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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第1914页 > MKP3V240RL
MKP3V120 , MKP3V240
首选设备
SIDAC高压
双向触发
设计用于直接接口与交流电源双向器件
线。一旦达到击穿电压在每个方向上,所述装置
开关从截止状态到接通状态的低电压。导
会继续像一个三端双向可控硅,直到主端电流降至低于
保持电流。轴向引线封装在塑料具有高脉冲
以低成本电流能力。玻璃钝化保证可靠
操作。应用:
高压钠蒸气灯
闪光灯和闪光
点火器
高电压稳压器
脉冲发生器
用于触发可控硅和双向可控硅的门
表示UL注册 - 文件号E116110
器件标识:标识,设备类型,例如, MKP3V120 ,日期代码
最大额定值
( TJ = 25° C除非另有说明)
等级
重复峰值断态电压
(正弦波, 50到60赫兹,
TJ = - 40 125°C )
MKP3V120
MKP3V240
开启状态RMS电流
( TL = 80 ° C,引线长度= 3/8 “ ,
所有的导通角)
峰值不重复浪涌电流
( 60赫兹一个周期的正弦波,
峰值, TJ = 125°C )
工作结温范围
存储温度范围
符号
VDRM ,
VRRM
价值
单位
http://onsemi.com
SIDACS ( )
1安培RMS
120和240伏
MT1
MT2
IT ( RMS )
& QUOT ;
90
& QUOT ;
180
& QUOT ;
1.0
& QUOT ;
20
- 40
+125
- 40
+150
AMP
Surmetic 50
塑料推力
(无极)
案例267
方式2
ITSM
安培
订购信息
°C
°C
设备
MKP3V120
Surmetic 50
航运
散装500元/袋
磁带和卷轴
1.5K/Reel
散装500元/袋
磁带和卷轴
1.5K/Reel
TJ
TSTG
MKP3V120RL SURMETIC 50
MKP3V240
Surmetic 50
MKP3V240RL SURMETIC 50
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司, 2000
1
2000年5月 - 第3版
出版订单号:
MKP3V120/D
MKP3V120 , MKP3V240
热特性
特征
热阻,结领导
(引线长度= 3/8“ )
无铅焊锡温度
(引线长度
1/16“的情况下, 10秒最大)
符号
R
θJL
TL
最大
15
260
单位
° C / W
°C
w
电气特性
( TC = 25 ° C除非另有说明; ELECTRICALS适用于两个方向)
特征
符号
典型值
最大
单位
开关特性
重复峰值断态电流
( 50到60赫兹正弦波)
VDRM = 90 V
VDRM = 180 V
IDRM
MKP3V120
MKP3V240
10
A
基本特征
击穿电压, IBO = 200
A
MKP3V120
MKP3V240
导通电流
峰值通态电压
( ITM = 1 A峰值,脉宽
300
s,
占空比
2%)
动态保持电流
(正弦波, 60赫兹, RL = 100
)
开关电阻
(正弦波, 50到60赫兹)
IBO
VTM
IH
RS
VBO
110
220
0.1
1.1
130
250
200
1.5
100
A
mA
k
动态特性
爆击率-的高层通态电流,
临界阻尼电路波形
( IPK = 130安培,脉冲宽度= 10
微秒)
的di / dt
120
A / μs的
http://onsemi.com
2
MKP3V120 , MKP3V240
SIDAC电压电流特性
(双向设备)
+电流
ITM
IH
IS
IDRM
VS
我(BO)
+电压
V( BO )
– V
S
)
VTM
斜率= RS
符号
IDRM
VDRM
VBO
IBO
IH
VTM
ITM
参数
关闭状态漏泄电流
关机状态下重复阻断电压
击穿电压
导通电流
保持电流
导通电压
山顶上的当前状态
VDRM
R
S
+
(V
(I
(BO)
S
– I
(BO)
)
电流降额
TC ,最大允许外壳温度(
°
C)
130
TA ,最大允许环境
温度(
°
C)
120
α
α
=导通角
额定TJ = 125°C
α
140
120
100
80
60
40
20
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
α
=导通角
额定TJ = 125°C
110
100
a
= 180°
90
80
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
a
= 180°
1.6
1.8
2.0
IT ( AV )通态平均电流(安培)
IT ( AV )通态平均电流(安培)
图1.最大外壳温度
图2.最高环境温度
1.0
0.8
0.6
0.4
