添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13751165337  13692101218
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13751165337
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第2457页 > MJW1302A
MJW3281A （ NPN ）
MJW1302A （ PNP ）
互补NPN -PNP
硅双极功率
晶体管
该MJW3281A和MJW1302A是百百
t
动力
晶体管大功率音响，磁头定位器和其它线性
应用程序。
特点
http://onsemi.com
专为100瓦音频频率
获得补充：
15安培
补充
硅功率晶体管
230伏电压200瓦
增益线性度从100 mA至7的
h
FE
= 45 （分） @我
C
= 8 A
低谐波失真
高安全工作区
1 A / 100 V @ 1秒
高F
T
30 MHz的典型
无铅包可用*
1
2
3
TO247
CASE 340L
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
1.5 V
集电极电流
集电极电流
连续
山顶（注1 ）
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
V
CEX
I
C
I
B
P
D
T
J
, T
英镑
价值
230
230
5.0
230
15
25
1.5
200
1.43
65 150
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
W
W / ℃，
°C
1 BASE
3发射器
2个集热器
xxxx
A
Y
WW
G
= 3281或1302
=大会地点
=年
=工作周
= Pb-Free包装
MJWxxxxA
AYWWG
标记图
基极电流
连续
总功率耗散@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
热特性
特征
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
符号
R
QJC
R
qJA
最大
0.625
40
单位
° C / W
° C / W
订购信息
设备
MJW3281A
MJW3281AG
MJW1302A
MJW1302AG
包
TO247
TO247
（无铅）
TO247
TO247
（无铅）
航运
30单位/铁
30单位/铁
30单位/铁
30单位/铁
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.脉冲测试：脉冲宽度= 5毫秒，占空比< 10 ％ 。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2010
2010年3月
第4版
1
出版订单号：
MJW3281A/D
MJW3281A （ NPN ） MJW1302A （ PNP ）
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极 - 发射极耐受电压
(I
C
= 100 MADC ，我
B
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 230伏，我
E
= 0)
发射Cuto FF电流
(V
EB
= 5 VDC ，我
C
= 0)
第二击穿
第二击穿集电极与基正向偏置
(V
CE
= 50伏直流， T = 1秒（不重复）
(V
CE
= 100伏， T = 1秒（不重复）
基本特征
直流电流增益
(I
C
= 100 MADC ，V
CE
= 5 V直流）
(I
C
= 1 ADC ，V
CE
= 5 V直流）
(I
C
= 3的ADC ，V
CE
= 5 V直流）
(I
C
= 5 ADC ，V
CE
= 5 V直流）
(I
C
= 7 ADC ，V
CE
= 5 V直流）
(I
C
= 8 ADC ，V
CE
= 5 V直流）
(I
C
= 15 ADC ，V
CE
= 5 V直流）
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 10位ADC ，我
B
= 1 ADC）
基射极电压ON
(I
C
= 8 ADC ，V
CE
= 5 V直流）
动态特性
电流增益
带宽积
(I
C
= 1 ADC ，V
CE
= 5伏直流，女
TEST
= 1兆赫）
输出电容
(V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0, f
TEST
= 1兆赫）
f
T
C
ob
30
600
兆赫
pF
h
FE
50
50
50
50
50
45
12
125
115
35
0.4
200
200
200
200
200
2
2
I
S / B
4
1
ADC
V
CEO （ SUS ）
I
CBO
I
EBO
230
50
5
VDC
MADC
MADC
符号
民
典型值
最大
单位
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
VDC
VDC
http://onsemi.com
2
MJW3281A （ NPN ） MJW1302A （ PNP ）
典型特征
PNP MJW1302A
50
F T ，当前带宽产品（兆赫）
V
CE
= 10 V
40
5V
30
F T ，当前带宽产品（兆赫）
60
V
CE
= 10 V
50
5V
40
30
20
10
0
0.1
1.0
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
10
T
J
= 25°C
f
TEST
= 1兆赫
NPN MJW3281A
20
10
0
0.1
T
J
= 25°C
f
TEST
= 1兆赫
1.0
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
10
图1.典型的电流增益
带宽积
PNP MJW1302A
1000
1000
图2.典型电流增益
带宽积
NPN MJW3281A
的hFE ， DC电流增益
^ h FE ， DC电流增益
