MK31VT864A - 8YC 98.07.17
半导体
MK31VT864A-8YC
8,388,608字×64位同步动态RAM模块（ 1BANK ） ：
描述
冲电气MK31VT864A - 8YC是一个完全解码， 8,388,608 X 64位同步动态
在TSOP封装由八个64兆的DRAM （ 8Mx8 ），随机存取存储器
安装与去耦电容在168针环氧玻璃双列直插式封装
支持任何应用程序，其中的高密度和存储内存的大容量的
必需的，例如像个人计算机或服务器。
特点
8梅格字×64位（ 1Bank 8字节）的组织
168针的双列直插式内存模块
所有的DQ引脚有10Ω阻尼反抗者
3.3V单电源供电， ± 0.3V宽容
输入
： LVTTL兼容
输出： LVTTL兼容
刷新： 4096次/ 64毫秒
可编程的数据传输模式
/ CAS延迟（ 2,3）
突发长度（ 1 ， 2 ， 4 ， 8 ，全页）
数据加扰（连续，交错）
/ CAS前/ RAS自动刷新，自刷新功能
串行存在检测（ SPD ）与EEPROM
产品组织
产品名称
手术
频率（最大）
125兆赫
访问时间（最大值）。
t
AC2
t
AC3
10.0ns
6.0ns
MK31VT864A - 8YC
注。规格如有变更，恕不另行通知。
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MK31VT864A - 8YC 98.07.17
框图
CKE0
/CS0
DQMB0
DQ0
DQ7
DQMB1
DQ8
DQ15
DQMB4
DQ32
DQ39
DQMB5
DQ40
DQM / CS CKE
DQ0
DQM / CS CKE
DQ0
DQM / CS CKE
DQ0
DQM / CS CKE
DQ0
/CS2
DQMB2
DQ16
DQ23
DQMB3
DQ24
DQ31
DQMB6
DQ48
DQ55
DQMB7
DQ56
DQ63
DQM / CS CKE
DQ0
DQM / CS CKE
DQ0
DQM / CS CKE
DQ0
DQM / CS CKE
DQ0
1
DQ7
3
DQ7
2
DQ7
DQ7
4
5
DQ7
DQ7
7
6
DQ47
DQ7
DQ7
8
串行PD
SCL
9
A0 A1 A2
47K
SA0 SA1 SA2
SDA
WP
1
2
CLK0
3
4
CLK2
5
6
3.3pF
7
8
3.3pF
CLK1
CLK3
10pF
/ RAS ， / CAS ， / WE
A0 -A15 & BA0 ， BA1
1
á
VCC
8
VSS
0.1uF
0.33uF
两个去耦电容
每SDRAM
注。所有的电阻值是10Ω预计WP
模块
概要
（正面）
（返回）
1
85
10 11
94 95
40 41
124 125
84
168
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MK31VT864A - 8YC 98.07.17
引脚配置
正面
引脚号引脚名称
1
VSS
2
DQ0
3
DQ1
4
DQ2
5
DQ3
6
VCC
7
DQ4
8
DQ5
9
DQ6
10
DQ7
11
DQ8
12
VSS
13
DQ9
14
DQ10
15
DQ11
16
DQ12
17
DQ13
18
VCC
19
DQ14
20
DQ15
21
N.C
22
N.C
23
VSS
24
N.C
25
N.C
26
VCC
27
/ WE
28
DQMB0
29
DQMB1
30
/CS0
31
N.C
32
VSS
33
A0
34
A2
35
A4
36
A6
37
A8
38
A10
39
BA1
40
VCC
41
VCC
42
CLK0
背面
引脚号引脚名称
85
VSS
86
DQ32
87
DQ33
88
DQ34
89
DQ35
90
VCC
91
DQ36
92
DQ37
93
DQ38
94
DQ39
95
DQ40
96
VSS
97
DQ41
98
DQ42
99
DQ43
100
DQ44
101
DQ45
102
VCC
103
DQ46
104
DQ47
105
N.C
106
N.C
107
VSS
108
N.C
109
N.C
110
VCC
111
/ CAS
112
DQMB4
113
DQMB5
114
N.C
115
/ RAS
116
VSS
117
A1
118
A3
119
A5
120
A7
