【摩托罗拉半导体技术资料订购此文件通过MJ16010 / DMJ16010设计师SWITCHMODE系】,IC型号MJW16010,MJW16010 PDF资料,MJW16010经销商,ic,电子元器件-51电子网

摩托罗拉

半导体技术资料

订购此文件

通过MJ16010 / D

MJ16010

设计师

SWITCHMODE系列

NPN硅功率晶体管

这些晶体管是专为高电压，高转速，功率开关的

电感电路，其中下降时间是至关重要的。它们特别适用于

行操作的开关模式应用。该MJ16012和MJW16012选择

该MJ16010和高增益版本MJW16010的应用中驱动器

电流被限制。

开关稳压器

逆变器

螺线管

继电器驱动器

电机控制

偏转电路

快速关断时间 - TC = 100℃

50 ns的电感下降时间（典型值）

90 ns的感应交叉时间（典型值）

800 ns的电感储存时间（典型值）

100

_

性能指定为：

反向偏置SOA感性负载

开关时间与感性负载

饱和电压

漏电流

数据表

MJW16010

MJ16012*

MJW16012*

*摩托罗拉的首选设备

15安培

NPN硅

功率晶体管

450伏

135和175沃茨

最大额定值

等级

符号

VCEO

VCEV

VEB

IC

ICM

IB

IBM

PD

MJ16010

MJ16012

MJW16010

MJW16012

单位

VDC

ADC

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

450

850

6.0

15

20

10

15

连续集电极电流 -

- 峰值（ 1 ）

基极电流 - 连续

- 峰值（ 1 ）

器件总功耗

@ T = 25

_

C

@ TC = 100

_

C

减免上述25

_

C

瓦

1 75

100

1.0

135

53 8

1.11

W/

_

C

工作和存储结

温度范围

TJ ， TSTG

- 65 200

- 55 150

案例1-07

TO–204AA

(TO–3)

MJ16010

MJ16012

_

C

热特性

特征

符号

R

θJC

TL

最大

单位

热阻，结到外壳

无铅焊接温度的

目的， 1/8“案件从

5秒

1.0

0.93

_

C / W

_

C

275

CASE 340°F -03

TO–247AE

MJW16010

MJW16012

（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度

v

50

s,

占空比

w

10%

设计师的数据为“最坏情况”的条件

- 设计师的数据表允许大多数电路的设计完全是从显示的信息。 SOA限制

曲线 - 表示对器件特性的边界 - 被给予促进“最坏情况”的设计。

首选

设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。

设计师和开关模式是Motorola，Inc.的商标。

REV 2

摩托罗拉公司1995年

摩托罗拉双极功率晶体管器件数据

1

MJ16010 MJW16010 MJ16012 MJW16012

（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度= 300

s,

占空比

电气特性

（ TC = 25

_

C除非另有说明）

开关特性

动态特性

基本特征（ 1 ）

第二击穿

开关特性

感性负载（如表2 ）

阻性负载（表1）

交叉时间

下降时间

贮存时间

交叉时间

下降时间

贮存时间

下降时间

贮存时间

下降时间

贮存时间

时间的玫瑰

延迟时间

输出电容

（ VCB = 10 VDC ， IE = 0 ， FTEST = 1.0千赫）

直流电流增益

（ IC = 15 ADC ， VCE = 5.0 V直流）

基射极饱和电压

（ IC = 10位ADC ， IB = 1.3 ADC ）

（ IC = 10位ADC ， IB = 1.3 ADC ， TC = 100

_

C)

集电极 - 发射极饱和电压

（ IC = 5.0 ADC ， IB = 0.7 ADC ）

（ IC = 10位ADC ， IB = 1.3 ADC ）

（ IC = 10位ADC ， IB = 1.3 ADC ， TC = 100

_

C)

钳位感性SOA与基地反向偏置

第二击穿集电极电流与基地正向偏置

发射Cuto FF电流

（ VEB = 6.0伏， IC = 0 ）

收藏家Cuto FF电流

（ VCE = 850伏， RBE = 50

,

TC = 100

_

C)

