MK3711
L
OW
C
OST
8 - 16 MH
Z
3.3 V
OLT
VCXO
描述
该MK3711系列器件包括原
MK3711S ， MK3711A ，而新MK3711B和
MK3711D 。该MK3711D和MK3711B是投递
替代的MK3711S和MK3711A设备。
相比于这些早期的设备和MK3711D
MK3711B提供了更宽的工作频率范围和
改进的电源噪声抑制。
该MK3711系列结合了VCXO的功能
（压控晶体振荡器）和PLL （相位
锁相环）频率倍增到单一芯片上。
用于与一个外部可牵引的石英
水晶，这种单片集成电路取代更多
昂贵的混合动力（罐头）， VCXO器件。该MK3711是
主要设计用于数据和时钟恢复
高端产品如ADSL中的应用
调制解调器，机顶盒的接收器，和电信系统。
该MK3711D表现出温和的VCXO增益
120ppm / V典型的，具有高品质的使用时，
外部可牵引的石英晶体。该MK3711B提供
150ppm的音频/视频的更高的VCXO增益，类似于早期
MK3711A 。的较高内在收益VCXO
MK3711C可以帮助补偿减少
在一些使用低质量的晶体pullability
应用程序。然而，较高的VCXO增益也可能
提高时钟输出的相位噪声。
片上VCXO的频率由一个调节
外部控制电压输入引脚VIN 。由于VIN是
高阻抗输入端，它可以被直接驱动，从
一个PWM RC积分电路。频率输出
增加了与VIN电压输入。可使用范围的
VIN为0 3V 。
特点
MK3711D和MK3711B是直接替代
对于早前MK3711S和MK3711A设备
MK3711D和MK3711B提供24-36 MHz的输出
频率范围（输出频率= 2X水晶
频率）和改进的电源噪声
拒绝
使用廉价的12至18 MHz的外部晶振
非常适合使用17.664 MHz的ADSL应用
外部可牵引晶振来产生锁定35.328
MHz时钟的物理层时钟
非常适合使用13.5 MHz的机顶盒应用
外部可牵引晶振来产生锁定27兆赫
时钟传输视频时钟
片上VCXO具有± 115的保拉范围
ppm的最小（ MK3711D ）
VCXO的调谐电压0 3.3 V
封装在8引脚SOIC （ 150密耳宽）
MK3711D推荐用于新设计
框图
V D D
V在
8 -1 6 M·H
P ü LLA B乐
RY的TA升
X 1
X 2
V LTA克é
0：N卓LLE
RY的TA升
S·C Illa的于r
8 -1 6 M·H
G N
MDS 3711 F
在tegr ated ℃红外立方米的这的YST EMS
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1
5月25日镭CE海峡EET ，圣何塞， C A 95 126
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电话：（ 408 ） 2 95-9 800
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WWW 。 I C S T 。 OM
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VCXO
引脚分配
X1
VDD
VIN
GND
1
2
3
4
MK3711S
MK3711A
MK3711B
MK3711D
8引脚（ 150 mil）的SOIC
8
7
6
5
X2
DC
REF
DC
引脚说明
针
数
1
2
3
4
5
6
7
8
针
名字
XI
VDD
VIN
GND
DC
REF
DC
X2
针
TYPE
输入
动力
输入
动力
--
产量
--
输入
引脚说明
水晶连接。连接到外部可牵引的晶体。
连接到+ 3.3V （ 0.01uF的去耦电容推荐） 。
电压输入VCXO - 0 3.3 V模拟输入用于控制
VCXO的振荡频率。
连接到地面。
不要以任何方式连接到该引脚。
VCXO， CMOS电平时钟输出的标称频率相匹配
水晶。
不要以任何方式连接到该引脚。
水晶连接。连接到外部可牵引的晶体。
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VCXO
外部元件的选择
的MK3711需要外部的最小数量
组件正常工作。
对于13.5兆赫和16MHz的晶体之间的频率，
标称晶体负载电容规格
应该是14pF 。联系ICS MicroClock应用
关于使用低于13.5兆赫的晶体。
外部晶体连接在尽量靠近
芯片如可能，应是对在同一侧
PCB为MK3711 。应该通过之间的不
晶体引脚和X1和X2的管脚。那里
应无信号迹线的下方或接近
水晶。
去耦电容
0.01μF的去耦电容必须连接
VDD （ 2脚）和GND之间（引脚4 ） ，尽量靠近
这些引脚越好。为确保最佳的设备
性能，去耦电容应
安装在印刷电路板的元件侧。避免
使用在去耦电路的通孔。
水晶调节负载电容
该晶体的痕迹应该包括垫小的固定
电容器， 1 X 1和地之间，和另一
之间的X2和地面。这些电容器的馅
在PCB上是可选的。需要对这些电容器
在系统原型评估被确定，并且是
由所使用的特定的晶体（制造影响
和频率）和PCB布局。所要求的典型
电容器的值是1至4 pF的。
来确定晶体的必要性和值
调整电容，则需要一台PC板
你的最终布局，频率计数器能约
1ppm的分辨率和精确度，两个电源，
与晶体的一些样品，你打算
在生产中使用，同时测得初始精度
对于每个晶体在指定的晶体负载
电容CL 。
确定晶体电容的值：
该MK3711 1.连接VDD到3.3V 。连接端子3
的MK3711到第二电源。调整
电压引脚3为0V。测量并记录
频率CLK输出。
2.调整电压引脚3到3.3V。测量和
记录相同的输出频率。
为了计算为中心的错误：
系列终端电阻
当时钟输出之间的PCB走线（ CLK ，
脚5）和所述负荷超过1英寸，系列终止
应该被使用。以系列终止50Ω迹线（一
常用的走线阻抗）放置一个33Ω的电阻
串联在时钟线，尽量靠近时钟输出
销越好。时钟的标称阻抗
输出为20Ω 。
石英晶体
该MK3711 VCXO功能包括外部的
晶体和集成压控振荡器电路。对
确保最佳的系统性能（频率拉
范围）和可靠性，一个液晶装置用
推荐的参数（如下所示）必须
使用和布局指南中讨论
显示下面的部分必须遵循。
石英晶体振荡的频率是
其“切割”，并通过负载电容确定
连接到它。该MK3711采用了片上
可变负载电容的“拉” （改变）
频率的晶体。使用指定的结晶
用MK3711被设计为具有零频率
误差时的片+杂散电容的总量为
14pF.