25°C
T
J
= 100°C
T
J
= 100°C
100
- 25°C
25°C
100
- 25°C
V
CE
= 20 V
10
0.1
1.0
10
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
100
10
0.1
V
CE
= 20 V
1.0
10
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
100
图3.直流电流增益，V
CE
= 20 V
PNP MJW1302A
1000
1000
图4.直流电流增益，V
CE
= 20 V
NPN MJW3281A
^ h FE ， DC电流增益
^ h FE ， DC电流增益
25°C
T
J
= 100°C
100
T
J
= 100°C
100
25°C
- 25°C
- 25°C
V
CE
= 5 V
V
CE
= 5 V
10
0.1
1.0
10
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
100
10
0.1
1.0
10
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
100
图5.直流电流增益，V
CE
= 5 V
http://onsemi.com
3
图6.直流电流增益，V
CE
= 5 V
MJW3281A （ NPN ） MJW1302A （ PNP ）
典型特征
PNP MJW1302A
45
40
IC ，集电极电流（ A）
35
30
25
20
15
10
5.0
0
0
5.0
10
15
20
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
25
T
J
= 25°C
0.5 A
1A
1.5 A
I
B
= 2 A
IC ，集电极电流（ A）
45
1.5 A
40
35
30
25
20
15
10
5.0
0
0
5.0
10
15
20
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
T
J
= 25°C
25
1A
0.5 A
NPN MJW3281A
I
B
= 2 A
图7.典型的输出特性
PNP MJW1302A
3.0
饱和电压（伏）
饱和电压（伏）
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0.1
1.0
10
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
100
T
J
= 25°C
I
C
/I
B
= 10
V
BE （ SAT ）
2.5
图8.典型输出特性
NPN MJW3281A
2.0
T
J
= 25°C
I
C
/I
B
= 10
1.5
V
BE （ SAT ）
1.0
0.5
V
CE （ SAT ）
0
0.1
1.0
10
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
100
V
CE （ SAT ）
图9.典型的饱和电压
图10.典型的饱和电压
PNP MJW1302A
VBE （上） ，基极发射极电压（伏）
T
J
= 25°C
VBE （上） ，基极发射极电压（伏）
10
10
T
J
= 25°C
NPN MJW3281A
V
CE
= 5 V （虚线）
1.0
V
CE
= 20 v（固体）
V
CE
= 5 V （虚线）
1.0
V
CE
= 20 v（固体）
0.1
0.1
1.0
10
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
100
0.1
0.1
1.0
10
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
100
图11.典型的基射极电压
http://onsemi.com
4
图12.典型的基射极电压
MJW3281A （ NPN ） MJW1302A （ PNP ）
PNP MJW1302A
100
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
100
NPN MJW3281A
10毫秒
10
100毫秒
1秒
1.0
10
1秒
1.0
10毫秒
100毫秒
0.1
1.0
10
100
V
CE
，集电极 - 发射极（伏）
1000
0.1
1.0
10
100
V
CE
，集电极 - 发射极（伏）
1000
图13.活动区的安全工作区
图14.活动区的安全工作区
有对的功率处理能力两方面的局限性
的晶体管;平均结温及二次
击穿。安全工作区曲线表明我
C
V
CE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作;即，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图13和图14的数据是基于T
J（下PK）
= 150°C;
T
C
是可变的取决于条件。在高温情况下，
的温度下，热限制会降低功率比
可以处理到的值小于规定的限制
二次击穿。
典型特征
PNP MJW1302A
10000
C
ib
10000
C
ib
NPN MJW3281A
C，电容（pF ）
1000
C
ob
C，电容（pF ）
1000
C
ob
T
J
= 25°C
f
TEST
= 1兆赫
100
0.1
1.0
10
100
V
R
，反向电压（伏）
100
0.1
T
J
= 25°C
f
TEST
= 1兆赫
1.0
10
100
V
R
，反向电压（伏）
图15. MJW1302A典型电容
图16. MJW3281A典型电容
http://onsemi.com
5
MJW3281A （ NPN ）
MJW1302A （ PNP ）
首选设备
互补NPN -PNP
硅双极功率
晶体管
该MJW3281A和MJW1302A是百百
t
动力
晶体管大功率音响，磁头定位器和其它线性
应用程序。
特点
http://onsemi.com
专为100瓦音频频率
获得补充：
增益线性度从100 mA至7的
h
FE
= 45 （分） @我
C
= 8 A
低谐波失真
高安全工作区 - 1 A / 100 V @ 1秒
高F
