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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第2411页 > MKP1V130RL
MKP1V120系列
首选设备
SIDAC高压
双向触发
设计用于直接接口与交流电源双向器件
线。一旦达到击穿电压在每个方向上，所述装置
开关从截止状态到接通状态的低电压。导
会继续像一个三端双向可控硅，直到主端电流降至低于
保持电流。轴向引线封装在塑料具有高脉冲
以低成本电流能力。玻璃钝化保证可靠
操作。应用：
http://onsemi.com
高压钠蒸气灯
闪光灯和闪光
点火器
高电压稳压器
脉冲发生器
用于触发可控硅和双向可控硅的门
表示UL注册 - 文件号E116110
器件标识：标识，设备类型，例如， MKP1V120 ，日期代码
SIDACS （ ）
0.9 AMPS RMS
120 240 V
MT1
MT2
记号
图
MKP
1V1xx0
AYYW
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
重复峰值断态电压
（正弦波， 50到60赫兹，
T
J
= - 40 125 ℃）的
MKP1V120 ， MKP1V130 ， MKP1V160
MKP1V240
通态电流有效值
(T
L
= 80 ° C，引线长度= 3/8 “ ，
所有的导通角）
峰值不重复浪涌电流
（ 60赫兹一个周期的正弦波，
T
J
= 125°C)
工作结温范围
存储温度范围
符号
V
DRM
,
V
RRM
"90
"180
I
T（ RMS ）
"0.9
A
价值
单位
V
轴向引线
CASE 59-10
DO41
塑料
xx
A
YY
W
= 12，13， 16或24个
=大会地点
=年
=工作周
I
TSM
"4.0
A
T
J
T
英镑
-40到+125
-40到+150
°C
°C
订购信息
设备
MKP1V120RL
MKP1V130RL
MKP1V160
MKP1V160RL
MKP1V240
MKP1V240RL
包
DO41
DO41
DO41
DO41
DO41
DO41
航运
5000磁带&卷轴
5000磁带&卷轴
1000单位/散装
5000磁带&卷轴
1000单位/散装
5000磁带&卷轴
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年9月 - 修订版6
出版订单号：
MKP1V120/D
MKP1V120系列
热特性
特征
热阻，结到铅
引线长度= 3/8 “
无铅焊锡温度
（引线长度
w
1/16“的情况下， 10秒最大）
符号
R
qJL
T
L
最大
40
260
单位
° C / W
°C
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明; ELECTRICALS应用在两个方向上）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
重复峰值断态电流
T
J
= 25°C
（ 50到60赫兹正弦波）
V
DRM
= 90 V， MKP1V120 ， MKP1V130和MKP1V160
V
DRM
= 180 V， MKP1V240
I
DRM
5.0
mA
基本特征
击穿电压
I
BO
= 35
mA
35
mA
200
mA
35
mA
V
BO
MKP1V120
MKP1V130
MKP1V160
MKP1V240
V
TM
I
H
R
S
110
120
150
220
0.1
130
140
170
250
1.5
100
伏
mA
kW
伏
峰值通态电压
(I
TM
= 1 A峰值，脉宽
≤
300
女士，
占空比
≤
2%)
动态保持电流
（正弦波， 50到60赫兹，R
L
= 100欧姆）
开关电阻
（正弦波， 50到60赫兹）
1.3
动态特性
爆击率-的高层通态电流，
临界阻尼电路波形
(I
PK
= 130安培，脉冲宽度= 10
毫秒）
的di / dt
120
A / MS
http://onsemi.com
2
MKP1V120系列
SIDAC电压电流特性
（双向设备）
+电流
I
TM
I
H
I
S
I
DRM
V
S
I
（BO）
+电压
V
（BO）
V
TM
斜率= R
S
符号
I
DRM
V
DRM
V
BO
I
BO
I
H
V
TM
I
TM
参数
关闭状态漏泄电流
关机状态下重复阻断电压
击穿电压
导通电流
保持电流
导通电压
山顶上的当前状态
V
DRM
R
S
+
(V
（BO）
– V
S
)
(I
S
– I
（BO）
)
TL ，最大允许焊接温度（
°
C)
140
3
/
″
8
3
/
″
8
1.0
IT （ RMS ） ，通态电流（ AMPS ）
T
L
T
J
= 125°C
正弦波
导通角= 180℃
组装PCB
引线长度 -
3
/
8
″
130
120
110
100
90
80
70
60
50
40
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0.8
T
J
= 125°C
正弦波
导通角= 180℃
0.6
0.4
0.2
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
0
20
40
60
80
100
120
140
I
T（ RMS ）
，通态电流（ AMPS ）
T
A
，最高环境温度（ ° C）
图1.最大的铅温度
I T ，瞬时通态电流（ AMPS ）
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
0
T
J
= 25°C
125°C
1.25
PRMS ，功耗（瓦）
图2.最高环境温度
1.00
T
J
= 25°C
导通角= 180℃
0.75
0.50
0.25
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
T
，瞬时导通电压（伏）
I
T（ RMS ）
，通态电流（ AMPS ）
图3.典型通态电压
图4.典型功耗
热特性
http://onsemi.com
3
MKP1V120系列
R（T ） ，瞬态热阻（标准化）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
Z
qJL
（吨） = R
qJL
R（ t）的
DT
JL
= P
pk
R
qJL
[ R（T ） ]
t
p
时间
其中：
DT
JL
=增加的结点温度以上的
焊接温度
R（T ） =瞬态热阻标准值
时间，从该图吨。例如，
R（T
p
）=瞬时电阻的在时间t的归一化值
p
.