收藏家Cuto FF电流

（ VCEV = 850伏， VBE （关闭） = 1.5伏）

（ VCEV = 850伏， VBE （关闭） = 1.5伏， TC = 100

_

C)

集电极 - 发射极耐受电压（表2）

（ IC = 100 mA时， IB = 0 ）

2

（ IC = 10位ADC ，

IB1 = 1.3 ADC ，

VBE （关闭） = 5.0伏，

VCE （ PK） = 400 VDC ）

（ IC = 10位ADC ，

VCC = 250 VDC ，

IB1 = 1.3 ADC ，

PW = 30

s,

占空比

2.0%)

特征

v

2.0%

（ TC = 150

_

C)

（ TC = 100

_

C)

（ VBE （关闭） = 5.0伏）

（ IB2 = 2.6 ADC ，

RB2 = 1.6

)

VCEO （ SUS）

摩托罗拉双极功率晶体管器件数据

VCE （ SAT ）

VBE （ SAT ）

符号

RBSOA

IEBO

ICER

ICEV

COB

的hFE

是/ B

TSV

td

tc

TFI

tr

tf

tc

ts

民

450

5.0

—

1050

1200

典型值

120

800

650

200

70

90

50

80

20

—

见图16

参见图15

1800

0.25

1.5

最大

250

200

400

1.5

2.5

3.0

2.5

10

—

MADC

单位

VDC

pF

ns

—

（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度= 300

s,

占空比

电气特性

（ TC = 25

_

C除非另有说明）

开关特性

动态特性

基本特征（ 1 ）

第二击穿

开关特性

摩托罗拉双极功率晶体管器件数据

感性负载（如表2 ）

阻性负载（表1）

交叉时间

下降时间

贮存时间

交叉时间

下降时间

贮存时间

下降时间

贮存时间

下降时间

贮存时间

时间的玫瑰

延迟时间

输出电容

（ VCB = 10 VDC ， IE = 0 ， FTEST = 1.0千赫）

直流电流增益

（ IC = 15 ADC ， VCE = 5.0 V直流）

基射极饱和电压

（ IC = 10位ADC ， IB = 1.0 ADC ）

（ IC = 10位ADC ， IB = 1.0 ADC ， TC = 100

_

C)

集电极 - 发射极饱和电压

（ IC = 5.0 ADC ， IB = 0.7 ADC ）

（ IC = 10位ADC ， IB = 1.0 ADC ）

（ IC = 10位ADC ， IB = 1.0 ADC ， TC = 100

_

C)

钳位感性SOA与基地反向偏置

第二击穿集电极电流与基地正向偏置

发射Cuto FF电流

（ VEB = 6.0伏， IC = 0 ）

收藏家Cuto FF电流

（ VCE = 850伏， RBE = 50

,

TC = 100

_

C)

收藏家Cuto FF电流

（ VCEV = 850伏， VBE （关闭） = 1.5伏）

（ VCEV = 850伏， VBE （关闭） = 1.5伏， TC = 100

_

C)

集电极 - 发射极耐受电压（表2）

（ IC = 100 mA时， IB = 0 ）

（ IC = 10位ADC ，

IB1 = 1.0 ADC ，

VBE （关闭） = 5.0伏，

VCE （ PK） = 400 VDC ）

（ IC = 10位ADC ，

VCC = 250 VDC ，

IB1 = 1.0 ADC ，

PW = 30

s,

占空比

2.0%)

特征

v

2.0%

（ TC = 150

_

C)

（ TC = 100

_

C)

（ VBE （关闭） = 5.0伏）

（ IB2 = 2.0 ADC ，

RB2 = 1.6

)

