于PLL频率同步提供所有其余功能
thesizer操作到设备的频率极限。对于高
呃VCO频率操作,下混合器或双调制
杆菌属分频器可以在VCO和PLL之间使用。
工作温度范围: TA - 40 °至85°C
低功耗通过使用CMOS的
技术
3.0至9.0 V电源电压范围
开通或关断片内基准振荡器操作
兼容的串行外设接口( SPI )
在CMOS微控制器
÷ R档= 3 16383
÷N =范围16 1023 , P A范围从0到127
高增益模拟鉴相器
请参见应用笔记AN969
注意:
兰斯代尔无铅( Pb)的产品,因为它
变得可用,将通过一个部分标识
从号码前缀的变化
ML
to
MLE 。
分页: 10 1
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ML145159
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框图
÷
÷
÷
* FSO不是,不能被用作数字鉴相器的输出。
最大额定值*
(电压参考VSS)
符号
VDD
VIN,VOUT
IIN,电流输出
国际直拨电话,国际空间站
PD
TSTG
TL
参数
直流电源电压
输入或输出电压( DC或瞬态)
输入或输出电流( DC或瞬态)
每个引脚
电源电流, VDD和VSS引脚
功耗,每包
储存温度
焊接温度( 8秒焊接)
价值
- 0.5 + 10
- 0.5 VDD + 0.5
±
10
±
30
500
- 65至+ 150
260
单位
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
该器件包含电路保护
输入不受损坏,由于高静电压
年龄或电场;然而,它是表示
要采取正常的预防措施,以避免应用
超过最大额定更高的任何电压的系统蒸发散
电压为这个高阻抗电路。为
正确的操作,建议Vin和
Vout的被约束的范围内的VSS
( VIN或
VOUT )
VDD 。
未使用的输入必须始终连接到一个
适当的逻辑电平(例如,是VSS
或VDD ) 。
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
第10 2
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电气特性
参考VSS (电压除ICR和IAPD其引用到VSS
′)
– 40°C
特征
电源电压范围
输出电压
VIN = 0 V或VDD
IOUT = 0
A
(除OSCOUT和APDout )
0级
符号
VDD
VOL
VDD
3
5
9
3
5
9
3
5
9
3
5
9
3
5
9
3
5
9
3
5
9
VIH
3
5
9
IOH
来源
3
5
9
IOL
3
5
9
9
9
– 0.60
– 0.90
– 1.50
1.30
1.90
3.80
– 0.50
– 0.75
– 1.25
1.10
1.70
3.30
– 90
170
– 110
350
– 0.30
– 0.50
– 0.80
0.66
1.08
2.10
A
A
mA
3
5
9
IOL
3
5
9
9
9
3
5
9
9
– 0.44
– 0.64
– 1.30
0.44
0.64
1.30
±
2
±
0.3
±
50
10
10
800
1200
1600
±
0.3
– 0.35
– 0.51
– 1.00
0.35
0.51
1.00
±
2
±
0.1
±
25
10
10
800
1200
1600
±
0.1
– 0.22
– 0.36
– 0.70
0.22
0.36
0.70
±
2
±
1.0
±
22
10
10
1600
2400
3200
±
3.0
A
A
pF
pF
A
3.0
5.0
9.0
3.0
5.0
9.0
3.0
5.0
9.0
mA
3
2.95
4.95
8.95
2.1
3.5
6.3
2.1
3.5
6.3
最大
9
0.05
0.05
0.05
0.9
1.5
2.7
0.9
1.5
2.7
0
0
0
3
2.95
4.95
8.95
2.1
3.5
6.3
2.1
3.5
6.3
25°C
最大
9
0.05
0.05
0.05
0.9
1.5
2.7
1.05
0.9
1.5
2.7
0
0
0
3
2.95
4.95
8.95
2.1
3.5
6.3
2.1
3.5
6.3
85°C
最大
9
0.05
0.05
0.05
0.9
1.5
2.7
0.9
1.5
2.7
V
0
0
0
V
V
V
V
单位
V
V
1级
VOH
输出电压
OSCOUT
VIN = 0 V或VDD
0级
VOL
1级
VOH
ΔVoltage ,
VCH - VAPDout , IAPDout
0
A
输入电压
VOUT = 0.5 V或VDD - 0.5 V
(所有输出除OSCOUT )
0级
V
VIL
1级
VIH
输入电压* - OSCIN
VO = 2.1 V或0.9 V
VO = 3.5 V或1.5 V
VO = 6.3 V或2.7 V
VO = 0.9 V或2.1 V
VO = 1.5 V或3.5 V
VO = 2.7 V或6.3 V
输出电流 - MC
VOUT = 2.7 V
VOUT = 4.6 V
VOUT = 8.5 V
VOUT = 0.3 V
VOUT = 0.4 V
VOUT = 0.5 V
输出电流, CR , VCR = 4.5 V , RR = 240
输出电流, APDout
RO = 240 K, VCH = 0 V , VAPDout = 4.5 V
输出电流 - 其它输出
VOUT = 2.7 V
VOUT = 4.6 V
VOUT = 8.5 V
VOUT = 0.3 V