推荐的晶体参数：
在25初始精度
°
C
温度稳定性
老化
负载电容
并联电容C0
C0 / C1比
等效串联电阻
± 20 ppm的
± 30 ppm的
± 20 ppm的
14 pF的
7 pF的最大
250最大
35
最大
6
(
f
3.0V
–
f
吨精氨酸等
)
+
(
f
0V
–
f
吨精氨酸等
)
错误= 10× ---------------------------------------------- --------------------------------
–
错误
XTAL
f
吨精氨酸等
其中：
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目标
=标称晶振频率
错误
XTAL
晶体=实际的初始精度（单位：ppm ）
被测量
如果所述定心误差小于± 25ppm的，无
需要调整。如果定心误差更
超过25ppm的否定， PC板有过度
杂散电容和一个新的PCB布局应
考虑到减少寄生电容。 （或者，
该晶体可以被重新指定为一个较高的载荷
电容。联系ICS MicroClock了解详细信息。 ）如果
定心误差大于25ppm的正，加
从每个晶体相同的固定电容器居中
引脚接地。对于每个这些盖子的值（以pF ）
由下式给出：
外部电容=
2× （中误差） / （修剪灵敏度）
修剪灵敏度是可提供的参数
通过你的水晶供应商。如果你不知道的价值，
假设它是30 PPM / PF 。经过任何改动，重复
测量，以验证该剩余误差
可接受的低（通常小于± 25ppm的更少）。
绝对最大额定值
上面讲下面列出的收视率可能会导致对MK3711永久性损坏。这些评价，
这对于ICS商业额定零件标准值，只是应力额定值。功能操作
该设备在这些或以上的任何其他条件的业务部门所标明
规格是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间可以
影响产品的可靠性。电气参数只能在推荐工作保障
温度范围。
项
电源电压（VDD）
所有输入和输出
工作环境温度
储存温度
焊接温度
7V
等级
-0.5V到VDD + 0.5V
0至+ 70°C
-65到+ 150°C
260°C
推荐工作条件
参数
工作环境温度
电源电压（相对于GND测量）
参考晶体参数
分钟。
0
+3.15
典型值。
–
马克斯。
+70
+3.45
单位
°C
V
请参阅第3页
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DC电气特性
VDD = 3.3V ± 5 ％
，环境温度0 + 70 ° C，除非另有说明
参数
工作电压
输出高电压
输出低电压
输出高电压（ CMOS
级）
工作电源电流
短路电流
VIN ， VCXO控制电压
符号
VDD
V
OH
V
OL
V
OH
国际直拨电话
I
OS
V
IA
条件
I
OH
= -12毫安
I
OL
= 12毫安
I
OH
= -4毫安
输出= 12 MHz时，
空载
分钟。
3.15
2.4
典型值。
马克斯。
3.45
0.4
单位
V
V
V
V
VDD-0.4
7
±50
0
3.3
mA
mA
V
AC电气特性
VDD = 3.3V ± 5 ％
，环境温度0 + 70 ° C，除非另有说明
参数
输出频率
MK3711D和
MK3711B
MK3711A和
MK3711S
水晶Pullability
MK3711D和
MK3711B
MK3711A和
MK3711S
VCXO增益
MK3711D
MK3711B
MK3711A
MK3711S
输出上升时间
输出下降时间
输出时钟占空比
最大输出抖动，
短期
t
OR
t
OF
t
D
t
J
VIN = VDD / 2 + 1V ，注1
VIN = VDD / 2 + 1V ，注1
VIN = VDD / 2 + 1V ，注1
VIN = VDD / 2 + 1V ，注1
0.8 2.0V ，C
L
=15pF
2.0 0.8V ，C
L
=15pF
测量1.4V ，C
L
=15pF
C
L
=15pF
40
50
100
120
150
170
100
1.5
1.5
60
PPM / V
PPM / V
PPM / V
PPM / V
ns
ns
%
ps
F
P
F
P
0V< VIN < 3.3V ，注1
0V< VIN < 3.3V ，注1
+ 115
+ 100
PPM
PPM
F
O
F
O
VCXO晶振频率=
12兆赫
8
12
16
兆赫
兆赫
符号
条件
分钟。
典型值。
MAX 。单位
注1：外部晶体的设备必须与第3页上列出的可牵引晶体规格相符。
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5
525 王牌S TR EET ，圣何塞，加利福尼亚95126
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修订版070301
吨EL（ 40 8 ） 295 -9800
q
瓦特WW 。 IC S T .C 米
QQ：2880707522 复制