MJ16010 MJW16010 MJ16012 MJW16012

VCEO （ SUS）

VCE （ SAT ）

VBE （ SAT ）

符号

RBSOA

IEBO

ICER

ICEV

COB

的hFE

是/ B

TSV

td

tc

TFI

tc

TFI

ts

tr

tf

民

450

7.0

—

典型值

850

650

500

150

900

200

见图16

参见图15

70

30

50

30

40

20

—

1500

0.25

1.5

最大

200

150

400

1.5

2.5

3.0

2.5

10

—

MADC

单位

VDC

pF

ns

—

3

MJ16010 MJW16010 MJ16012 MJW16012

典型静态特性

VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）

2.0

50

TC = 100℃

的hFE ， DC电流增益

25°C

20

1.0

0.7

0.5

0.3

IC = 1.0

0.2

5.0 A

10 A

15 A

10

5.0

VCE = 5.0 V

3.0

0.2

0.5

1.0

5.0

2.0

IC ，集电极电流（ AMPS ）

10

20

TC = 25°C

0.1

0.02

0.05

0.1 0.2

0.5 1.0 2.0

IB ，基极电流（ AMPS ）

5.0

10

图1.直流电流增益

图2.集电极饱和区

VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）

5.0

3.0

2.0

1.0

0.7

0.5

0.3

0.2

0.1

0.07

0.05

0.15 0.2 0.3

β

f = 10

TC = 100℃

β

f = 10

TC = 25°C

β

f = 5.0

TC = 25°C

0.5 0.7 1.0

2.0

3.0

5.0 7.0 10

15

VBE ，基极发射极电压（伏）

1.5

1.0

0.7

75°C

0.5

0.4

0.3

0.2

0.15

0.15 0.2 0.3

β

f = 10

TC = 25°C

100°C

0.5 0.7 1.0

2.0

3.0

5.0

7.0

10

15

IC ，集电极电流（ AMPS ）

图3.集电极 - 发射极饱和电压

图4.基射极电压

104

IC ，集电极电流（

A)