T
- 30 MHz的典型
无铅包可用*
15安培
补充
硅功率晶体管
230伏电压200瓦
1
2
3
TO247
CASE 340L
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压 - 1.5 V
集电极电流
集电极电流
- 连续
- 山顶（注1 ）
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
V
CEX
I
C
I
B
P
D
T
J
, T
英镑
价值
230
230
5.0
230
15
25
1.5
200
1.43
- 65 + 150
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
W
W / ℃，
°C
1 BASE
3发射器
2个集热器
xxxx
A
Y
WW
G
= 3281或1302
=大会地点
=年
=工作周
= Pb-Free包装
MJWxxxxA
AYWWG
标记图
基极电流 - 连续
总功率耗散@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
热特性
特征
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
符号
R
QJC
R
qJA
最大
0.625
40
单位
° C / W
° C / W
订购信息
设备
MJW3281A
MJW3281AG
MJW1302A
MJW1302AG
包
TO247
TO247
（无铅）
TO247
TO247
（无铅）
航运
30单位/铁
30单位/铁
30单位/铁
30单位/铁
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1.脉冲测试：脉冲宽度= 5毫秒，占空比< 10 ％ 。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
1
2006年1月 - 第3版
出版订单号：
MJW3281A/D
MJW3281A （ NPN ） MJW1302A （ PNP ）
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极 - 发射极耐受电压
(I
C
= 100 MADC ，我
B
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 230伏，我
E
= 0)
发射Cuto FF电流
(V
EB
= 5 VDC ，我
C
= 0)
第二击穿
第二击穿集电极与基正向偏置
(V
CE
= 50伏直流， T = 1秒（不重复）
(V
CE
= 100伏， T = 1秒（不重复）
基本特征
直流电流增益
(I
C
= 100 MADC ，V
CE
= 5 V直流）
(I
C
= 1 ADC ，V
CE
= 5 V直流）
(I
C
= 3的ADC ，V
CE
= 5 V直流）
(I
C
= 5 ADC ，V
CE
= 5 V直流）
(I
C
= 7 ADC ，V
CE
= 5 V直流）
(I
C
= 8 ADC ，V
CE
= 5 V直流）
(I
C
= 15 ADC ，V
CE
= 5 V直流）
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 10位ADC ，我
B
= 1 ADC）
基射极电压ON
(I
C
= 8 ADC ，V
CE
= 5 V直流）
动态特性
电流增益 - 带宽积
(I
C
= 1 ADC ，V
CE
= 5伏直流，女
TEST
= 1兆赫）
输出电容
(V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0, f
TEST
= 1兆赫）
f
T
C
ob
600
30
pF
兆赫
h
FE
50
50
50
50
50
45
12
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
2
0.4
2
VDC
125
115
35
200
200
200
200
200
VDC
I
S / B
4
1
ADC
V
CEO （ SUS ）
230
I
CBO
I
EBO
5
50
MADC
MADC
VDC
符号
民
典型值
最大
单位
http://onsemi.com
2
MJW3281A （ NPN ） MJW1302A （ PNP ）
典型特征
PNP MJW1302A
F T ，当前带宽产品（兆赫）
V
CE
= 10 V
40
30
20
10
0
T
J
= 25°C
f
TEST
= 1兆赫
0.1
1.0
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
10
5V
F T ，当前带宽产品（兆赫）
50
60
50
40
30
20
10
0
0.1
T
J
= 25°C
f
TEST
= 1兆赫
1.0
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
10
NPN MJW3281A
V
CE
= 10 V
5V
图1.典型的电流增益
带宽积
图2.典型电流增益
带宽积
PNP MJW1302A
1000
1000
NPN MJW3281A
的hFE ， DC电流增益
^ h FE ， DC电流增益
25°C
T
J
= 100°C
25
°C
T
J
= 100°C
100
25
°C
25°C
100
10
V
CE
= 20 V
0.1
1.0
10
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
100
V
CE
= 20 V
10
0.1
1.0
10
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
100
图3.直流电流增益，V
CE
= 20 V
图4.直流电流增益，V
CE
= 20 V
PNP MJW1302A
1000
1000
NPN MJW3281A
^ h FE ， DC电流增益
^ h FE ， DC电流增益
25°C
T
J
= 100°C
100
25
°C
T
J
= 100°C
100
25°C
25
°C
10
V
CE
= 5 V
0.1
1.0
10