0.3
0.2
25°C
125°C
PAV ,最大平均功耗(瓦)
I T ,瞬时通态电流( AMPS )
1.25
a
= 180°
α
α
=导通角
额定TJ = 125°C
1.00
0.75
0.50
0.25
0.1
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
VT ,瞬时导通电压(伏)
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
IT ( AV )通态平均电流(安培)
图3.典型正向电压
图4.典型功耗
http://onsemi.com
3
MKP3V120 , MKP3V240
热特性
R(T ) ,瞬态热阻(标准化)
1.0
0.5
0.3
0.2
0.1
0.05
0.03
0.02
0.01
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
吨,时间( ms)的
100
200
500
1.0 k
Z
q
JL (吨) = R
q
JL
R( t)的
D
TJL = Ppk的
q
JL [ R(T ) ]
tp
时间
其中:
D
TJL =增加的结点温度以上
焊接温度
R(T ) =瞬态热阻标准值
时间,从该图吨。例如,
R( TP ) =归一化值
在时间tp短暂性。
导线长度= 1/4
引线的温度应
使用热电偶放置在测
铅尽可能接近的连接点。该
连接到所述连接点的热质
通常足够大,使得它不会
显著反应热产生的浪涌
在二极管作为脉冲操作的结果
一旦稳定状态条件得以实现。
采用TL的测量值,其结
温度可以通过确定:
TJ = TL +
D
TJL
2.0 k
5.0 k
10 k
20 k
图5.热响应
典型特征
100
90
我( BO ) ,导通电流(
m
A)
IH ,保持电流(毫安)
80
70
60
50
40
30
20
10
0
–60
–40
–20
0
20
40
60
80
100
120
140
250
225
200
175
150
125
100
75
50
25
0
–60
–40
–20
0
20
40
60
80
100
120 140
TJ ,结温( ° C)
TJ ,结温( ° C)
图6.典型击穿电流
图7.典型的保持电流
http://onsemi.com
4
MKP3V120 , MKP3V240
包装尺寸
Surmetic 50
塑料推力
(无极)
案例267-03
版本D
K
D
1
A
2
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
暗淡
A
B
D
K
英寸
最大
0.370
0.380
0.190
0.210
0.048
0.052
1.000
–––
没有极性
MILLIMETERS
最大
9.40
9.65
4.83
5.33
1.22
1.32
25.40
–––
B
K
方式2 :
http://onsemi.com
5
MKP3V120 , MKP3V240
首选设备
SIDAC高压
双向触发
设计用于直接接口与AC双向器件
电源线。一旦达到击穿电压在每个方向上,所述
从截止状态设备切换到导通状态的低电压。
传导会继续像一个三端双向可控硅,直到主端电流
下降到低于保持电流。塑料轴向引线封装
提供高脉冲电流能力以较低的成本。玻璃钝化
确保可靠的操作。
特点
http://onsemi.com
SIDACS ( )
1安培RMS
120和240伏
MT1
MT2
高压钠蒸气灯
闪光灯和闪光
点火器
高电压稳压器
脉冲发生器
用于触发可控硅和双向可控硅的门
表示UL注册 - 文件号E116110
这些无铅器件*
标记图
轴向引线
(无极)
案例267
方式2
价值
单位
V
"90
"180
"1.0
"20
A
A
A
MKP
3V120
YYWW
G
G
A
=大会地点
YY ,Y =年
WW
=工作周
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
等级
符号
重复峰值断态电压
V
DRM
,
(正弦波, 50到60赫兹,T
J
= - 40 125℃ )V
RRM
MKP3V120
MKP3V240
开启状态RMS电流(T
L
= 80 ° C,铅
长度为3/8 “ ,所有的导通角)
峰值不重复浪涌电流
( 60赫兹一个周期的正弦波,峰值,
T
J
= 125°C)
工作结温范围
存储温度范围
I
T( RMS )
I
TSM
T
J
T
英镑
-40到+125
-40到+150
°C
°C
订购信息
设备
MKP3V120
轴向引线*
轴向引线*
轴向引线*
轴向引线*
轴向引线*
轴向引线*
轴向引线*
轴向引线*
航运
500单位/箱
500单位/箱
1500 /磁带&卷轴
1500 /磁带&卷轴
500单位/箱
500单位/箱
1500 /磁带&卷轴
1500 /磁带&卷轴
热特性
特征
热阻,结到铅
(引线长度= 3/8“ )
无铅焊锡温度