103

TJ = 150℃

102

101

100

10–1

– 0.4

125°C

100°C

75°C

反向

25°C

0

– 0.2

+ 0.2

+ 0.4

VBE ，基极发射极电压（伏）

+ 0.6

前锋

VCE = 250 V

10000

5000

3000

2000

1000

500

300

200

100

50

20

10

0.1

0.3 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 30 50 100

VR ，反向电压（伏）

300 500 850

COB

兴业银行

C，电容（pF ）

TC = 25°C

图5.集电极截止区

图6.电容

4

摩托罗拉双极功率晶体管器件数据

MJ16010 MJW16010 MJ16012 MJW16012

5000

3000

2000

吨SV ，存储时间（纳秒）

1000

500

300

200

100

0.07

0.05

1.5

β

f* = 5.0

TC = 75℃

VCC = 20 V

VBE （关闭） = 0 V

吨SV ，存储时间（纳秒）

2.0 V

5.0 V

5000

3000

2000

1000

700

500

300

200

100

0.05

1.5

VBE （关闭） = 0 V

2.0 V

5.0 V

β

f* = 10

TC = 75℃

VCC = 20 V

2.0

3.0

5.0

7.0

10

15

2.0

3.0

5.0

7.0

10

15

IC ，集电极电流（ AMPS ）

图7.储存时间

图8.储存时间

1000

TFI ，集电极电流下降时间（ NS ）

500

300

200

100

50

β

f* = 5.0

TC = 75℃

VCC = 20 V

2.0 V

5.0 V

VBE （关闭） = 0 V

TFI ，集电极电流下降时间（ NS ）

1000

500

300

200

100

50

VBE （关闭） = 0 V

2.0 V

β

f* = 10

TC = 75℃

VCC = 20 V

2.0

3.0

5.0

5.0 V

20

10

1.5

20

10

1.5

2.0

3.0

5.0

7.0

10

15

7.0

10

15

IC ，集电极电流（ AMPS ）

图9.集电极电流下降时间

图10.集电极电流下降时间

1500

1000

T C ，交叉时间（纳秒）

500

300

200

100

50

β

f* = 5.0

TC = 75℃

VCC = 20 V

T C ，交叉时间（纳秒）

VBE （关闭） = 0 V

1500

1000

500

VBE （关闭） = 0 V

300

200

100

50

β

f* = 10

TC = 75℃

VCC = 20 V

2.0

3.0

5.0

2.0 V

5.0 V

2.0 V

20

15

1.5

2.0

3.0

5.0

7.0

10

15

20

15

1.5

7.0

10

15

IC ，集电极电流（ AMPS ）

图11.交叉时间

I

* βF = C

IB1

图12.交叉时间

摩托罗拉双极功率晶体管器件数据

5

摩托罗拉

半导体技术资料

订购此文件

通过MJ16010 / D

MJ16010

设计师

SWITCHMODE系列

NPN硅功率晶体管

这些晶体管是专为高电压，高转速，功率开关的

电感电路，其中下降时间是至关重要的。它们特别适用于

行操作的开关模式应用。该MJ16012和MJW16012选择

该MJ16010和高增益版本MJW16010的应用中驱动器

电流被限制。

开关稳压器

逆变器

螺线管

继电器驱动器

电机控制

偏转电路

快速关断时间 - TC = 100℃

50 ns的电感下降时间（典型值）

90 ns的感应交叉时间（典型值）

800 ns的电感储存时间（典型值）

100

_

性能指定为：

反向偏置SOA感性负载

开关时间与感性负载

饱和电压

漏电流

数据表

MJW16010

MJ16012*

MJW16012*

*摩托罗拉的首选设备

15安培

NPN硅

功率晶体管

450伏

135和175沃茨

最大额定值

等级

符号

VCEO

VCEV

VEB

IC

ICM

IB

IBM

PD

MJ16010

MJ16012

MJW16010

MJW16012

单位

VDC

ADC

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

450

850

6.0

15

20

10

15

连续集电极电流 -

- 峰值（ 1 ）

基极电流 - 连续

- 峰值（ 1 ）

器件总功耗

@ T = 25

_

C

@ TC = 100

_

C

减免上述25

_

C

瓦

1 75

100

1.0

135

53 8

1.11

W/

_

C

工作和存储结

温度范围

TJ ， TSTG

- 65 200

- 55 150

案例1-07

TO–204AA

(TO–3)

MJ16010

MJ16012

_

C

热特性

特征

符号

R

θJC

TL

最大

单位

热阻，结到外壳

无铅焊接温度的

目的， 1/8“案件从

5秒

1.0

0.93

_

C / W

_

C

275

CASE 340°F -03

TO–247AE

MJW16010

MJW16012

（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度

v

50

s,

占空比

w

10%

设计师的数据为“最坏情况”的条件

- 设计师的数据表允许大多数电路的设计完全是从显示的信息。 SOA限制

曲线 - 表示对器件特性的边界 - 被给予促进“最坏情况”的设计。

首选

设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。

设计师和开关模式是Motorola，Inc.的商标。

REV 2

摩托罗拉公司1995年

摩托罗拉双极功率晶体管器件数据

1

MJ16010 MJW16010 MJ16012 MJW16012

（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度= 300

s,

占空比

电气特性

（ TC = 25

_

C除非另有说明）

开关特性

动态特性

基本特征（ 1 ）

第二击穿

开关特性

感性负载（如表2 ）

阻性负载（表1）

交叉时间

下降时间

贮存时间

交叉时间

下降时间

贮存时间

下降时间

贮存时间

下降时间

贮存时间

时间的玫瑰

延迟时间

输出电容

（ VCB = 10 VDC ， IE = 0 ， FTEST = 1.0千赫）

直流电流增益

（ IC = 15 ADC ， VCE = 5.0 V直流）

基射极饱和电压

（ IC = 10位ADC ， IB = 1.3 ADC ）

（ IC = 10位ADC ， IB = 1.3 ADC ， TC = 100

_

C)

集电极 - 发射极饱和电压

（ IC = 5.0 ADC ， IB = 0.7 ADC ）

（ IC = 10位ADC ， IB = 1.3 ADC ）

（ IC = 10位ADC ， IB = 1.3 ADC ， TC = 100

_

C)

钳位感性SOA与基地反向偏置

第二击穿集电极电流与基地正向偏置

发射Cuto FF电流

（ VEB = 6.0伏， IC = 0 ）

收藏家Cuto FF电流

（ VCE = 850伏， RBE = 50

,

TC = 100

_

C)

收藏家Cuto FF电流

（ VCEV = 850伏， VBE （关闭） = 1.5伏）

（ VCEV = 850伏， VBE （关闭） = 1.5伏， TC = 100

_

C)