121
A9
122
BA0
123
A11
124
VCC
125
CLK1
126
N.C
正面
引脚号引脚名称
43
VSS
44
N.C
45
/CS2
46
DQMB2
47
DQMB3
48
N.C
49
VCC
50
N.C
51
N.C
52
N.C
53
N.C
54
VSS
55
DQ16
56
DQ17
57
DQ18
58
DQ19
59
VCC
60
DQ20
61
N.C
62
N.C
63
N.C
64
VSS
65
DQ21
66
DQ22
67
DQ23
68
VSS
69
DQ24
70
DQ25
71
DQ26
72
DQ27
73
VCC
74
DQ28
75
DQ29
76
DQ30
77
DQ31
78
VSS
79
CLK2
80
N.C
81
WP
82
SDA
83
SCL
84
VCC
背面
引脚号引脚名称
127
VSS
128
CKE0
129
N.C
130
DQMB6
131
DQMB7
132
N.C
133
VCC
134
N.C
135
N.C
136
N.C
137
N.C
138
VSS
139
DQ48
140
DQ49
141
DQ50
142
DQ51
143
VCC
144
DQ52
145
N.C
146
N.C
147
N.C
148
VSS
149
DQ53
150
DQ54
151
DQ55
152
VSS
153
DQ56
154
DQ57
155
DQ58
156
DQ59
157
VCC
158
DQ60
159
DQ61
160
DQ62
161
DQ63
162
VSS
163
CLK3
164
N.C
165
SA0
166
SA1
167
SA2
168
VCC
引脚名称
VCC
VSS
CLK ＃
/ CS ＃
CKE ＃
A0-A11
BA0 ， BA1
/ RAS
/ CAS
功能
电源（ 3.3V ）
地（ 0V ）
系统时钟
芯片选择
时钟使能
地址
银行选择地址
行地址选通
列地址选通
引脚名称
/ WE
DQMB ＃
DQ ＃
WP
SDA
SCL
SA ＃
N.C
功能
写使能
数据输入/输出面膜
数据输入/输出
写保护
数据I / O的SPD
CLK输入SPD
对于SPD插座位置地址
无连接
3/11页
MK31VT864A - 8YC 98.07.17
串行存在检测
字节
号
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36-61
62
63
64-71
72
73-90
SPD
十六进制值
80
08
04
0C
09
01
40
00
01
80
60
00
80
08
00
01
8F
04
06
01
01
00
0E
C0
A0
00
00
1E
10
14
30
10
20
10
20
10
00-00
12
49
41,45,20,20,20,20,20,20
01 / 06
备注
定义的字节数写入
SPD内存
SPD内存的总字节数
基本内存类型
行数
列数
模块的银行数目
本届大会的数据宽度
...数据宽度延续
电压接口电平
周期时间（CL = 3）
从CLK访问时间（CL = 3）的
DIMM配置类型
刷新率/类型
主SDRAM宽度
错误检查SDRAM的宽度
最低CLK延迟
突发长度支持
银行的每个SDRAM的数
/ CAS延时
/ CS延时
/ WE等待时间
SDRAM模块属性
SDRAM器件的属性：一般
周期时间（CL = 2）
从CLK访问时间（CL = 2）的
周期时间（CL = 1）
从CLK访问时间（CL = 1）的
最小行脉冲宽度
/ RAS到/ RAS银行延迟
/ RAS到/ CAS延时
最小/ RAS预充电时间
模块每家银行的密度
128字节
笔记
256字节
SDRAM
12行
9列
1银行
64位
0
LVTTL
CL = 3吨
CC3
=8ns
CL = 3吨
AC3
=6ns
无奇偶校验
普通/自
x8
t
CCD
： 1 CLK
1, 2, 4, 8, F
4银行
2, 3
0
0
CL = 2吨
CC2
=12ns
CL = 2吨
AC2
=10ns
不支持
不支持
t
RP
=30ns
t
RRD
=16ns
t
RCD
=20ns
t
RAS
=48ns
64MB
命令和地址信号输入建立时间
2ns
命令和地址信号输入保持时间
1ns
数据信号输入建立时间
2ns
数据信号输入保持时间
1ns
R.F.U