(引线长度
w
1/16“的情况下, 10秒最大)
符号
R
qJL
T
L
最大
15
260
单位
° C / W
°C
MKP3V120G
MKP3V120RL
MKP3V120RLG
MKP3V240
MKP3V240G
MKP3V240RL
MKP3V240RLG
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值(不
正常工作条件下),并同时无效。如果这些限制
超标,设备功能操作不暗示,可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
*有关我们的无铅战略和焊接细节,更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册, SOLDERRM / D 。
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司, 2006年
1
二月, 2006-第4版
出版订单号:
MKP3V120/D
MKP3V120 , MKP3V240
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明; ELECTRICALS应用在两个方向上)
特征
开关特性
重复峰值断态电流
( 50到60赫兹正弦波)
V
DRM
= 90 V
V
DRM
= 180 V
基本特征
导通电压,I
BO
= 200
mA
MKP3V120
MKP3V240
导通电流
峰值通态电压
(I
TM
= 1 A峰值,脉宽
300
女士,
占空比
2%)
动态保持电流
(正弦波, 60赫兹,R
L
= 100
W)
开关电阻
(正弦波, 50到60赫兹)
动态特性
爆击率-的高层通态电流,
临界阻尼电路波形
(I
PK
= 130
W,
脉冲宽度= 10
毫秒)
的di / dt
120
A / MS
I
BO
V
TM
I
H
R
S
V
BO
110
220
0.1
1.1
130
250
200
1.5
100
mA
V
mA
kW
V
I
DRM
MKP3V120
MKP3V240
10
mA
符号
典型值
最大
单位
SIDAC电压电流特性
(双向设备)
+电流
I
TM
I
H
I
S
I
DRM
V
S
I
(BO)
+电压
V
(BO)
V
TM
斜率= R
S
符号
I
DRM
V
DRM
V
BO
I
BO
I
H
V
TM
I
TM
参数
关闭状态漏泄电流
关机状态下重复阻断电压
击穿电压
导通电流
保持电流
导通电压
山顶上的当前状态
V
DRM
R
S
+
(V
(BO)
– V
S
)
(I
S
– I
(BO)
)
http://onsemi.com
2
MKP3V120 , MKP3V240
电流降额
TC ,最大允许外壳温度( C)
°
130
TA ,最大允许环境
温度(
°
C)
120
α
α
=导通角
T
J
额定= 125°C
α
140
120
100
80
60
40
20
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
a
= 180°
α
=导通角
T
J
额定= 125°C
110
100
90
80
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
a
= 180°
1.6
1.8
2.0
I
T( AV )
,通态平均电流(安培)
I
T( AV )
,通态平均电流(安培)
图1.最大外壳温度
图2.最高环境温度
1.0
0.8
0.6
0.4
0.3
0.2
25°C
125°C
PAV ,最大平均功耗(瓦)
I T ,瞬时通态电流( AMPS )
1.25
a
= 180°
α
α
=导通角
T
J
额定= 125°C
1.00
0.75
0.50
0.25
0.1
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
V
T
,瞬时导通电压(伏)
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
I
T( AV )
,通态平均电流(安培)
图3.典型正向电压
图4.典型功耗
http://onsemi.com
3
MKP3V120 , MKP3V240
热特性
R(T ) ,瞬态热阻(标准化)
1.0
0.5
0.3
0.2
0.1
0.05
0.03
0.02
0.01
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
吨,时间( ms)的
100
200
500
1.0 k
Z
qJL
(吨) = R
qJL
R( t)的
DT
JL
= P
pk
R
qJL
[ R(T ) ]
t
p
时间
其中:
DT
JL
=增加的结点温度以上的
焊接温度
R(T ) =瞬态热阻标准值
时间,从该图吨。例如,
R(T
p
)=归一化值
在时间t的瞬时性
p
.