5.0
10
20
吨，时间（ ms）的
50
100
200
引线的温度应
使用热电偶放置在测
铅尽可能接近的连接点。该
连接到所述连接点的热质
通常足够大，使得它不会
显著反应热产生的浪涌
在二极管作为脉冲操作的结果
一旦稳定状态条件得以实现。
使用T的测量值
L
时，结
温度可以通过确定：
T
J
= T
L
+
DT
JL
500
1.0 k
2.0 k
5.0 k
10 k
图5.热响应
VBO ，击穿电压（归）
1.4
IH ，保持电流（归一化）
1.0
1.2
1.0
0.9
0.8
0.6
0.4
60
0.8
60
40
20
0
20
40
60
80
100
120
140
40
20
0
20
40
60
80
100
120
140
T
J
，结温（ ° C）
T
J
，结温（ ° C）
图6.典型击穿电压
图7.典型的保持电流
100
IPK ，峰值电流（安培）
10
I
PK
10%
tw
1.0
0.1
1.0
t
w
，脉冲宽度（毫秒）
10
100
图8.脉冲额定值曲线
http://onsemi.com
4
MKP1V120系列
包装尺寸
DO41
塑料推力
（无极）
案例059A -01
发出
B
K
F
D
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3. 59-04陈旧，新标准59-09 。
4. 59-03陈旧，新标准59-10 。
5.所有规则和注意事项与相关的
JEDEC DO- 41外形应适用
6.极性表示由阴极频带。
7.铅直径不可控WITHIN F
DIMENSION 。
暗淡
A
B
D
F
K
英寸
民
最大
0.161
0.205
0.079
0.106
0.028
0.034
0.050
1.000
MILLIMETERS
民
最大
4.10
5.20
2.00
2.70
0.71
0.86
1.27
25.40
A
F
K
http://onsemi.com
5
MKP1V120系列
首选设备
SIDAC高压
双向触发
设计用于直接接口与交流电源双向器件
线。一旦达到击穿电压在每个方向上，所述装置
开关从截止状态到接通状态的低电压。导
会继续像一个三端双向可控硅，直到主端电流降至低于
保持电流。轴向引线封装在塑料具有高脉冲
以低成本电流能力。玻璃钝化保证可靠
操作。
特点
http://onsemi.com
SIDACS （ ）
0.9安培RMS
120 - 240伏
高压钠蒸气灯
闪光灯和闪光
点火器
高电压稳压器
脉冲发生器
用于触发可控硅和双向可控硅的门
表示UL注册 - 文件号E116110
这些无铅器件*
MT1
MT2
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
符号
价值
单位
V
"90
"180
"0.9
"4.0
-40到+125
-40到+150
A
A
重复峰值断态电压
V
DRM
,
（正弦波， 50到60赫兹，T
J
= - 40 125℃ ）V
RRM
MKP1V120 ， MKP1V130 ， MKP1V160
MKP1V240
通态电流有效值（T
L
= 80°C,
引线长度= 3/8 “ ，所有的导通角）
峰值不重复浪涌电流
（ 60赫兹一个周期的正弦波，T
J
= 125°C)
工作结温范围
存储温度范围
I
T（ RMS ）
I
TSM
T
J
T
英镑
轴向引线
CASE 59
方式2
标记图
°C
°C
A
MKP
1Vxx0
YYWW
G
G
热特性
特征
热阻，结到铅
引线长度= 3/8 “
无铅焊锡温度
（引线长度
w
1/16“的情况下， 10秒最大）
符号
R
qJL
T
L
最大
40
260
单位
° C / W
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
A
=大会地点
MKP1Vxx0 =设备号
X = 12，13， 16或24个
YY
=年
WW
=工作周
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
查看详细的订购和发货信息第2页
此数据表。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年10月 - 10牧师
出版订单号：
MKP1V120/D
MKP1V120系列
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明; ELECTRICALS应用在两个方向上）
特征
开关特性
重复峰值断态电流T
J
