MJL4281A （ NPN ）
MJL4302A （ PNP ）
首选设备
互补NPN -PNP
硅双极功率
晶体管
该MJL4281A和MJL4302A是PowerBaset功率晶体管
高功率音频。
特点
http://onsemi.com
350 V集电极 - 发射极耐受电压
获得补充：
增益线性度从100 mA至5 A
高增益 - 80 240
h
FE
= 50 （分） @我
C
= 8 A
低谐波失真
高安全工作区 - 1.0 A / 100 V @ 1秒
高F
T
无铅包可用*
15安培
其他芯片
功率晶体管
350伏， 230沃茨
1
2
3
TO264
CASE 340G
方式2
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
W
° C / W
°C
xxx
A
YY
WW
G
= 281或302
=大会地点
=年
=工作周
= Pb-Free包装
1 BASE
3发射器
2个集热器
MJL4xxxA
AYYWWG
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压 - 1.5 V
连续集电极电流 -
集电极电流
- 山顶（注1 ）
基极电流 - 连续
总功率耗散@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
V
CEX
I
C
I
B
P
D
T
J
, T
英镑
价值
350
350
5.0
350
15
30
1.5
230
1.84
- 65 + 150
标记图
热特性
特征
热阻，结到外壳
符号
R
QJC
最大
0.54
单位
° C / W
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1.脉冲测试：脉冲宽度= 5毫秒，占空比< 10 ％ 。
订购信息
设备
MJL4281A
MJL4281AG
MJL4302A
MJL4302AG
包
TO264
TO264
（无铅）
TO264
TO264
（无铅）
航运
25单位/铁
25单位/铁
25单位/铁
25单位/铁
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
1
2006年1月 - 第2版
出版订单号：
MJL4281A/D
MJL4281A （ NPN ） MJL4302A （ PNP ）
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极发射极电压维持
(I
C
= 50 mA时，我
B
= 0)
集电极截止电流
(V
CE
= 200 V，I
B
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 350伏，我
E
= 0)
发射Cuto FF电流
(V
EB
= 5.0伏，我
C
= 0)
第二击穿
第二击穿集电极与基正向偏置
(V
CE
= 50伏直流，T = 1.0秒（不重复）
(V
CE
= 100伏，T = 1.0秒（不重复）
基本特征
直流电流增益
(I
C
= 100 MADC ，V
CE
= 5.0伏）
(I
C
= 1.0 ADC ，V
CE
= 5.0伏）
(I
C
= 3.0 ADC ，V
CE
= 5.0伏）
(I
C
= 5.0 ADC ，V
CE
= 5.0伏）
(I
C
= 8.0 ADC ，V
CE
= 5.0伏）
(I
C
= 15 ADC ，V
CE
= 5.0伏）
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 8.0 ADC ，我
B
= 0.8 ADC）
发射基饱和电压
(I
C
= 8.0 ADC ，我
B
= 0.8 A)
基射极电压ON
(I
C
= 8.0 ADC ，V
CE
= 5.0伏）
动态特性
电流增益 - 带宽积
(I
C
= 1.0 ADC ，V
CE
= 5.0伏，女
TEST
= 1.0兆赫）
输出电容
(V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0, f
TEST
= 1.0兆赫）
f
T
35
C
ob
600
pF
兆赫
h
FE
80
80
80
80
50
10
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
1.5
1.4
VDC
1.0
VDC
250
250
250
250
VDC
I
S / B
4.5
1.0
ADC
V
CE （ SUS）
I
首席执行官
I
CBO
I
EBO
5.0
50
MADC
350
100
VDC
MADC
MADC
符号
民
最大
单位
http://onsemi.com
2
MJL4281A （ NPN ） MJL4302A （ PNP ）
典型特征
1000
1000
的hFE ， DC电流增益
T
J
= 100°C
T
J
= 25°C
的hFE ， DC电流增益
T
J
= 100°C
100
T
J
= 25°C
100
10
0.01
0.1
1
10
100
10
0.01
0.1
1
10
100
I
C
，集电极电流（ A）
I
C
，集电极电流（ A）
图1.直流电流增益，V
CE
= 5 V,
NPN MJL4281A
1000
的hFE ， DC电流增益
1000
图2.直流电流增益，V
CE
= 5 V,
PNP MJL4302A
T
J
= 100°C
T
J
= 25°C