引线长度 -
1
/
4
引线的温度应
使用热电偶放置在测
铅尽可能接近的连接点。该
连接到所述连接点的热质
通常足够大,使得它不会
显著反应热产生的浪涌
在二极管作为脉冲操作的结果
一旦稳定状态条件得以实现。
使用T的测量值
L
时,结
温度可以通过确定:
T
J
= T
L
+
DT
JL
2.0 k
5.0 k
10 k
20 k
图5.热响应
典型特征
100
我( BO ) ,导通电流(
m
A)
90
IH ,保持电流(毫安)
80
70
60
50
40
30
20
10
0
60
40
20
0
20
40
60
80
100
120
140
250
225
200
175
150
125
100
75
50
25
0
60
40
20
0
20
40
60
80
100
120 140
T
J
,结温( ° C)
T
J
,结温( ° C)
图6.典型击穿电流
图7.典型的保持电流
http://onsemi.com
4
MKP3V120 , MKP3V240
包装尺寸
轴向引线
CASE 267-05
ISSUE摹
K
D
1
A
2
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3. 267-04陈旧,新标准267-05 。
英寸
最大
0.287
0.374
0.189
0.209
0.047
0.051
1.000
没有极性
MILLIMETERS
最大
7.30
9.50
4.80
5.30
1.20
1.30
25.40
B
K
暗淡
A
B
D
K
方式2 :
安森美半导体
是半导体元件工业,LLC ( SCILLC )的注册商标。 SCILLC保留随时更改,恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保,声明或保证,也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用,并特别声明,任何和所有责任,包括但不限于特殊,间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格,可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数,包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计,意,或授权用作系统组件用于外科植入到体内,或其他应用程序
旨在支持或维持生命,或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿并SCILLC及其高级人员,雇员,子公司,关联公司,
和分销商对所有索赔,费用,损失,费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关,即使此类索赔称, SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律,并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行:
N.美国技术支持:
免费电话800-282-9855
安森美半导体文学配送中心
美国/加拿大
P.O. 61312盒,凤凰城,亚利桑那州85082-1312 USA
电话:
480-829-7710或800-344-3860免费电话美国/加拿大
日本:
安森美半导体,日本顾客焦点中心
2-9-1 Kamimeguro ,目黑区,东京,日本153-0051
传真:
480-829-7709或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电话:
81357733850
电子邮件:
orderlit@onsemi.com
安森美半导体网站:
http://onsemi.com
为了文学:
http://www.onsemi.com/litorder
有关更多信息,请联系您
当地销售代表。
http://onsemi.com
5
MKP3V120/D
MKP3V120 , MKP3V240
首选设备
SIDAC高压
双向触发
设计用于直接接口与交流电源双向器件
线。一旦达到击穿电压在每个方向上,所述装置
开关从截止状态到接通状态的低电压。导
会继续像一个三端双向可控硅,直到主端电流降至低于
保持电流。轴向引线封装在塑料具有高脉冲
以低成本电流能力。玻璃钝化保证可靠
操作。应用:
高压钠蒸气灯
闪光灯和闪光
点火器
高电压稳压器
脉冲发生器
用于触发可控硅和双向可控硅的门
表示UL注册 - 文件号E116110
器件标识:标识,设备类型,例如, MKP3V120 ,日期代码
最大额定值
( TJ = 25° C除非另有说明)
等级
重复峰值断态电压
(正弦波, 50到60赫兹,
TJ = - 40 125°C )
MKP3V120
MKP3V240
开启状态RMS电流
( TL = 80 ° C,引线长度= 3/8 “ ,
所有的导通角)
峰值不重复浪涌电流
( 60赫兹一个周期的正弦波,
峰值, TJ = 125°C )
工作结温范围
存储温度范围
符号
VDRM ,
VRRM
价值
单位
http://onsemi.com
SIDACS ( )
1安培RMS
120和240伏
MT1
MT2
IT ( RMS )
& QUOT ;
90
& QUOT ;
180
& QUOT ;
1.0
& QUOT ;
20
- 40
+125
- 40
+150
AMP
Surmetic 50
塑料推力
(无极)
案例267
方式2
ITSM
安培
订购信息
°C
°C
设备
MKP3V120
Surmetic 50
航运
散装500元/袋
磁带和卷轴
1.5K/Reel
散装500元/袋
磁带和卷轴
1.5K/Reel
TJ
TSTG
MKP3V120RL SURMETIC 50
MKP3V240
Surmetic 50
MKP3V240RL SURMETIC 50
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司, 2000