集电极 - 发射极耐受电压（表2）

（ IC = 100 mA时， IB = 0 ）

2

（ IC = 10位ADC ，

IB1 = 1.3 ADC ，

VBE （关闭） = 5.0伏，

VCE （ PK） = 400 VDC ）

（ IC = 10位ADC ，

VCC = 250 VDC ，

IB1 = 1.3 ADC ，

PW = 30

s,

占空比

2.0%)

特征

v

2.0%

（ TC = 150

_

C)

（ TC = 100

_

C)

（ VBE （关闭） = 5.0伏）

（ IB2 = 2.6 ADC ，

RB2 = 1.6

)

VCEO （ SUS）

摩托罗拉双极功率晶体管器件数据

VCE （ SAT ）

VBE （ SAT ）

符号

RBSOA

IEBO

ICER

ICEV

COB

的hFE

是/ B

TSV

td

tc

TFI

tr

tf

tc

ts

民

450

5.0

—

1050

1200

典型值

120

800

650

200

70

90

50

80

20

—

见图16

参见图15

1800

0.25

1.5

最大

250

200

400

1.5

2.5

3.0

2.5

10

—

MADC

单位

VDC

pF

ns

—

（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度= 300

s,

占空比

电气特性

（ TC = 25

_

C除非另有说明）

开关特性

动态特性

基本特征（ 1 ）

第二击穿

开关特性

摩托罗拉双极功率晶体管器件数据

感性负载（如表2 ）

阻性负载（表1）

交叉时间

下降时间

贮存时间

交叉时间

下降时间

贮存时间

下降时间

贮存时间

下降时间

贮存时间

时间的玫瑰

延迟时间

输出电容

（ VCB = 10 VDC ， IE = 0 ， FTEST = 1.0千赫）

直流电流增益

（ IC = 15 ADC ， VCE = 5.0 V直流）

基射极饱和电压

（ IC = 10位ADC ， IB = 1.0 ADC ）

（ IC = 10位ADC ， IB = 1.0 ADC ， TC = 100

_

C)

集电极 - 发射极饱和电压

（ IC = 5.0 ADC ， IB = 0.7 ADC ）

（ IC = 10位ADC ， IB = 1.0 ADC ）

（ IC = 10位ADC ， IB = 1.0 ADC ， TC = 100

_

C)

钳位感性SOA与基地反向偏置

第二击穿集电极电流与基地正向偏置

发射Cuto FF电流

（ VEB = 6.0伏， IC = 0 ）

收藏家Cuto FF电流

（ VCE = 850伏， RBE = 50

,

TC = 100

_

C)

收藏家Cuto FF电流

（ VCEV = 850伏， VBE （关闭） = 1.5伏）

（ VCEV = 850伏， VBE （关闭） = 1.5伏， TC = 100

_

C)

集电极 - 发射极耐受电压（表2）

（ IC = 100 mA时， IB = 0 ）

（ IC = 10位ADC ，

IB1 = 1.0 ADC ，

VBE （关闭） = 5.0伏，

VCE （ PK） = 400 VDC ）

（ IC = 10位ADC ，

VCC = 250 VDC ，

IB1 = 1.0 ADC ，

PW = 30

s,

占空比

2.0%)

特征

v

2.0%

（ TC = 150

_

C)

（ TC = 100

_

C)

（ VBE （关闭） = 5.0伏）

（ IB2 = 2.0 ADC ，

RB2 = 1.6

)