SPD数据进行修订的代码
1.2
校验和字节0-62
制造商的JEDEC的ID代码
生产地点
MK31VT864A-8YC
4D,4B,33,31,56,54,38,36,34,
41,2D,38,59,43,20,20,20,202
20, 20
91, 92
00-00
93-125
64
126
A5
127
FF-FF
128-255
制造商零件编号
修改代码
R.F.U
英特尔规范频率
英特尔规范/ CAS延迟
未使用的存储位置
100MHz
（ CLK0-2 ，CL = 3）的
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MK31VT864A - 8YC 98.07.17
电气特性
绝对最大额定值
等级
任何引脚相对于VSS的电压
VCC电源电压
储存温度
功耗
短路电流
工作温度
符号
V
IN
, V
OUT
VCC ， VCCQ
TSTG
P
D
*
I
OS
TOPR
价值
-0.5 VCC + 0.5
-0.5到4.6
- 55 125
8
50
0到70
单位
V
V
°C
W
mA
°C
* ： TA = 25
°C
推荐工作条件
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
VCC ， VCCQ
V
IH
V
IL
分钟。
3.0
2.0
-0.3
（电压参考与Vss = 0V ）
典型值。
马克斯。
单位
3.3
-
-
3.6
Vcc+0.3
0.8
V
V
V
电容
(Vcc=3.3V
±
0.3V ，TA = 25 ℃， F = 1MHz的）
参数
符号
马克斯。
单位
输入电容（ A0 - A11 ， BA0 ， BA1 ， / RAS ， / CAS ， / WE）
C
IN1
54
pF
输入电容（ / CS0 ， / CS2 ）
C
IN2
34
pF
输入电容（ DQMB0 - DQMB7 ）
C
IN3
16
pF
输入电容（ CKE0 ）
C
IN4
58
pF
I / O电容（ DQ0 - DQ63 ）
C
I / O
18
pF
输入电容（ CLK0 ， CLK2 ）
C
CLK
50
pF
页面5/11
MK31VT864A - 8YC 98.07.17
半导体
MK31VT864A-8YC
8,388,608字×64位同步动态RAM模块（ 1BANK ） ：
描述
冲电气MK31VT864A - 8YC是一个完全解码， 8,388,608 X 64位同步动态
在TSOP封装由八个64兆的DRAM （ 8Mx8 ），随机存取存储器
安装与去耦电容在168针环氧玻璃双列直插式封装
支持任何应用程序，其中的高密度和存储内存的大容量的
必需的，例如像个人计算机或服务器。
特点
8梅格字×64位（ 1Bank 8字节）的组织
168针的双列直插式内存模块
所有的DQ引脚有10Ω阻尼反抗者
3.3V单电源供电， ± 0.3V宽容
输入
： LVTTL兼容
输出： LVTTL兼容
刷新： 4096次/ 64毫秒
可编程的数据传输模式
/ CAS延迟（ 2,3）
突发长度（ 1 ， 2 ， 4 ， 8 ，全页）
数据加扰（连续，交错）
/ CAS前/ RAS自动刷新，自刷新功能
串行存在检测（ SPD ）与EEPROM
产品组织
产品名称
手术
频率（最大）
125兆赫
访问时间（最大值）。
t
AC2
t
AC3
10.0ns
6.0ns
MK31VT864A - 8YC
注。规格如有变更，恕不另行通知。
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MK31VT864A - 8YC 98.07.17
框图
CKE0
/CS0
DQMB0
DQ0
DQ7
DQMB1
DQ8
DQ15
DQMB4
DQ32
DQ39
DQMB5
DQ40
DQM / CS CKE
DQ0
DQM / CS CKE
DQ0
DQM / CS CKE
DQ0
DQM / CS CKE
DQ0
/CS2
DQMB2
DQ16
DQ23
DQMB3
DQ24
DQ31
DQMB6
DQ48
DQ55
DQMB7
DQ56
DQ63
DQM / CS CKE
DQ0
DQM / CS CKE
DQ0
DQM / CS CKE
DQ0
DQM / CS CKE
DQ0
1
DQ7
3
DQ7
2
DQ7
DQ7
4
5
DQ7
DQ7
7
6
DQ47
