MK5811A
低EMI时钟发生器
在该方程中，C
L
是晶体的负载电容。为
例如，具有16 pF负载电容的用途的晶体
两个20 pF的〔 （ 16-6 ）×2 〕电容器。
调制
吃
扩频简介
该MK5811A是用一个低EMI时钟发生器
优化的频率转换率的算法，以方便
零延迟缓冲器和其它下游跟踪
PLL器件。
频率
时间
绝对最大额定值
上面讲下面列出的收视率可能会导致对MK5811A永久性损坏。这些评价，
这对于ICS商业额定零件标准值，只是应力额定值。功能操作
设备，在这些或任何其他条件，上述那些的业务部门所标明
规格是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间可以
影响产品的可靠性。电气参数只能在推荐工作保障
温度范围。
项
电源电压（VDD）
所有输入和输出
工作环境温度
储存温度
结温
焊接温度
7V
等级
-0.5 V至VDD + 0.5 V
0到+ 85C
-65到+ 150°C
125°C
260°C
推荐工作条件
参数
工作环境温度
电源电压（相对于GND测量）
分钟。
0
+3.0
典型值。
马克斯。
+85
3.63
单位
°C
V
MDS 5811A一
集成电路系统公司
4
525马街，圣何塞，加利福尼亚95126
电话：（ 408 ） 297-1201
修订版091205
www.icst.com
MK5811A
低EMI时钟发生器
DC电气特性
除非另有说明，否则
VDD = 3.3V ± 10 ％ ，
环境温度0 + 85°C
参数
工作电压
电源电流
符号
VDD
国际直拨电话
条件
无负载，电压为3.3 V ，翅= 12 MHz的
无负载，电压为3.3 V ，翅= 24 MHz的
无负载，电压为3.3 V ，翅= 32 MHz的
分钟。
3.0
典型值。
3.3
23
马克斯。
3.63
25
30
35
单位
V
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
输入高电压
输入电压中
输入低电压
输出高电压
输出高电压
输出低电压
输入电容
额定输出
阻抗
V
IH
V
IHM
V
IL
V
OH
V
OH
V
OL
C
IN1
C
IN2
Z
O
CMOS ，我
OH
= 12毫安
I
OH
= 24毫安
I
OL
= -12毫安
I
OL
= -24毫安
S0，S1， FRSEL销
X1 ， X2引脚
0.85VDD
0.4VDD
0.0
2.4
2.0
VDD
0.5VDD
0.0
VDD
0.6VDD
0.15VDD
0.4
1.2
4
6
30
6
9
V
V
pF
pF
AC电气特性
除非另有说明，否则
VDD = 3.3V ± 10 ％ ，
环境温度0 + 85°C ，C
L
= 15 pF的
参数
输入时钟频率
输出时钟频率
输入时钟的占空比
输出时钟占空比
周期到周期抖动
1
周期到周期抖动
1
输出上升时间
输出下降时间
EMI峰值频率降低
注1 ：传播已启用。
符号
条件
分钟。
4
4
典型值。
MAX 。单位
32
32
60
兆赫
兆赫
%
%
ps
ps
ns
ns
dB
时间高于VDD / 2
时间高于1.5 V
鱼翅= 4MHz时，的F out = 4兆赫
鱼翅= 8MHz的，的F out = 8 MHz的
t
R
t
F
0.4 2.4 V
2.4 0.4 V
40
45
50
350
250
1.2
1.2
8至16
55
800
450
MDS 5811A一
集成电路系统公司
5
525马街，圣何塞，加利福尼亚95126
电话：（ 408 ） 297-1201
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