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
100
V
CE
= 5 V
10
0.1
1.0
10
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
100
图5.直流电流增益，V
CE
= 5 V
http://onsemi.com
3
图6.直流电流增益，V
CE
= 5 V
MJW3281A （ NPN ） MJW1302A （ PNP ）
典型特征
PNP MJW1302A
45
40
IC ，集电极电流（ A）
35
30
25
20
15
10
5.0
0
0
T
J
= 25°C
5.0
10
15
20
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
25
1.5 A
I
B
= 2 A
IC ，集电极电流（ A）
45
40
35
30
25
20
15
10
5.0
0
0
T
J
= 25°C
5.0
10
15
20
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
25
NPN MJW3281A
1.5 A
I
B
= 2 A
1A
0.5 A
1A
0.5 A
图7.典型的输出特性
PNP MJW1302A
3.0
饱和电压（伏）
饱和电压（伏）
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0.1
T
J
= 25°C
I
C
/I
B
= 10
V
BE （ SAT ）
2.5
2.0
1.5
图8.典型输出特性
NPN MJW3281A
T
J
= 25°C
I
C
/I
B
= 10
V
BE （ SAT ）
1.0
0.5
0
V
CE （ SAT ）
1.0
10
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
100
0.1
V
CE （ SAT ）
1.0
10
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
100
图9.典型的饱和电压
图10.典型的饱和电压
PNP MJW1302A
VBE （上） ，基极发射极电压（伏）
T
J
= 25°C
VBE （上） ，基极发射极电压（伏）
10
10
T
J
= 25°C
NPN MJW3281A
V
CE
= 5 V （虚线）
V
CE
= 20 v（固体）
V
CE
= 5 V （虚线）
V
CE
= 20 v（固体）
1.0
1.0
0.1
0.1
1.0
10
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
100
0.1
0.1
1.0
10
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
100
图11.典型的基射极电压
图12.典型的基射极电压
http://onsemi.com
4
MJW3281A （ NPN ） MJW1302A （ PNP ）
PNP MJW1302A
100
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
100
NPN MJW3281A
10
1秒
1.0
10毫秒
100毫秒
10
1秒
1.0
10毫秒
100毫秒
0.1
1.0
10
100
V
CE
，集电极 - 发射极（伏）
1000
0.1
1.0
10
100
V
CE
，集电极 - 发射极（伏）
1000
图13.活动区的安全工作区
图14.活动区的安全工作区
有对的功率处理能力两方面的局限性
的晶体管;平均结温及二次
击穿。安全工作区曲线表明我
C
V
CE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作;即，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图13和图14的数据是基于T
J（下PK）
= 150°C;
T
C
是可变的取决于条件。在高温情况下，
的温度下，热限制会降低功率比
可以处理到的值小于规定的限制
二次击穿。
典型特征
PNP MJW1302A
10000
C
ib
10000
C
ib
NPN MJW3281A
C，电容（pF ）
1000
C
ob
C，电容（pF ）
1000
C
ob
T
J
= 25°C
f
TEST
= 1兆赫
100
0.1
1.0
10
100
100
0.1
T
J
= 25°C
f
TEST
= 1兆赫
1.0
10
100
V
R
，反向电压（伏）
V
R
，反向电压（伏）
图15. MJW1302A典型电容
图16. MJW3281A典型电容
http://onsemi.com
5
MJW3281A （ NPN ）
MJW1302A （ PNP ）
首选设备
互补NPN -PNP
硅双极功率
晶体管
该MJW3281A和MJW1302A是百百
t
动力
晶体管大功率音响，磁头定位器和其它线性
应用程序。
http://onsemi.com
专为100瓦音频频率
获得补充：
增益线性度从100 mA至7的
的hFE = 45 （分钟） @ IC = 8的
低谐波失真
高安全工作区 - 1 A / 100 V @ 1秒
高FT - 30 MHz的典型
最大额定值
（ TJ = 25° C除非另有说明）
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压 - 1.5 V
连续集电极电流 -
集电极电流
- 山顶（注1 ）
基极电流 - 连续
总功率耗散@ TC = 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
符号
VCEO
VCBO
VEBO
VCEX
IC
IB
PD
TJ ， TSTG
价值
230
230
5.0
230
15
25
1.5
200
1.43
-65
+150
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
瓦
W / ℃，
°C
15安培
补充
广颖电
晶体管
230伏电压
200瓦
1
2
3
TO–247
CASE 340K
方式3
标记图
MJW
xxxxA