DQ7
DQ7
8
串行PD
SCL
9
A0 A1 A2
47K
SA0 SA1 SA2
SDA
WP
1
2
CLK0
3
4
CLK2
5
6
3.3pF
7
8
3.3pF
CLK1
CLK3
10pF
/ RAS ， / CAS ， / WE
A0 -A15 & BA0 ， BA1
1
á
VCC
8
VSS
0.1uF
0.33uF
两个去耦电容
每SDRAM
注。所有的电阻值是10Ω预计WP
模块
概要
（正面）
（返回）
1
85
10 11
94 95
40 41
124 125
84
168
2/11页
MK31VT864A - 8YC 98.07.17
引脚配置
正面
引脚号引脚名称
1
VSS
2
DQ0
3
DQ1
4
DQ2
5
DQ3
6
VCC
7
DQ4
8
DQ5
9
DQ6
10
DQ7
11
DQ8
12
VSS
13
DQ9
14
DQ10
15
DQ11
16
DQ12
17
DQ13
18
VCC
19
DQ14
20
DQ15
21
N.C
22
N.C
23
VSS
24
N.C
25
N.C
26
VCC
27
/ WE
28
DQMB0
29
DQMB1
30
/CS0
31
N.C
32
VSS
33
A0
34
A2
35
A4
36
A6
37
A8
38
A10
39
BA1
40
VCC
41
VCC
42
CLK0
背面
引脚号引脚名称
85
VSS
86
DQ32
87
DQ33
88
DQ34
89
DQ35
90
VCC
91
DQ36
92
DQ37
93
DQ38
94
DQ39
95
DQ40
96
VSS
97
DQ41
98
DQ42
99
DQ43
100
DQ44
101
DQ45
102
VCC
103
DQ46
104
DQ47
105
N.C
106
N.C
107
VSS
108
N.C
109
N.C
110
VCC
111
/ CAS
112
DQMB4
113
DQMB5
114
N.C
115
/ RAS
116
VSS
117
A1
118
A3
119
A5
120
A7
121
A9
122
BA0
123
A11
124
VCC
125
CLK1
126
N.C
正面
引脚号引脚名称
43
VSS
44
N.C
45
/CS2
46
DQMB2
47
DQMB3
48
N.C
49
VCC
50
N.C
51
N.C
52
N.C
53
N.C
54
VSS
55
DQ16
56
DQ17
57
DQ18
58
DQ19
59
VCC
60
DQ20
61
N.C
62
N.C
63
N.C
64
VSS
65
DQ21
66
DQ22
67
DQ23
68
VSS
69
DQ24
70
DQ25
71
DQ26
72
DQ27
73
VCC
74
DQ28
75
DQ29
76
DQ30
77
DQ31
78
VSS
79
CLK2
80
N.C
81
WP
82
SDA
83
SCL
84
VCC
背面
引脚号引脚名称
127
VSS
128
CKE0
129
N.C
130
DQMB6
131
DQMB7
132
N.C
133
VCC
134
N.C
135
N.C
136
N.C
137
N.C
138
VSS
139
DQ48
140
DQ49
141
DQ50
142
DQ51
143
VCC
144
DQ52
145
N.C
146
N.C
147
N.C
148
VSS
149
DQ53
150
DQ54
151
DQ55
152
VSS
153
DQ56
154
DQ57
155
DQ58
156
DQ59
157
VCC
158
DQ60
159
DQ61
160
DQ62
161
DQ63
162
VSS
163
CLK3
164
N.C
165
SA0
166
SA1
167
SA2
168
VCC
引脚名称
VCC
VSS
CLK ＃
/ CS ＃
CKE ＃
A0-A11
BA0 ， BA1
/ RAS
/ CAS
功能
电源（ 3.3V ）
地（ 0V ）
系统时钟
芯片选择
时钟使能
地址
银行选择地址
行地址选通
列地址选通
引脚名称
/ WE
DQMB ＃
DQ ＃
WP
SDA
SCL
SA ＃
N.C
功能
写使能
数据输入/输出面膜
数据输入/输出
写保护
数据I / O的SPD
CLK输入SPD
对于SPD插座位置地址
无连接
3/11页
MK31VT864A - 8YC 98.07.17