VOUT = 0.4 V
VOUT = 0.5 V
输入电流 - 数据, CLK , ENB
输入电流 - 鳍, OSCIN
输入电容
三态输出电容 - FSO
静态电流
VIN = 0 V或VDD
IOUT = 0
A
三态泄漏电流,输出电压= 0 V或9 V
*直流耦合的方波。
VIL
0级
1级
SINK
ICR
IAPD
IOH
来源
SINK
IIN
IIN
CIN
COUT
国际直拨电话
IOZ
A
第10 3
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开关特性
( TA = 25°C , CL = 50 pF的)
特征
输出上升时间 - MC
科幻gure
4, 9
符号
tTLH
VDD
3
5
9
3
5
9
3
5
9
3
5
9
3
5
9
3
5
9
6
th
3
5
9
3
5
9
3
5
9
3
5
9
30
20
18
70
32
25
12
12
15
5
10
20
40
35
25
最大
115
60
40
60
34
30
140
80
60
125
80
50
5
2
0.5
ns
单位
ns
输出下降时间 - MC
4, 9
TTHL
ns
输出上升时间和下降时间 - LD和SRout
4, 9
tTLH ,
TTHL
tPLH的,
的TPH1
TSU
ns
传播延迟时间 - 鳍MC
5, 9
ns
设置时间 - 数据为CLK
6
ns
CLK到ENB
保持时间 - CLK到数据
恢复时间 - ENB到CLK
6
TREC
ns
输入上升和下降时间 - CLK , OSCIN ,翅
7
TR , TF
s
输入脉冲宽度 - ENB和CLK
8
tw
ns
注:请参阅图表和文字的应用笔记AN969最大频率信息。
第10 4
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说明
输入
引脚
OSCIN , OSCOUT
振荡器输入和振荡器输出( PDIP , SOG -
引脚
2,3 ; SSOP -
引脚
7, 8)
CON组时,这些引脚组成一个片上参考振荡器
连接至外部并行谐振晶体的终端。
适当的值,频率设定电容必须CON组
从连接的OSCIN到VSS和OSCOUT toVSS 。 OSCIN可能
还用作输入一个外部产生的基准显
宇空。此信号通常是交流耦合到OSCIN ,但对于
大振幅信号(标准CMOS逻辑电平) ,直流
耦合也可以使用。在外部基准模式,没有
连接需要OSCOUT 。
中f
频率输入( PDIP , SOG -
10 , SSOP -
15)
输入到正边沿触发的分频, N和二
韦迪逐-A计数器。中f通常来源于双MOD-
乌鲁斯预分频器和交流耦合。该输入具有一个反相器
偏置在线性区域中,以允许与AC耦合显用
以原状低至500毫伏峰对峰的或直接耦合信号
摆动从VDD到VSS 。
数据
串行数据输入( PDIP , SOG -
12 , SSOP -
17)
计数器和控制信息被转移到该输入端。
进入最后一个数据位进入一个位控制移位寄
存器。逻辑1允许引用计数器信息是
加载到其14位锁存器,当ENB为高电平。逻辑0
输入为控制位禁止引用计数器锁存器。
分频-A /分频N计数器锁存器中装入,顾及─
少的控制寄存器的内容,当ENB进
高。的数据条目的格式示于图1中。
ENB
透明锁存器
启用
( PDIP , SOG -
13,
SSOP -
18)
在此输入逻辑高电平允许将数据输入到
分频的A /除以-N锁存器,并且如果该控制位为高,
成参考计数器的锁存器。计数器编程未受
染时的ENB为低电平。 ENB应保持正常低
和脉冲高将数据传送到所述锁存器。
CLK
移位寄存器时钟( PDIP , SOG -
11 , SSOP -
16)
在此输入由低到高的转变从数据转移
串行数据输入到移位寄存器。
部件
引脚
CR
斜坡电容( PDIP , SOG -
15 , SSOP -
20)
连接此引脚与VSS '的电容线性充电
早在一率RR确定。在此电容器的电压
正比于频率的压力的相位差
耳鼻喉科在内部鉴相器的输入。另外,聚苯乙烯或
聚脂薄膜电容建议。
RR
斜坡电流偏置电阻( PDIP , SOG -
20,
SSOP -
5)
从这个引脚连接到VSS 'A电阻决定
速率斜坡电容器充电,从而影响
鉴相器增益(参见图2) 。
CH
保持电容( PDIP , SOG -
18 , SSOP -
3)
存储在斜坡电容器上的电荷被转移到
电容从这个引脚连接到VDD或者'或VSS “ 。该
的CR至CH比应足够大,以有没有影响
鉴相器增益(CR > 10 CH)。低漏电电容
器应使用。
RO
输出偏置电流电阻( PDIP , SOG -
1,
SSOP -
6)
从这个引脚到VSS '连接一个电阻偏置输出
N沟道晶体管,从而设置于所述模拟电流宿
登录相位检测器的输出。该电阻调节APDout偏见
电流(参见图3) 。
产量
引脚
APDout
类似物
检测器输出( PDIP , SOG -
17,
SSOP -
2)
这个输出产生控制外部电压
VCO。这个输出( VDD = + 9 V )的电压范围是从
低于+ 0.5 V至+ 8 V以上。这样做的源阻抗
输出是源极跟随器的与外部的等效
可变电阻器源代码。源电阻取决于
输出偏置电流的输出偏置电流电阻控制
器, RO 。偏置电流是可调的0.01 mA至0.5
毫安。输出电压不超过1.05V的下方
采样点的坡道。同的恒定样品
斜坡电压在9伏和50 pF的保持电容器中,例化
taneous输出纹波为约5毫伏峰 - 峰值。
图1.数据输入格式
第10个5
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