LLYWW
1 BASE
3发射器
热特性
特征
热阻，
结到外壳
热阻，
结到环境
符号
R
θJC
R
θJA
最大
0.7
40
单位
° C / W
° C / W
2个集热器
MJWxxxxA =器件代码
xxxx
= 3281或1302
LL
=地点代码
Y
=年
WW
=工作周
1.脉冲测试：脉冲宽度= 5毫秒，占空比< 10 ％ 。
订购信息
设备
MJW3281A
MJW1302A
包
TO–247
TO–247
航运
30单位/铁
30单位/铁
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2002年
1
2002年3月 - 第1版
出版订单号：
MJW3281A/D
MJW3281A （ NPN ） MJW1302A （ PNP ）
电气特性
（ TC = 25° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极 - 发射极耐受电压
（ IC = 100 MADC ， IB = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = 230伏， IE = 0 ）
发射Cuto FF电流
（ VEB = 5 VDC ， IC = 0 ）
第二击穿
第二击穿集电极与基正向偏置
（ VCE = 50伏直流， T = 1秒（不重复）
（ VCE = 100伏， T = 1秒（不重复）
基本特征
直流电流增益
（ IC = 100 MADC ， VCE = 5 VDC ）
（ IC = 1 ADC ， VCE = 5 VDC ）
（ IC = 3的ADC， VCE = 5 VDC ）
（ IC = 5 ADC ， VCE = 5 VDC ）
（ IC = 7 ADC ， VCE = 5 VDC ）
（ IC = 8 ADC ， VCE = 5 VDC ）
（ IC = 15 ADC ， VCE = 5 VDC ）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 10位ADC ， IB = 1 ADC ）
基射极电压ON
（ IC = 8 ADC ， VCE = 5 VDC ）
动态特性
电流增益 - 带宽积
（ IC = 1 ADC ， VCE = 5伏， FTEST = 1兆赫）
输出电容
（ VCB = 10 VDC ， IE = 0 ， FTEST = 1兆赫）
fT
–
COB
–
–
600
30
–
pF
兆赫
的hFE
50
50
50
50
50
45
12
VCE （ SAT ）
–
VBE （ON）的
–
–
2
0.4
2
VDC
125
–
–
–
115
–
35
200
200
200
200
200
–
–
VDC
–
是/ B
4
1
–
–
–
–
ADC
VCEO （ SUS）
230
ICBO
–
IEBO
–
–
5
–
50
μAdc
–
–
μAdc
VDC
符号
民
典型值
最大
单位
PNP MJW1302A
F T ，当前带宽产品（兆赫）
50
VCE = 10 V
40
30
20
10
0
TJ = 25°C
FTEST = 1兆赫
0.1
1.0
IC ，集电极电流（ AMPS ）
10
5V
F T ，当前带宽产品（兆赫）
60
50
40
30
20
10
0
0.1
TJ = 25°C
FTEST = 1兆赫
NPN MJW3281A
VCE = 10 V
5V
1.0
IC ，集电极电流（ AMPS ）
10
图1.典型的电流增益
带宽积
图2.典型电流增益
带宽积
http://onsemi.com
2
MJW3281A （ NPN ） MJW1302A （ PNP ）
典型特征
PNP MJW1302A
1000
1000
NPN MJW3281A
^ h FE ， DC电流增益
^ h FE ， DC电流增益
25°C
TJ = 100℃
100
-25°C
TJ = 100℃
100
-25°C
25°C
10
VCE = 20 V
0.1
1.0
10
IC ，集电极电流（ AMPS ）
100
VCE = 20 V
10
0.1
1.0
10
IC ，集电极电流（ AMPS ）
100
图3.直流电流增益， VCE = 20 V
图4.直流电流增益， VCE = 20 V
PNP MJW1302A
1000
1000
NPN MJW3281A
^ h FE ， DC电流增益
^ h FE ， DC电流增益
25°C
TJ = 100℃
100
-25°C
TJ = 100℃
100
25°C
-25°C
10
VCE = 5 V
0.1
1.0
10
IC ，集电极电流（ AMPS ）
100
VCE = 5 V
10
0.1
1.0
10
100
IC ，集电极电流（ AMPS ）
图5.直流电流增益， VCE = 5 V
图6.直流电流增益， VCE = 5 V
PNP MJW1302A
45
40
IC ，集电极电流（ A）
35
30
25
20
15
10
5.0
0
0
TJ = 25°C
5.0
10
15
20
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
25
1.5 A
IB = 2将
IC ，集电极电流（ A）
45
40
35
30
25
20
15
10
5.0
0
0
NPN MJW3281A
1.5 A
IB = 2将
1A
0.5 A
1A
0.5 A
TJ = 25°C
5.0
10
15
20
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
25
图7.典型的输出特性
http://onsemi.com
3
图8.典型输出特性
MJW3281A （ NPN ） MJW1302A （ PNP ）
典型特征
PNP MJW1302A
3.0
饱和电压（伏）
饱和电压（伏）
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0.1
TJ = 25°C
IC / IB = 10
VBE （ SAT ）
2.5
2.0
1.5
VBE （ SAT ）
1.0
0.5
0
TJ = 25°C
IC / IB = 10
NPN MJW3281A
VCE （ SAT ）
1.0
10
IC ，集电极电流（ AMPS ）