MJ16010 MJW16010 MJ16012 MJW16012

VCEO （ SUS）

VCE （ SAT ）

VBE （ SAT ）

符号

RBSOA

IEBO

ICER

ICEV

COB

的hFE

是/ B

TSV

td

tc

TFI

tc

TFI

ts

tr

tf

民

450

7.0

—

典型值

850

650

500

150

900

200

见图16

参见图15

70

30

50

30

40

20

—

1500

0.25

1.5

最大

200

150

400

1.5

2.5

3.0

2.5

10

—

MADC

单位

VDC

pF

ns

—

3

MJ16010 MJW16010 MJ16012 MJW16012

典型静态特性

VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）

2.0

50

TC = 100℃

的hFE ， DC电流增益

25°C

20

1.0

0.7

0.5

0.3

IC = 1.0

0.2

5.0 A

10 A

15 A

10

5.0

VCE = 5.0 V

3.0

0.2

0.5

1.0

5.0

2.0

IC ，集电极电流（ AMPS ）

10

20

TC = 25°C

0.1

0.02

0.05

0.1 0.2

0.5 1.0 2.0

IB ，基极电流（ AMPS ）

5.0

10

图1.直流电流增益

图2.集电极饱和区

VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）

5.0

3.0

2.0

1.0

0.7

0.5

0.3

0.2

0.1

0.07

0.05

0.15 0.2 0.3

β

f = 10

TC = 100℃

β

f = 10

TC = 25°C

β

f = 5.0

TC = 25°C

0.5 0.7 1.0

2.0

3.0

5.0 7.0 10

15

VBE ，基极发射极电压（伏）

1.5

1.0

0.7

75°C

0.5

0.4

0.3

0.2

0.15

0.15 0.2 0.3

β

f = 10

TC = 25°C

100°C

0.5 0.7 1.0

2.0

3.0

5.0

7.0

10

15

IC ，集电极电流（ AMPS ）

图3.集电极 - 发射极饱和电压

图4.基射极电压

104

IC ，集电极电流（

A)