= 25°C
（ 50到60赫兹正弦波）
V
DRM
= 90 V， MKP1V120 ， MKP1V130和MKP1V160
V
DRM
= 180 V， MKP1V240
基本特征
击穿电压
I
BO
= 35
mA
MKP1V120
35
mA
MKP1V130
200
mA
MKP1V160
35
mA
MKP1V240
峰值通态电压
(I
TM
= 1 A峰值，脉宽
≤
300
女士，
占空比
≤
2%)
动态保持电流
（正弦波， 50到60赫兹，R
L
= 100欧姆）
开关电阻
（正弦波， 50到60赫兹）
动态特性
爆击率-的高层通态电流，
临界阻尼电路波形
(I
PK
= 130安培，脉冲宽度= 10
毫秒）
的di / dt
120
A / MS
V
BO
110
120
150
220
V
TM
I
H
R
S
0.1
1.3
130
140
170
250
1.5
100
V
mA
kW
V
I
DRM
5.0
mA
符号
民
典型值
最大
单位
订购信息
设备
MKP1V120RL
MKP1V120RLG
MKP1V130RL
MKP1V130RLG
MKP1V160
MKP1V160G
MKP1V160RL
MKP1V160RLG
MKP1V240
MKP1V240G
MKP1V240RL
MKP1V240RLG
包*
DO- 41轴向引线
DO- 41轴向引线
DO- 41轴向引线
DO- 41轴向引线
DO- 41轴向引线
DO- 41轴向引线
DO- 41轴向引线
DO- 41轴向引线
DO- 41轴向引线
DO- 41轴向引线
DO- 41轴向引线
DO- 41轴向引线
航运
5000 /磁带&卷轴
5000 /磁带&卷轴
5000 /磁带&卷轴
5000 /磁带&卷轴
1000单位/散装
1000单位/散装
5000 /磁带&卷轴
5000 /磁带&卷轴
1000单位/散装
1000单位/散装
5000 /磁带&卷轴
5000 /磁带&卷轴
*这个包本身是无铅。
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
2
MKP1V120系列
SIDAC电压电流特性
（双向设备）
+电流
I
TM
I
H
I
S
I
DRM
V
S
I
（BO）
+电压
V
（BO）
V
TM
斜率= R
S
符号
I
DRM
V
DRM
V
BO
I
BO
I
H
V
TM
I
TM
参数
关闭状态漏泄电流
关机状态下重复阻断电压
击穿电压
导通电流
保持电流
导通电压
山顶上的当前状态
V
DRM
R
S
+
(V
（BO）
– V
S
)
(I
S
– I
（BO）
)
TL ，最大允许焊接温度（
°
C)
140
IT （ RMS ） ，通态电流（ AMPS ）
130
120
110
100
90
80
70
60
50
40
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
T
J
= 125°C
正弦波
导通角= 180℃
T
L
3
/
″
8
3
/
″
8
1.0
T
J
= 125°C
正弦波
导通角= 180℃
组装PCB
引线长度 -
3
/
8
″
0.8
0.6
0.4
0.2
0
20
40
60
80
100
120
140
I
T（ RMS ）
，通态电流（ AMPS ）
T
A
，最高环境温度（ ° C）
图1.最大的铅温度
图2.最高环境温度
I T ，瞬时通态电流（ AMPS ）
PRMS ，功耗（瓦）
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
T
J
= 25°C
125°C
1.25
T
J
= 25°C
导通角= 180℃
1.00
0.75
0.50
0.25
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
T
，瞬时导通电压（伏）
I
T（ RMS ）
，通态电流（ AMPS ）
图3.典型通态电压
图4.典型功耗
http://onsemi.com
3
MKP1V120系列
热特性
R（T ） ，瞬态热阻（标准化）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
Z
qJL
（吨） = R
qJL
R（ t）的
DT
JL
= P
pk
R
qJL
[ R（T ） ]
t
p
时间
其中：
DT
JL
=增加的结点温度以上的
焊接温度
R（T ） =瞬态热阻标准值
时间，从该图吨。例如，
R（T
p
）=瞬时电阻的在时间t的归一化值
p
.