100
0.1
VCE （ SAT ）
1.0
10
IC ，集电极电流（ AMPS ）
100
图9.典型的饱和电压
PNP MJW1302A
VBE （上） ，基极发射极电压（伏）
TJ = 25°C
VBE （上） ，基极发射极电压（伏）
10
10
图10.典型的饱和电压
NPN MJW3281A
TJ = 25°C
VCE = 5 V （虚线）
1.0
VCE = 20 V （固体）
VCE = 5 V （虚线）
1.0
VCE = 20 V （固体）
0.1
0.1
1.0
10
IC ，集电极电流（ AMPS ）
100
0.1
0.1
1.0
10
IC ，集电极电流（ AMPS ）
100
图11.典型的基射极电压
图12.典型的基射极电压
PNP MJW1302A
100
IC ，集电极电流（ AMPS ）
IC ，集电极电流（ AMPS ）
100
NPN MJW3281A
10
1秒
1.0
10毫秒
100毫秒
10
1秒
1.0
10毫秒
100毫秒
0.1
1.0
100
10
VCE ，集电极 - 发射极（伏）
1000
0.1
1.0
100
10
VCE ，集电极 - 发射极（伏）
1000
图13.活动区的安全工作区
图14.活动区的安全工作区
http://onsemi.com
4
MJW3281A （ NPN ） MJW1302A （ PNP ）
有对的功率处理能力两方面的局限性
的晶体管;平均结温及二次
击穿。安全工作区曲线表明IC - VCE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作;即，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图13和图14的数据是基于TJ （峰） = 150 ℃;
TC是可变根据条件。在高温情况下，
的温度下，热限制会降低功率比
可以处理到的值小于规定的限制
二次击穿。
典型特征
PNP MJW1302A
10000
兴业银行
10000
兴业银行
NPN MJW3281A
C，电容（pF ）
1000
COB
C，电容（pF ）
1000
COB
100
TJ = 25°C
FTEST = 1兆赫
0.1
1.0
10
100
100
TJ = 25°C
FTEST = 1兆赫
0.1
1.0
10
100
VR ，反向电压（伏）
VR ，反向电压（伏）
图15. MJW1302A典型电容
图16. MJW3281A典型电容
http://onsemi.com
5
MJW3281A （ NPN ）
MJW1302A （ PNP ）
首选设备
互补NPN -PNP
硅双极功率
晶体管
该MJW3281A和MJW1302A是百百
t
动力
晶体管大功率音响，磁头定位器和其它线性
应用程序。
http://onsemi.com
专为100瓦音频频率
获得补充：
增益线性度从100 mA至7的
的hFE = 45 （分钟） @ IC = 8的
低谐波失真
高安全工作区 - 1 A / 100 V @ 1秒
高FT - 30 MHz的典型
最大额定值
（ TJ = 25° C除非另有说明）
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压 - 1.5 V
连续集电极电流 -
集电极电流
- 山顶（注1 ）
基极电流 - 连续
总功率耗散@ TC = 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
符号
VCEO
VCBO
VEBO
VCEX
IC
IB
PD
TJ ， TSTG
价值
230
230
5.0
230
15
25
1.5
200
1.43
-65
+150
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
瓦
W / ℃，
°C
15安培
补充
广颖电
晶体管
230伏电压
200瓦
1
2
3
TO–247
CASE 340K
方式3
标记图
MJW
xxxxA
LLYWW
1 BASE
3发射器
热特性
特征
热阻，
结到外壳
热阻，
结到环境
符号
R
θJC
R
θJA
最大
0.7
40
单位
° C / W
° C / W
2个集热器
MJWxxxxA =器件代码
xxxx
= 3281或1302
LL
=地点代码
Y
=年
WW
=工作周
1.脉冲测试：脉冲宽度= 5毫秒，占空比< 10 ％ 。
订购信息
设备
MJW3281A
MJW1302A
包
TO–247
TO–247
航运
30单位/铁
30单位/铁
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2002年
1
2002年3月 - 第1版
出版订单号：
MJW3281A/D
MJW3281A （ NPN ） MJW1302A （ PNP ）
电气特性
（ TC = 25° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极 - 发射极耐受电压
（ IC = 100 MADC ， IB = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = 230伏， IE = 0 ）
发射Cuto FF电流
（ VEB = 5 VDC ， IC = 0 ）
第二击穿
第二击穿集电极与基正向偏置
（ VCE = 50伏直流， T = 1秒（不重复）
（ VCE = 100伏， T = 1秒（不重复）
基本特征
直流电流增益
（ IC = 100 MADC ， VCE = 5 VDC ）
（ IC = 1 ADC ， VCE = 5 VDC ）
（ IC = 3的ADC， VCE = 5 VDC ）
（ IC = 5 ADC ， VCE = 5 VDC ）
（ IC = 7 ADC ， VCE = 5 VDC ）
（ IC = 8 ADC ， VCE = 5 VDC ）
（ IC = 15 ADC ， VCE = 5 VDC ）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 10位ADC ， IB = 1 ADC ）
基射极电压ON
（ IC = 8 ADC ， VCE = 5 VDC ）
动态特性
电流增益 - 带宽积