串行存在检测
字节
号
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36-61
62
63
64-71
72
73-90
SPD
十六进制值
80
08
04
0C
09
01
40
00
01
80
60
00
80
08
00
01
8F
04
06
01
01
00
0E
C0
A0
00
00
1E
10
14
30
10
20
10
20
10
00-00
12
49
41,45,20,20,20,20,20,20
01 / 06
备注
定义的字节数写入
SPD内存
SPD内存的总字节数
基本内存类型
行数
列数
模块的银行数目
本届大会的数据宽度
...数据宽度延续
电压接口电平
周期时间（CL = 3）
从CLK访问时间（CL = 3）的
DIMM配置类型
刷新率/类型
主SDRAM宽度
错误检查SDRAM的宽度
最低CLK延迟
突发长度支持
银行的每个SDRAM的数
/ CAS延时
/ CS延时
/ WE等待时间
SDRAM模块属性
SDRAM器件的属性：一般
周期时间（CL = 2）
从CLK访问时间（CL = 2）的
周期时间（CL = 1）
从CLK访问时间（CL = 1）的
最小行脉冲宽度
/ RAS到/ RAS银行延迟
/ RAS到/ CAS延时
最小/ RAS预充电时间
模块每家银行的密度
128字节
笔记
256字节
SDRAM
12行
9列
1银行
64位
0
LVTTL
CL = 3吨
CC3
=8ns
CL = 3吨
AC3
=6ns
无奇偶校验
普通/自
x8
t
CCD
： 1 CLK
1, 2, 4, 8, F
4银行
2, 3
0
0
CL = 2吨
CC2
=12ns
CL = 2吨
AC2
=10ns
不支持
不支持
t
RP
=30ns
t
RRD
=16ns
t
RCD
=20ns
t
RAS
=48ns
64MB
命令和地址信号输入建立时间
2ns
命令和地址信号输入保持时间
1ns
数据信号输入建立时间
2ns
数据信号输入保持时间
1ns
R.F.U
SPD数据进行修订的代码
1.2
校验和字节0-62
制造商的JEDEC的ID代码
生产地点
MK31VT864A-8YC
4D,4B,33,31,56,54,38,36,34,
41,2D,38,59,43,20,20,20,202
20, 20
91, 92
00-00
93-125
64
126
A5
127
FF-FF
128-255
制造商零件编号
修改代码
R.F.U
英特尔规范频率
英特尔规范/ CAS延迟
未使用的存储位置
100MHz
（ CLK0-2 ，CL = 3）的
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MK31VT864A - 8YC 98.07.17
电气特性
绝对最大额定值
等级
任何引脚相对于VSS的电压
VCC电源电压
储存温度
功耗
短路电流
工作温度
符号
V
IN
, V
OUT
VCC ， VCCQ
TSTG
P
D
*
I
OS
TOPR
价值
-0.5 VCC + 0.5
-0.5到4.6
- 55 125
8
50
0到70
单位
V
V
°C
W
mA
°C
* ： TA = 25
°C
推荐工作条件
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
VCC ， VCCQ
V
IH
V
IL
分钟。
3.0
2.0
-0.3
（电压参考与Vss = 0V ）
典型值。
马克斯。
单位
3.3
-
-
3.6
Vcc+0.3
0.8
V
V
V
电容
(Vcc=3.3V
±
0.3V ，TA = 25 ℃， F = 1MHz的）
参数
符号
马克斯。
单位
输入电容（ A0 - A11 ， BA0 ， BA1 ， / RAS ， / CAS ， / WE）
C
IN1
54
pF
输入电容（ / CS0 ， / CS2 ）
C
IN2
34
pF
输入电容（ DQMB0 - DQMB7 ）
C
IN3
16
pF
输入电容（ CKE0 ）
C
IN4
58
pF
I / O电容（ DQ0 - DQ63 ）
C
I / O
18
pF
输入电容（ CLK0 ， CLK2 ）
C
CLK
50
pF
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