5.0
10
20
吨，时间（ ms）的
50
100
200
引线的温度应
使用热电偶放置在测
铅尽可能接近的连接点。该
连接到所述连接点的热质
通常足够大，使得它不会
显著反应热产生的浪涌
在二极管作为脉冲操作的结果
一旦稳定状态条件得以实现。
使用T的测量值
L
时，结
温度可以通过确定：
T
J
= T
L
+
DT
JL
500
1.0 k
2.0 k
5.0 k
10 k
图5.热响应
VBO ，击穿电压（归）
1.4
IH ，保持电流（归一化）
1.0
1.2
1.0
0.9
0.8
0.6
0.4
60
0.8
60
40
20
0
20
40
60
80
100
120
140
40
20
0
20
40
60
80
100
120
140
T
J
，结温（ ° C）
T
J
，结温（ ° C）
图6.典型击穿电压
图7.典型的保持电流
100
IPK ，峰值电流（安培）
10
I
PK
10%
tw
1.0
0.1
1.0
t
w
，脉冲宽度（毫秒）
10
100
图8.脉冲额定值曲线
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4
MKP1V120系列
包装尺寸
轴向引线
CASE 59-10
ISSUE ü
B
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.所有规则和注意事项与相关的
JEDEC DO- 41外形应适用
4.极性表示由阴极频带。
5.铅直径不可控WITHIN F
DIMENSION 。
K
F
D
A
极性检测指示灯
根据系统需要可选
（见样式）
F
K
暗淡
A
B
D
F
K
英寸
民
最大
0.161 0.205
0.079 0.106
0.028 0.034
0.050
1.000
MILLIMETERS
民
最大
4.10
5.20
2.00
2.70
0.71
0.86
1.27
25.40
方式2 ：
没有极性
安森美半导体
和
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5
MKP1V120/D
MKP1V120系列
首选设备
SIDAC高压
双向触发
设计用于直接接口与交流电源双向器件
线。一旦达到击穿电压在每个方向上，所述装置
开关从截止状态到接通状态的低电压。导
会继续像一个三端双向可控硅，直到主端电流降至低于
保持电流。轴向引线封装在塑料具有高脉冲
以低成本电流能力。玻璃钝化保证可靠
操作。应用：
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高压钠蒸气灯
闪光灯和闪光
点火器
高电压稳压器
脉冲发生器
用于触发可控硅和双向可控硅的门
表示UL注册 - 文件号E116110
器件标识：标识，设备类型，例如， MKP1V120 ，日期代码
SIDACS （ ）
0.9 AMPS RMS
120 240 V
MT1
MT2
记号
图
MKP
1V1xx0
AYYW
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
重复峰值断态电压
（正弦波， 50到60赫兹，
T
J
= - 40 125 ℃）的
MKP1V120 ， MKP1V130 ， MKP1V160
MKP1V240
通态电流有效值
(T
L
= 80 ° C，引线长度= 3/8 “ ，
所有的导通角）
峰值不重复浪涌电流
（ 60赫兹一个周期的正弦波，
T
J
= 125°C)
工作结温范围
存储温度范围
符号
V
DRM
,
V
RRM
"90
"180
I
T（ RMS ）
"0.9
A
价值
单位
V
轴向引线
CASE 59-10
DO41
塑料
xx
A
YY
W
= 12，13， 16或24个
=大会地点
=年
=工作周
I
TSM
"4.0
A
T
J
T
英镑
-40到+125
-40到+150
°C
°C
订购信息
设备
MKP1V120RL
MKP1V130RL
MKP1V160
MKP1V160RL
MKP1V240
MKP1V240RL
包
DO41
DO41
DO41
DO41
DO41
DO41
航运
5000磁带&卷轴
5000磁带&卷轴
1000单位/散装
5000磁带&卷轴
1000单位/散装
5000磁带&卷轴
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年9月 - 修订版6
出版订单号：
MKP1V120/D
MKP1V120系列
热特性
特征
热阻，结到铅
引线长度= 3/8 “
无铅焊锡温度
（引线长度
w
1/16“的情况下， 10秒最大）
符号
R
qJL
T
L
最大
40
260
单位
° C / W
°C
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明; ELECTRICALS应用在两个方向上）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
重复峰值断态电流
T
J
= 25°C
（ 50到60赫兹正弦波）
V
DRM
= 90 V， MKP1V120 ， MKP1V130和MKP1V160
V
DRM
= 180 V， MKP1V240
I
DRM
5.0
mA
基本特征
击穿电压
I
BO
= 35
mA
35
mA
200
mA
35
mA
V
BO
MKP1V120
MKP1V130
MKP1V160
MKP1V240
V
TM
I
H
R
S
110
120
150
220