（ IC = 1 ADC ， VCE = 5伏， FTEST = 1兆赫）
输出电容
（ VCB = 10 VDC ， IE = 0 ， FTEST = 1兆赫）
fT
–
COB
–
–
600
30
–
pF
兆赫
的hFE
50
50
50
50
50
45
12
VCE （ SAT ）
–
VBE （ON）的
–
–
2
0.4
2
VDC
125
–
–
–
115
–
35
200
200
200
200
200
–
–
VDC
–
是/ B
4
1
–
–
–
–
ADC
VCEO （ SUS）
230
ICBO
–
IEBO
–
–
5
–
50
μAdc
–
–
μAdc
VDC
符号
民
典型值
最大
单位
PNP MJW1302A
F T ，当前带宽产品（兆赫）
50
VCE = 10 V
40
30
20
10
0
TJ = 25°C
FTEST = 1兆赫
0.1
1.0
IC ，集电极电流（ AMPS ）
10
5V
F T ，当前带宽产品（兆赫）
60
50
40
30
20
10
0
0.1
TJ = 25°C
FTEST = 1兆赫
NPN MJW3281A
VCE = 10 V
5V
1.0
IC ，集电极电流（ AMPS ）
10
图1.典型的电流增益
带宽积
图2.典型电流增益
带宽积
http://onsemi.com
2
MJW3281A （ NPN ） MJW1302A （ PNP ）
典型特征
PNP MJW1302A
1000
1000
NPN MJW3281A
^ h FE ， DC电流增益
^ h FE ， DC电流增益
25°C
TJ = 100℃
100
-25°C
TJ = 100℃
100
-25°C
25°C
10
VCE = 20 V
0.1
1.0
10
IC ，集电极电流（ AMPS ）
100
VCE = 20 V
10
0.1
1.0
10
IC ，集电极电流（ AMPS ）
100
图3.直流电流增益， VCE = 20 V
图4.直流电流增益， VCE = 20 V
PNP MJW1302A
1000
1000
NPN MJW3281A
^ h FE ， DC电流增益
^ h FE ， DC电流增益
25°C
TJ = 100℃
100
-25°C
TJ = 100℃
100
25°C
-25°C
10
VCE = 5 V
0.1
1.0
10
IC ，集电极电流（ AMPS ）
100
VCE = 5 V
10
0.1
1.0
10
100
IC ，集电极电流（ AMPS ）
图5.直流电流增益， VCE = 5 V
图6.直流电流增益， VCE = 5 V
PNP MJW1302A
45
40
IC ，集电极电流（ A）
35
30
25
20
15
10
5.0
0
0
TJ = 25°C
5.0
10
15
20
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
25
1.5 A
IB = 2将
IC ，集电极电流（ A）
45
40
35
30
25
20
15
10
5.0
0
0
NPN MJW3281A
1.5 A
IB = 2将
1A
0.5 A
1A
0.5 A
TJ = 25°C
5.0
10
15
20
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
25
图7.典型的输出特性
http://onsemi.com
3
图8.典型输出特性
MJW3281A （ NPN ） MJW1302A （ PNP ）
典型特征
PNP MJW1302A
3.0
饱和电压（伏）
饱和电压（伏）
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0.1
TJ = 25°C
IC / IB = 10
VBE （ SAT ）
2.5
2.0
1.5
VBE （ SAT ）
1.0
0.5
0
TJ = 25°C
IC / IB = 10
NPN MJW3281A
VCE （ SAT ）
1.0
10
IC ，集电极电流（ AMPS ）
100
0.1
VCE （ SAT ）
1.0
10
IC ，集电极电流（ AMPS ）
100
图9.典型的饱和电压
PNP MJW1302A
VBE （上） ，基极发射极电压（伏）
TJ = 25°C
VBE （上） ，基极发射极电压（伏）
10
10
图10.典型的饱和电压
NPN MJW3281A
TJ = 25°C
VCE = 5 V （虚线）
1.0
VCE = 20 V （固体）
VCE = 5 V （虚线）
1.0
VCE = 20 V （固体）
0.1
0.1
1.0
10
IC ，集电极电流（ AMPS ）
100
0.1
0.1
1.0
10
IC ，集电极电流（ AMPS ）
100
图11.典型的基射极电压
图12.典型的基射极电压
PNP MJW1302A
100
IC ，集电极电流（ AMPS ）
IC ，集电极电流（ AMPS ）
100
NPN MJW3281A
10
1秒
1.0
10毫秒
100毫秒
10
1秒
1.0
10毫秒
100毫秒
0.1
1.0
100
10
VCE ，集电极 - 发射极（伏）
1000
0.1
1.0
100
10
VCE ，集电极 - 发射极（伏）
1000
图13.活动区的安全工作区
图14.活动区的安全工作区
http://onsemi.com
4
MJW3281A （ NPN ） MJW1302A （ PNP ）
有对的功率处理能力两方面的局限性
的晶体管;平均结温及二次
击穿。安全工作区曲线表明IC - VCE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作;即，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图13和图14的数据是基于TJ （峰） = 150 ℃;
TC是可变根据条件。在高温情况下，
的温度下，热限制会降低功率比
可以处理到的值小于规定的限制
二次击穿。
典型特征
PNP MJW1302A
10000
兴业银行
10000
兴业银行
NPN MJW3281A
C，电容（pF ）
1000
COB
C，电容（pF ）
1000
COB
100
TJ = 25°C
FTEST = 1兆赫
0.1
1.0
10
100
100
TJ = 25°C
FTEST = 1兆赫