103

TJ = 150℃

102

101

100

10–1

– 0.4

125°C

100°C

75°C

反向

25°C

0

– 0.2

+ 0.2

+ 0.4

VBE ，基极发射极电压（伏）

+ 0.6

前锋

VCE = 250 V

10000

5000

3000

2000

1000

500

300

200

100

50

20

10

0.1

0.3 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 30 50 100

VR ，反向电压（伏）

300 500 850

COB

兴业银行

C，电容（pF ）

TC = 25°C

图5.集电极截止区

图6.电容

4

摩托罗拉双极功率晶体管器件数据

MJ16010 MJW16010 MJ16012 MJW16012

5000

3000

2000

吨SV ，存储时间（纳秒）

1000

500

300

200

100

0.07

0.05

1.5

β

f* = 5.0

TC = 75℃

VCC = 20 V

VBE （关闭） = 0 V

吨SV ，存储时间（纳秒）

2.0 V

5.0 V

5000

3000

2000

1000

700

500

300

200

100

0.05

1.5

VBE （关闭） = 0 V

2.0 V

5.0 V

β

f* = 10

TC = 75℃

VCC = 20 V

2.0

3.0

5.0

7.0

10

15

2.0

3.0

5.0

7.0

10

15

IC ，集电极电流（ AMPS ）

图7.储存时间

图8.储存时间

1000

TFI ，集电极电流下降时间（ NS ）

500

300

200

100

50

β

f* = 5.0

TC = 75℃

VCC = 20 V

2.0 V

5.0 V

VBE （关闭） = 0 V

TFI ，集电极电流下降时间（ NS ）

1000

500

300

200

100

50

VBE （关闭） = 0 V

2.0 V

β

f* = 10

TC = 75℃

VCC = 20 V

2.0

3.0

5.0

5.0 V

20

10

1.5

20

10

1.5

2.0

3.0

5.0

7.0

10

15

7.0

10

15

IC ，集电极电流（ AMPS ）

图9.集电极电流下降时间

图10.集电极电流下降时间

1500

1000

T C ，交叉时间（纳秒）

500

300

200

100

50

β

f* = 5.0

TC = 75℃

VCC = 20 V

T C ，交叉时间（纳秒）

VBE （关闭） = 0 V

1500

1000

500

VBE （关闭） = 0 V

300

200

100

50

β

f* = 10

TC = 75℃

VCC = 20 V

2.0

3.0

5.0

2.0 V

5.0 V

2.0 V

20

15

1.5

2.0

3.0

5.0

7.0

10

15

20

15

1.5

7.0

10

15

IC ，集电极电流（ AMPS ）

图11.交叉时间

I

* βF = C

IB1

图12.交叉时间

摩托罗拉双极功率晶体管器件数据

5

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

描述

·采用TO- 247封装

·高电压，高转速

应用

开关稳压器

·逆变器

·电磁阀

·继电器驱动器

·电机控制

·偏转电路

钉扎（参见图2 ）

针

1

2

3

BASE

集热器;连接到

安装底座

辐射源

描述

MJW16010

Fig.1简化外形（ TO- 247 ）和符号

绝对最大额定值（T

C

=25

)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

I

BM

P

D

T

j

T

英镑

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

基极电流

基极电流峰值

总功耗

减免上述25

结温

储存温度

T

C

=25

条件

发射极开路

开基

集电极开路

价值

850

450

6

15

20

10

15

135

1.11

150

-55~150

单位

V

A

W

W/

热特性

符号

R

第j个-C

参数

热阻结到外壳

价值

0.93

单位

/W

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

Tj=25

除非另有说明

参数

集电极 - 发射极电压维持

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

输出电容

条件

I

C

= 0.1A ;我

B

=0

I

C

= 5A ;我

B

=0.7A

I

C

= 10A ;我

B

=1.3A

T

C

=100

I

C

= 10A ;我

B

=1.3A

T

C

=100

V

CE

=850V;R

BE

=50?;T

C

=100

V

CE

=850V; V

BE （OFF）的

=1.5V

T

C

=100

V

EB

= 6V ;我

C

=0

I

C

= 15A ; V

CE

=5V

V

CB

=10V,I

E

=0;f=1.0KHz

5

民

450

MJW16010

符号

V

CEO （ SUS ）

V

CE

（SAT）

-1

V

CE

（SAT）

-2

V

BE

（SAT）

I

CER

I

CEV

I

EBO

h

FE

C

OB

典型值。

最大

单位

V

2.5

3.0

1.5

2.5

0.25

1.5

1.0

V

mA

400

pF

开关时间阻性负载

t

d

t

r

t

s

t

f

延迟时间

上升时间

贮存时间

下降时间

I

C

= 10A ; V

CC

=250V

I

B1

= 1.3A ;我

B2

=2.6A

PW =为30μs ;

B2

=1.6?

值班CycleD2.0 ％

20

200

1200

200

ns

2

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

MJW16010

图2外形尺寸

3

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

描述

·带

TO- 247封装

高

电压，高速

应用

切换

稳压器

·逆变器

·电磁阀

·继电器

DRIVERS

Motor

控制

·偏转

电路

钉扎（参见图2 ）

针

1

2

3

BASE

集热器;连接到

安装底座

描述

MJW16010

Fig.1简化外形（ TO- 247 ）和符号

辐射源

绝对最大额定值（Ta =

℃)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

I

BM

P

D

T

j

T

英镑

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

基极电流

基极电流峰值

总功耗

减免上述25 °

结温

储存温度

T

C

=25℃

条件

发射极开路

开基

集电极开路

价值

850

450

6

15

20

10

15

135

1.11

150

-55~150

单位

V

A

W

W/℃

℃

热特性

符号

R

第j个-C

参数

热阻结到外壳

价值

0.93

单位

℃/W

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

V

CEO （ SUS ）

V

CEsat-1

V

CEsat-2

V

BESAT

I

CER

I

CEV

I

EBO

h

FE

C

OB

参数

集电极 - 发射极电压维持

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

输出电容

条件

I

C

= 0.1A ;我

B

=0

I

C

= 5A ;我

B

=0.7A

I

C

= 10A ;我

B

=1.3A

T

C

=100℃

I

C

= 10A ;我

B

=1.3A

T

C

=100℃

V

CE

=850V;R

BE

=50Ω;T

C

=100℃

V

CE

=850V; V

BE （OFF）的

=1.5V

T

C

=100℃

V

EB

= 6V ;我

C

=0

I

C

= 15A ; V

CE

=5V

V

CB

=10V,I

E

=0;f=1.0KHz

5

民

450

MJW16010

典型值。

最大

单位

V

2.5

3.0

1.5

2.5

0.25

1.5

1.0

V

mA

400

pF

开关时间阻性负载

t

d

t

r

t

s

t

f

延迟时间

上升时间

贮存时间

下降时间

I

C

= 10A ; V

CC

=250V

I

B1

= 1.3A ;我

B2

=2.6A

PW =为30μs ;

B2

=1.6Ω

值班Cycle≤2.0 ％

20

200

1200

200

ns

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

MJW16010

图2外形尺寸

3