1
2000年5月 - 第3版
出版订单号:
MKP3V120/D
MKP3V120 , MKP3V240
热特性
特征
热阻,结领导
(引线长度= 3/8“ )
无铅焊锡温度
(引线长度
1/16“的情况下, 10秒最大)
符号
R
θJL
TL
最大
15
260
单位
° C / W
°C
w
电气特性
( TC = 25 ° C除非另有说明; ELECTRICALS适用于两个方向)
特征
符号
典型值
最大
单位
开关特性
重复峰值断态电流
( 50到60赫兹正弦波)
VDRM = 90 V
VDRM = 180 V
IDRM
MKP3V120
MKP3V240
10
A
基本特征
击穿电压, IBO = 200
A
MKP3V120
MKP3V240
导通电流
峰值通态电压
( ITM = 1 A峰值,脉宽
300
s,
占空比
2%)
动态保持电流
(正弦波, 60赫兹, RL = 100
)
开关电阻
(正弦波, 50到60赫兹)
IBO
VTM
IH
RS
VBO
110
220
0.1
1.1
130
250
200
1.5
100
A
mA
k
动态特性
爆击率-的高层通态电流,
临界阻尼电路波形
( IPK = 130安培,脉冲宽度= 10
微秒)
的di / dt
120
A / μs的
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2
MKP3V120 , MKP3V240
SIDAC电压电流特性
(双向设备)
+电流
ITM
IH
IS
IDRM
VS
我(BO)
+电压
V( BO )
– V
S
)
VTM
斜率= RS
符号
IDRM
VDRM
VBO
IBO
IH
VTM
ITM
参数
关闭状态漏泄电流
关机状态下重复阻断电压
击穿电压
导通电流
保持电流
导通电压
山顶上的当前状态
VDRM
R
S
+
(V
(I
(BO)
S
– I
(BO)
)
电流降额
TC ,最大允许外壳温度(
°
C)
130
TA ,最大允许环境
温度(
°
C)
120
α
α
=导通角
额定TJ = 125°C
α
140
120
100
80
60
40
20
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
α
=导通角
额定TJ = 125°C
110
100
a
= 180°
90
80
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
a
= 180°
1.6
1.8
2.0
IT ( AV )通态平均电流(安培)
IT ( AV )通态平均电流(安培)
图1.最大外壳温度
图2.最高环境温度
1.0
0.8
0.6
0.4
0.3
0.2
25°C
125°C
PAV ,最大平均功耗(瓦)
I T ,瞬时通态电流( AMPS )
1.25
a
= 180°
α
α
=导通角
额定TJ = 125°C
1.00
0.75
0.50
0.25
0.1
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
VT ,瞬时导通电压(伏)
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
IT ( AV )通态平均电流(安培)
图3.典型正向电压
图4.典型功耗
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3
MKP3V120 , MKP3V240
热特性
R(T ) ,瞬态热阻(标准化)
1.0
0.5
0.3
0.2
0.1
0.05
0.03
0.02
0.01
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
吨,时间( ms)的
100
200
500
1.0 k
Z
q
JL (吨) = R
q
JL
R( t)的
D
TJL = Ppk的
q
JL [ R(T ) ]
tp
时间
其中:
D
TJL =增加的结点温度以上
焊接温度
R(T ) =瞬态热阻标准值
时间,从该图吨。例如,
R( TP ) =归一化值
在时间tp短暂性。
导线长度= 1/4
引线的温度应
使用热电偶放置在测
铅尽可能接近的连接点。该
连接到所述连接点的热质
通常足够大,使得它不会
显著反应热产生的浪涌
在二极管作为脉冲操作的结果
一旦稳定状态条件得以实现。
采用TL的测量值,其结
温度可以通过确定:
TJ = TL +
D
TJL
2.0 k
5.0 k
10 k
20 k
图5.热响应
典型特征
100
90
我( BO ) ,导通电流(
m
A)
IH ,保持电流(毫安)
80
70
60
50
40
30
20
10
0
–60
–40
–20
0
20
40
60
80
100
120
140
250
225
200
175
150
125
100
75
50
25
0
–60
–40
–20
0
20
40
60
80
100
120 140
TJ ,结温( ° C)
TJ ,结温( ° C)
图6.典型击穿电流
图7.典型的保持电流
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4
MKP3V120 , MKP3V240
包装尺寸
Surmetic 50
塑料推力
(无极)
案例267-03
版本D
K
D
1
A
2
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
暗淡
A
B
D
K
英寸
最大
0.370
0.380
0.190
0.210
0.048
0.052
1.000
–––
没有极性
MILLIMETERS
最大
9.40
9.65
4.83
5.33
1.22
1.32
25.40
–––
B
K
方式2 :
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5
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