0.1
1.0
10
100
VR ，反向电压（伏）
VR ，反向电压（伏）
图15. MJW1302A典型电容
图16. MJW3281A典型电容
http://onsemi.com
5
查看更多MJW1302APDF信息
推荐型号
MSKW2024
MLL5265A
MAX6316LUK36BZ-T
M27C4001-90XC1
MAX4029EUP
MMSZ5229B-F
MMA2301EG
M38227E2HXXXFP
MAX11200EEE+
MC28U512HAYB-0QC00
MKC03-12S33
MAX6453UTS-T
MP111-315E/MB
MAX1081BCUP
MI-P7Z-MWY
MB2411A1W03
M27C160-150S6TR
MI-LC6P-IW
MI-P71P-IXZ
MMBF4392
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    MJW1302A
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市向鸿伟业电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2110158237 复制 点击这里给我发消息 QQ：316279873 复制 点击这里给我发消息 QQ：1298863740 复制 点击这里给我发消息 QQ：932480677 复制

电话：0755-82561519
联系人：李先生
地址：深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
MJW1302A
SPTECH质超
2407+
30098
TO-3
全新原装!仓库现货，大胆开价！
深圳市芯泽盛世科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881147140 复制

电话：0755-89697985
联系人：李
地址：深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
MJW1302A
onsemi
24+
10000
TO-247-3
原厂一级代理，原装现货
深圳市创芯联盈电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881793588 复制

电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
MJW1302A
ON/安森美
2443+
23000
TO-247
一级代理专营，原装现货，价格优势
深圳市诺洋电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881501653 复制

电话：0755-83223003
联系人：朱
地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316
MJW1302A
onsemi
24+
10000
TO-247-3
全新原装现货，原厂代理。
深圳市芯福林电子科技有限公司
QQ：
电话：0755-82574045
联系人：张女士
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
MJW1302A
ON
21+
19200
TO-247-3
原装正品
深圳市恒达亿科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：3004390992 复制 点击这里给我发消息 QQ：3004390991 复制 点击这里给我发消息 QQ：1245773710 复制

电话：0755-82723761/82772189
联系人：夏先生 朱小姐
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格科技园3栋东座10楼A2室（本公司为一般纳税人，可开增票）
MJW1302A
ON
25+
3200
TO-247
全新原装正品特价售销！
深圳和润天下电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1139848500 复制

电话：0755-83798683
联系人：许先生
地址：深圳市前海深港合作区前湾一路 1 号 A 栋 201 室
MJW1302A
ON/安森美
22+
97671
TO-3P
上海熠富电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：565106636 复制 点击这里给我发消息 QQ：414322027 复制
电话：15026993318 // 13764057178 // 15821228847
联系人：销售部
地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
MJW1302A
ON/安森美
2024
30475
TO-3P
上海原装现货库存，欢迎咨询合作
深圳市芯满林科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息

电话：18926544209/18025435189
联系人：夏小姐/朱先生
地址：深圳市福田区华强北街道福强社区振华路89号恒邦时代大厦1栋1514
MJW1302A
ON/安森美
24+
32000
TO-3P
百分百原装现货，价格优势，欢迎查询！
上海熠富电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：892174007 复制 点击这里给我发消息 QQ：2300949663 复制 点击这里给我发消息 QQ：2719079875 复制

电话：15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人：销售部
地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
MJW1302A
ON
2024
21000
TO-247
原装现货上海库存，欢迎查询
查询更多MJW1302A供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！