的hFE ， DC电流增益
T
J
= 100°C
100
T
J
= 25°C
100
10
0.01
0.1
1
10
100
10
0.01
0.1
1
10
100
I
C
，集电极电流（ A）
I
C
，集电极电流（ A）
图3.直流电流增益，V
CE
= 20 V,
NPN MJL4281A
1.4
饱和电压（ V）
饱和电压（ V）
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.01
V
CE （ SAT ）
T
J
= 25°C
I
c
/I
b
= 10
10
100
V
BE （ SAT ）
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0.01
图4.直流电流增益，V
CE
= 20 V,
PNP MJL4302A
V
BE （ SAT ）
V
CE （ SAT ）
T
J
= 25°C
I
c
/I
b
= 10
10
100
0.1
1
0.1
1
I
C
，集电极电流（ A）
I
C
，集电极电流（ A）
图5.典型的饱和电压，
NPN MJL4281A
图6.典型的饱和电压，
PNP MJL4302A
http://onsemi.com
3
MJL4281A （ NPN ） MJL4302A （ PNP ）
典型特征
1.4
V
BE（上）
，基极发射极电压
(V)
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0.01
V
BE（上）
，基极发射极电压
(V)
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.1
1
10
100
0.0
0.01
0.1
1
10
100
I
C
，集电极电流（ A）
I
C
，集电极电流（ A）
图7.典型的基射极电压，
NPN MJL4281A
图8.典型的基射极电压，
PNP MJL4302A
尺，当前带宽产品（兆赫）
70
60
50
40
V
CE
= 10 V
30
20
10
0
T
J
= 25°C
f
TEST
= 1兆赫
0.1
1
I
C
，集电极电流（ A）
10
V
CE
= 5 V
尺，当前带宽产品（兆赫）
70
60
V
CE
= 5 V
50
40
30
20
10
0
0.1
T
J
= 25°C
f
TEST
= 1兆赫
1
10
V
CE
= 10 V
图9.典型电流增益带宽积，
NPN MJL4281A
100
I
C
，集电极电流（ A）
I
C
，集电极电流（ A）
10毫秒
10
1秒
1
图10.典型电流增益带宽积，
PNP MJL4302A
100
10毫秒
10
1秒
1
100毫秒
100毫秒
0.1
0.1
0.01
1
T
J
= 25°C
10
100
1000
0.01
1
T
J
= 25°C
10
100
1000
V
ce
，集电极 - 发射极电压（ V）
V
ce
，集电极 - 发射极电压（ V）
图11.活动区的安全工作区，
NPN MJL4281A
图12.活动区的安全工作区，
PNP MJL4302A
http://onsemi.com
4
MJL4281A （ NPN ） MJL4302A （ PNP ）
包装尺寸
TO- 3BPL （ TO- 264 ）
CASE 340G -02
ISSUE
Q
B
0.25 (0.010)
M
T B
M
T
C
U
N
A
R
1
2
3
E
注意事项：
1.尺寸和公差PER
ANSI Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
MILLIMETERS
民
最大
28.0
29.0
19.3
20.3
4.7
5.3
0.93
1.48
1.9
2.1
2.2
2.4
5.45 BSC
2.6
3.0
0.43
0.78
17.6
18.8
11.2 REF
4.35 REF
2.2
2.6
3.1
3.5
2.25 REF
6.3 REF
2.8
3.2
英寸
民
最大
1.102
1.142
0.760
0.800
0.185
0.209
0.037
0.058
0.075
0.083
0.087
0.102
0.215 BSC
0.102
0.118
0.017
0.031
0.693
0.740
0.411 REF
0.172 REF
0.087
0.102
0.122
0.137
0.089 REF
0.248 REF
0.110
0.125
L
P
K
F
2 PL
G
W
D
3 PL
0.25 (0.010)
M
J
H
T B
S
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
N
P
Q
R
U
W
方式2 ：
1. PIN BASE
2.收集
3.辐射源
百百是半导体元件工业， LLC的商标。
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
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运行参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
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5
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