0.1
130
140
170
250
1.5
100
伏
mA
kW
伏
峰值通态电压
(I
TM
= 1 A峰值，脉宽
≤
300
女士，
占空比
≤
2%)
动态保持电流
（正弦波， 50到60赫兹，R
L
= 100欧姆）
开关电阻
（正弦波， 50到60赫兹）
1.3
动态特性
爆击率-的高层通态电流，
临界阻尼电路波形
(I
PK
= 130安培，脉冲宽度= 10
毫秒）
的di / dt
120
A / MS
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2
MKP1V120系列
SIDAC电压电流特性
（双向设备）
+电流
I
TM
I
H
I
S
I
DRM
V
S
I
（BO）
+电压
V
（BO）
V
TM
斜率= R
S
符号
I
DRM
V
DRM
V
BO
I
BO
I
H
V
TM
I
TM
参数
关闭状态漏泄电流
关机状态下重复阻断电压
击穿电压
导通电流
保持电流
导通电压
山顶上的当前状态
V
DRM
R
S
+
(V
（BO）
– V
S
)
(I
S
– I
（BO）
)
TL ，最大允许焊接温度（
°
C)
140
3
/
″
8
3
/
″
8
1.0
IT （ RMS ） ，通态电流（ AMPS ）
T
L
T
J
= 125°C
正弦波
导通角= 180℃
组装PCB
引线长度 -
3
/
8
″
130
120
110
100
90
80
70
60
50
40
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0.8
T
J
= 125°C
正弦波
导通角= 180℃
0.6
0.4
0.2
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
0
20
40
60
80
100
120
140
I
T（ RMS ）
，通态电流（ AMPS ）
T
A
，最高环境温度（ ° C）
图1.最大的铅温度
I T ，瞬时通态电流（ AMPS ）
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
0
T
J
= 25°C
125°C
1.25
PRMS ，功耗（瓦）
图2.最高环境温度
1.00
T
J
= 25°C
导通角= 180℃
0.75
0.50
0.25
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
T
，瞬时导通电压（伏）
I
T（ RMS ）
，通态电流（ AMPS ）
图3.典型通态电压
图4.典型功耗
热特性
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3
MKP1V120系列
R（T ） ，瞬态热阻（标准化）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
Z
qJL
（吨） = R
qJL
R（ t）的
DT
JL
= P
pk
R
qJL
[ R（T ） ]
t
p
时间
其中：
DT
JL
=增加的结点温度以上的
焊接温度
R（T ） =瞬态热阻标准值
时间，从该图吨。例如，
R（T
p
）=瞬时电阻的在时间t的归一化值
p
.
5.0
10
20
吨，时间（ ms）的
50
100
200
引线的温度应
使用热电偶放置在测
铅尽可能接近的连接点。该
连接到所述连接点的热质
通常足够大，使得它不会
显著反应热产生的浪涌
在二极管作为脉冲操作的结果
一旦稳定状态条件得以实现。
使用T的测量值
L
时，结
温度可以通过确定：
T
J
= T
L
+
DT
JL
500
1.0 k
2.0 k
5.0 k
10 k
图5.热响应
VBO ，击穿电压（归）
1.4
IH ，保持电流（归一化）
1.0
1.2
1.0
0.9
0.8
0.6
0.4
60
0.8
60
40
20
0
20
40
60
80
100
120
140
40
20
0
20
40
60
80
100
120
140
T
J
，结温（ ° C）
T
J
，结温（ ° C）
图6.典型击穿电压
图7.典型的保持电流
100
IPK ，峰值电流（安培）
10
I
PK
10%
tw
1.0
0.1
1.0
t
w
，脉冲宽度（毫秒）
10
100
图8.脉冲额定值曲线
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4
MKP1V120系列
包装尺寸
DO41
塑料推力
（无极）
案例059A -01
发出
B
K
F
D
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3. 59-04陈旧，新标准59-09 。
4. 59-03陈旧，新标准59-10 。
5.所有规则和注意事项与相关的
JEDEC DO- 41外形应适用
6.极性表示由阴极频带。
7.铅直径不可控WITHIN F
DIMENSION 。
暗淡
A
B
D
F
K
英寸
民
最大
0.161
0.205
0.079
0.106
0.028
0.034
0.050
1.000
MILLIMETERS
民
最大
4.10
5.20
2.00
2.70
0.71
0.86
1.27
25.40
A
F
K
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5
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